Preparation of $NbS_2$ thin film using PLD method

PLD 장치를 이용한 $NbS_2$ 박막의 제작

We developed a pulsed laser deposition(PLD) apparatus for depositing various thin films. In this study, the formation of $NbS_2$ thin film was performed in the vacuum chamber by PLD method. $Al_2O_3$(012) and Si(111) were used as the substrates. In order to investigate the growth conditions of a high crystalline $NbS_2$ thin film, the S/Nb composition ratio was varied from 2.0 to 5.25 and the substrate temperature was varied from the room temperature to $600^{\circ}C$. From the result of X-ray diffraction studies of the prepared $NbS_2$ thin films, it was reported that the $NbS_2$, thin film showed a good crystallinity at substrate temperature $600^{\circ}C$ and with S/Nb composition ratio 4.0 on $Al_2O_3$(012) but did not on Si(111). The films exhibited c-axis orientation.

기능성 소자 응용을 위한 다양한 박막을 성장시키기 위하여 PLD(Pulsed Laser Deposition) 장치를 제작 개발하였다. 이 PLD 장치를 이용하여 $NbS_2$ 박막을 $Al_2O_3$(012) 기판과 Si(111) 기판 위에 성장시켰다. 결정성 박막의 성장조건을 조사하기 위하여 기판온도를 실온${\sim}600^{\circ}C$, 타겟의 성분비(S/Nb)를 $2.0{\sim}5.25$로 변화시켰다. XRD 패턴으로부터 기판온도가 $600^{\circ}C$이고 타겟의 성분비가 4.0일 때 c-축 배향을 나타내는 양호한 결정성의 $NbS_2$박막이 성장되었다. Si(111) 기판 위보다 $Al_2O_3$(012) 기판 위에서 보다 양질의 $NbS_2$ 박막이 성장되었음을 알 수 있었다.