Nanosized $SnO_2$ particles were synthesized by homogeneous precipitation method using tin chloride ($SnCl_4{\cdot}5H_{2}O$) and urea ($CO(NH_2)_2$). The powders were heated at $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ for 2h. The crystal structure, microstructure, thermal behavior, specific surface area were analyzed using XRD, FE-SEM, TGA and BET, respectively. The initial resistance and the $H_2$ sensing properties were measured as a function of ${Sb_2}{O_3}$ and Pd doping concentrations. The resistance was decreased with the addition of ${Sb_2}{O_3}$ and the sensitivity for $H_2$ gas was increased with the addition of Pd. Thus, the optimum $H_2$ gas sensing property was obtained in the 0.25.mol% ${Sb_2}{O_3}$ and 1.w% added $SnO_2$ powders.
Recently, oxide semiconductor gas sensors consisted of n-type semiconductor materials such as $SnO_2$, ZnO and $Fe_2O_3$ have been widely used to detect reducing gases. The advantage of thick-film technology include the possibility of mass-production and automation, that of integrating the sensing element in a hybrid circuit and that of fuctional trimming of the sensor and/or the circuit. which would enable really interchangeable transducers to be prepared. In this paper, we made ZnO and $SnO_2$ gas sensors and investigated the sensitivity to CO gas. Therefore, we compared a ZnO gas sensor with a $SnO_2$ gas sensor.
This paper describes the technique of deterioration diagnosis for ZnO element. Due to the non-linear resistance of ZnO block, the total leakage current contains harmonics when arrester deteriorated. The most significant harmonics is the 3rd order component. So, it can be used as an indicator of the arrester condition. An iron core, which has a very high relative permeability, is used for increasing detection sensitivity and the 3th order harmonics of leakage current was detected by band-pass circuit. And we have verified the reliability and performance of the sensing device through several laboratory tests.
Al2O3 film was chemically deposited by pyrolytic decom,positio of the Al-tri-isopropoxide/N2 system at 350$^{\circ}C$, 30 and 1.86torr. FTIR analysis showed a deposited film was a hydrated alumina and transformed to an anhydrous one after heat treatment(1hr, >800$^{\circ}C$ or 4hr, >500$^{\circ}C$) in N2 atmosphere. This transformation influenced on the CV-hysteresis of Si-Al2O3 structure. Also, a pH sensitivity of EIS(Electrolyte-Insulator-Semiconductor)structure using Si-Al2O3/SiO2 film was 50mV/pH in the range of pH 3 to 7.
The perovskite-type compounds $La_{1-x}Ca_xCoO_3$ were synthesized, their thermochemical properties and the gaseous sensitivity were investigated in ethanol vapor. The maximum response for detecting gas corresponded with the exothermic peak of DTA experiment. In any case the substituent was increased, the responsive ratio for detecting gas was grown upon. However, the needed time for response was later, and the operating temperature was elevated. The mechanism of this electrical conductivity was explained by the oxygen ionic diffusion through oxygen vacancy produced by the substituent.
Vu, Xuan Hien;Lee, Joon-Hyung;Kim, Jeong-Joo;Heo, Young-Woo
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.272-272
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2014
SnO thin films, 100 nm in thickness, were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering. A stack structure of $SnO_2/SnO$, where few nanometers of $SnO_2$ were determined on the SnO thin film by X-ray photoelectron spectroscopy. In addition, XPS depth profile analysis of the pristine and heat treated thin films were introduced. The electrical behavior of the as-sputtered films during the annealing was recorded to investigate the working conditions for the SnO sensor. Subsequently, The NH3 sensing properties of the SnO sensor at operating temperature of $50-200^{\circ}C$ were examined, in which the p-type semiconducting sensing properties of the thin film were noted. The sensor shows good sensitivity and repeatability to $NH_3$ vapor. The sensor properties toward several gases like $H_2S$, $CH_4$ and $C_3H_8$ were also introduced. Finally, a sensing mechanism was proposed and discussed.
Trimethylamine (TMA) is an organic amine gas that serves as a key indicator for evaluating the freshness of seafood. We synthesized a highly sensitive trimethylamine (TMA) sensor based on porous indium oxide (In2O3) nanoparticles (NPs) loaded with CuO in the range of 6.7 to 28.4 at.%. CuO was loaded by hydrazine reduction onto as prepared In2O3 NPs using the microwave irradiation method. Crystal structures, morphologies, and chemical composition of CuO/In2O3 nanostructures (NSs) were characterized by X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, and inductively coupled plasma mass spectrometry. The response of the 23.8 at.% CuO/In2O3 to 2.5 ppm TMA at 325℃ was 5.7, which was 2.8 times higher than that of porous In2O3 NPs. The high sensitivity and selective detection of TMA were attributed to electronic interactions between CuO and In2O3 and the high catalytic activity of CuO to TMA. Altogether, this CuO/In2O3 sensor could be used in the future to detect low concentrations of TMA, thereby aiding in the storage and distribution of marine food resources.
In predicting oxidants concentration, the most important fact is to select a suitable photochemical reaction mechanism. Sensitivity analysis of $O_3$ and other important photochemical oxidants concentrations was conducted by using CBM-IV model. The predicted oxidants concentration was considerably related with the initial concentration of formaldehyde, $[NO_2]/[NO],\;NO_x$, RH and RCHO. As the initial concentration of formaldehyde increased, concentration of $NO_2$ increased. $O_3$ concentration was proportional to the $[NO_2]/[NO]$ ratio. When the initial concentrations of RH and RCHO were high, photochemical reaction was more reactive, including more rapid conversion of NO to $NO_2$ and increased oxidants. Also, the sensitivities of ozone formation to rate constants, $K_l,\;K_2\;and\;K_3$ in the $NO_2$ photolysis were studied.
CHO, SE-HYUNG;YOON, DONG-HWAN;KIM, JAEHEON;BYUN, DO-YOUNG;WAGNER, JAN
천문학회지
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제48권6호
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pp.357-364
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2015
We observe ten known 22GHz H2O maser galaxies during February 19-22, 2011 using the 21 m Tamna telescope of the Korean VLBI Network and a new wide-band digital spectrometer. Simultaneously we searched for 43GHz SiO v = 1, 2, J = 1-0 maser emission. We detect H2O maser emission towards five sources (M 33, NGC 1052, NGC 1068, NGC 4258, M 82), with non-detections towards the remaining sources (UGC 3193, UGC 3789, Antennae H2O-West, M 51, NGC 6323) likely due to sensitivity. Our 22GHz spectra are consistent with earlier findings. Our simultaneous 43GHz SiO maser search produced non-detections, yielding - for the first time - upper limits on the 43GHz SiO maser emission in these sources at a 3 σ sensitivity level of 0.018K-0.033K (0.24 Jy-0.44 Jy) in a 1.75 km s−1 velocity resolution. Our findings suggest that any 43GHz SiO masers in these sources (some having starburst-associated H2O kilomasers) must be faint compared to the 22GHz H2O maser emission.
In this study, we fabricated a TFT gas sensor with ZnO nanorods grown by hydrothermal synthesis. The suggested devices were compared with the conventional ZnO film-type TFTs in terms of the gas-response properties and the electrical transfer characteristics. The ZnO seed layer is formed by atomic-layer deposition (ALD), and the precursors for the nanorods are zinc nitrate hexahydrate ($Zn(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$) and hexamethylenetetramine ($(CH_2)6N_4$). When 15 ppm of NO gas was supplied in a gas chamber at $150^{\circ}C$ to analyze the sensing capability of the suggested devices, the sensitivity (S) was 4.5, showing that the nanorod-type devices respond sensitively to the external environment. These results can be explained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, which showed that the oxygen deficiency of ZnO nanorods is higher than that of ZnO film, and confirms that the ZnO nanorod-type TFTs are advantageous for the fabrication of high-performance gas sensors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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