• 한국자기학회지
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• 제13권5호
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• pp.204-210
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• 2003

강유전체 물질인 LiNbO$_3$ 및 LiTaO$_3$ 단결정 내에 불순물로 첨가되어 있는 상자성 전이원소인 Cr$^{3+}$ , $Mn^{2+}$, Fe$^{3+}$ 이온에 관한 전자 자기공명 연구를 하였다. 이들 두 단결정 내에 들어있는 불순물 이온에 대하여 중첩모델을 써서 계산한 영자기장 갈라지기 상수의 값을 실험에서 얻은 영자기장 갈라지기 값 및 기존에 보고된 많은 연구 논문과 비교 분석하여 상자성 불순물이 결정 내의 어느 자리를 치환하고 들어가는지를 연구하였다. LiNbO$_3$ 단결정 내의 Cr$^{3+}$ 이온이 불순물로 들어 갈 경우에는 두 가지 공명 중심이 가능하며, Li$^{+}$ 및 Nb$^{5+}$이온 자리를 각각 치환하고 들어간다. 또한 LiNbO$_3$ 결정 내의 $Mn^{2+}$ 및 Fe$^{3+}$ 이온의 경우에는 두 이온 모두 Nb$^{5+}$ 이온 자리를 치환하고 들어간다. LiTaO$_3$ 단결정 내에 불순물로 들어가 있는 Cr$^{3+}$ 및 Fe$^{3+}$ 이온은 모두 Li$^{+}$ 이온 자리를 치환하고있는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.289-293
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• 2004

PNW-PMN-PZT ceramics were fabricated with the variations of Nb$_2$O$_{5}$ addition and their microstructural and piezoelectric characteristics were investigated. When the amount of Nb$_2$O$_{5}$ increased, grain size decreased gradually. At 0.3wt％ Nb$_2$O$_{5}$ which is the same weight percent with Fe$_2$O$_3$, maximum tetragonality(c/a) and density were shown due to the complexed doping effects. Also, this composition that showed Qm of 2,041, kp of 0.55, grain size of 2.5${\mu}{\textrm}{m}$ and $\varepsilon$r of 1704 were proper for high power application. Using this composition, Rosen-type piezoelectric transformer was fabricated as the size of 1 ${\times}$ 16 ${\times}$ 5㎣ and its electrical characteristics were investigated with the variations of load resistance and driving frequency. At the resistance of 200㏀, maximum step-up ratio of 13.68 was shown. After driving PDA CCFL for 25 min using the inverter circuit, at driving frequency of 214.4KHz, input voltage of 31.78 V and input current of 21.1mA were measured at the input part of piezoelectric transformer. And then, output voltage of 293.2 V and output current of 2.2mA were shown at the output part of piezoelectric transformer. At the same time, efficiency of 96.2％ and temperature rise of 3.5$^{\circ}C$ were appeared at the piezoelectric transformer.ormer.

• 한국재료학회지
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• 제7권7호
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• pp.587-591
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• 1997

RBS와 XRD를 이용하여 C o-Nb이중층 실리사이드와 구리 배선층간의 열적안정성에 관하여 조사하였다. Cu$_{3}$Si등의 구리 실리사이드는 열처리시 40$0^{\circ}C$정도에서 처음 형성되기 시작하였는데, 이 때 형성되는 구리 실리사이드는 기판의 상부에 존재하던 준안정한 CoSi의 분해시에 발생한 Si원자와의 반응에 의한 것이다. 한편, $600^{\circ}C$에서의 열처리 후에는 CoSi$_{2}$층을 확산.통과한 Cu원자와 기판 Si와의 반응에 의하여 CoSi$_{2}$/Si계면에도 구리 실리사이드가 성장하였는데, 이렇게 구리 실리사이드가 CoSi$_{2}$/Si 계면에 형성되는 것은 Cu원자의 확산속도가 여러 중간층에서 Si 원자의 확산속도 보다 더 빠르기 때문이다. 열처리 결과 최종적으로 얻어진 층구조는 CuNbO$_{3}$/Cu$_{3}$Si/Co-Nb합금층/Nb$_{2}$O$_{5}$CoSi$_{2}$/Cu$_{3}$Si/Si이었다. 여기서 상부에 형성된 CuNbO$_{3}$는 Cu원자가 Nb$_{2}$O$_{5}$및 Co-Nb합금층과 반응하여 기지조직의 입계에 석출되어 형성된 것이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권6호
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• pp.389-393
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• 2000

본 연구에서는 $\mu$-PD법으로 Er : Mg : $LiNbO_3$화이버 결정을 MgO의 첨가량을 달리하여 성장시켰으며, 첨가물 농도에 따른 성장조건과 PL 특성에 관해 조사하였다. 또한,성장한 결정의 투과 스펙트럼으로부터 Er : Mg : $LiNbO^3$에서 $Er^{3+}$ 의 에너지 준위구조를 계산하였다. Crack과 bubble등의 결함이 없는 결정은 after-beater를 조정하여 0.5 mm/min 이하의 성장속도에서 얻을 수 있었다. MgO의 농도에 따른 PL강도는 0.6 mol% $Er_2O_3$와 3 mol% MgO가 첨가된 Er : Mg : $LiNbO_3$결정에서 가장 강한 형광강도가 관측되었다. 또한, 에너지 준위 $^4S_{3/2}$에서 기저준위로 방출되는 빛이 가장 강했으며 1530 nm의 형광은 비방출천이 및 형광방출 등의 원인에 의한 $^4I_{13/2}$ 준위에서의 여기전자 감소가 형광강도 감소의 원인임을 알 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1992년도 춘계학술발표회
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• pp.115-116
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• 1992

• 전기학회논문지
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• 제56권3호
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• pp.556-560
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• 2007

In this study, both structural and microwave dielectric properties of the $Mg_5B_4O_{15}$ (B=Ta, Nb) cation-deficient perovskite ceramics with sintering temperature were investigated. All sample of the $Mg_5B_4O_{15}$ (B=Ta, Nb) ceramics were prepared by the conventional mixed oxide method and sintered at $1400^{\circ}C{\sim}1500^{\circ}C$. The bulk density and quality factor of the $Mg_5B_4O_{15}$ (B=Ta, Nb) ceramics were increased with increasing sinterning temperature in the range of $1400^{\circ}C{\sim}1450^{\circ}C$, but these were decreased the sintering temperature of above $1450^{\circ}C$. The dielectric constant of the $Mg_5Ta_4O_{15}$ ceramics was increased continuously with increasing sintering temperature. And the dielectric constant of the $Mg_5Nb_4O_{15}$ ceramics was increased in as the sintering temperature increasesfrom $1400^{\circ}C{\sim}1450^{\circ}C$ but was decreased at the temperatures above $1475^{\circ}C$. In the case of the $Mg_5Ta_4O_{15}\;and\;Mg_5Nb_4O_{15}$ ceramics sintered at $1450^{\circ}C$ for 5h, the dielectric constant, quality factor, and temperature coefficient of the resonant frequency (TCRF) were 8.2, 259,473 GHz, $-10.91ppm/^{\circ}C$ and 14, 37,350 GHz, $-52.3ppm/^{\circ}C$, respectively.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 추계학술대회 초록집
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• pp.173-173
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• 2009

무독성 원소를 포함하는 Ti-35Nb-x(3, 5, 7, 10, 15)Zr 합금을 제조하여 양극산화 방법을 통해 표면에 nanotube를 형성한 후 0.9% NaCl 용액에서 부식특성을 관찰하였다. 합금 표면에 형성된 안정된 nanotube 형태의 $TiO_2$, $Nb_2O_5$ 및 $ZrO_2$가 내식성 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제7권5호
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• pp.372-376
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• 1998

기능성 소자 응용을 위한 다양한 박막을 성장시키기 위하여 PLD(Pulsed Laser Deposition) 장치를 제작 개발하였다. 이 PLD 장치를 이용하여 $NbS_2$ 박막을 $Al_2O_3$(012) 기판과 Si(111) 기판 위에 성장시켰다. 결정성 박막의 성장조건을 조사하기 위하여 기판온도를 실온${\sim}600^{\circ}C$, 타겟의 성분비(S/Nb)를 $2.0{\sim}5.25$로 변화시켰다. XRD 패턴으로부터 기판온도가 $600^{\circ}C$이고 타겟의 성분비가 4.0일 때 c-축 배향을 나타내는 양호한 결정성의 $NbS_2$박막이 성장되었다. Si(111) 기판 위보다 $Al_2O_3$(012) 기판 위에서 보다 양질의 $NbS_2$ 박막이 성장되었음을 알 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제27권4호
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• pp.273-278
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• 1983

합성표준시료를 이용하여 주석슬랙 중 유가금속들인 $Ta_2O_5, Nb_2O_5, TiO_2, SnO_2 $및 $ZrO_2$를 X-선형광분광법으로 정량하였다. 분석시료와 표준시료분말들을 융제인 무수 $Li_2B_4O_7$과 $La_2O_3$를 무게비 15:42:3의 비율로 균일하게 혼합한다. 혼합분말을 $1,150^{\circ}C$에서 30분간 용융하여 유리구슬을 만든다. 이 구슬을 325메쉬 이하로 분쇄하여 수압기를 이용 pellet으로 만들어 시편으로 사용한다. 분석결과들은 다른 분석법에 의해 얻은 값들과 허용오차 범위내에서 잘 일치한다. 또 PTS-H시료에 대한 표준편차가 함량 3.40 %에서 0.12 %로 재현성도 좋음을 보여 주었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권12호
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• pp.1221-1226
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• 1997

The effects of sintering atmosphere and dopant addition on the behavior of densification and grain growth of SnO2 ceramics were investigated with consideration of defect chemistry. CoO and Nb2O5 were chosen as dopants, and oxygen and nitrogen were used for controlling of sintering atmospheres. With the decrease of oxygen partial pressure, densification was depressed due to evaporation of SnO2 ceramics. In the case of SnO2 sintering, the addition of CoO, which produced oxygen vacancy in SnO2 ceramics, led to acceleration of densification and grain growth. On the contrary, when Nb2O5 as a dopant producing Sn vacancy was added to SnO2 ceramics, densification and grain growth were simultaneously retarded. As results, it was conformed that diffusion of oxygen ions was rate determinant in densification and grain growth of SnO2 ceramics.