• 한국농림기상학회지
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• 제1권2호
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• pp.160-164
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• 1999

현재 지구상에서 농업에 기인하여 배출되는 $N_2$O의 80% 정도가 지구의 온난화 뿐만 아니라 오존층 파괴에까지 영향을 미친다. 토양에서 수분함량 등과 관련한 유기태 탄소는 지하수면의 계절적 변화에 따라 탈질화를 결정하는 주요 요인이 되기도 하며 심층토의 탈질화 활동은 토양내 유기물을 분해하여 유기태 질소를 일시적으로 토양에 축적시키기도 한다. 그리고 토양의 관리방법, 폐기물의 토양처리, 질소질 비료의 시용 등이 $N_2$O 증가에 결정적 요인이 되기도 한다. 그러나 이러한 효과의 정도는 거의 알려져 있지 않을 뿐만 아니라 질산화나 탈질화와 같은 상반되는 과정과 제한 요소와 관련하여 범용적으로 적용할 수 있는 $N_2$O 방출을 예측하는 측정 계수와 같은 연구는 매우 미미한 상태이다. 그러므로 농업토양에서 비료와 유기물 시용 둥에 의해 발생하는 토양의 $N_2$O배출을 효율적으로 관리하기 위하여 심층토에서의 동적 역학적 $N_2$O 배출 측정과 관리 방법을 개발하여야 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.90-93
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• 1992

In this paper, MOS characteristics of gate dielectrics prepared by furnace oxidation of Si in an $N_2O$ ambient have been studied. Compared with the oxides grown in $O_2$, $N_2O$ oxides show significantly improved breakdown field and low flat band voltage. Also, $N_2O$ oxide is more controllable for ultrathin film growth than $O_2$ oxide. This improvement is caused by nitrogen incorporation into the $N_2O$ oxide. Therefore, the nitrogen-rich-layer at the Si/$SiO_2$ interface formed during $N_2O$ oxidation not only strengthen $N_2O$ oxide structure at the interface and improves the gate dielectric quality, it also acts as a oxidant diffusion barrier that reduces the oxidation rate significantly.

• 한국토양비료학회지
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• 제39권5호
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• pp.253-258
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• 2006

수원시에 위치한 농업과학기술원 시험포장인 고평통의 식양토와 본량통의 사양토에서 고추를 재배하였다. 식양토와 사양토의 2개 토성을 대상으로 토양 검정한 NPK 시비에 돈분퇴비 $25Mg\;ha^{-1}$를 각 각 시용하였다. 토양의 $N_2O$ 배출량 측정을 한 후 동시에 $N_2O$ 배출에 기여하는 토양수분, 무기태 질소, 지온 등을 측정하였고, 토양수분은 관수시점인 -50 kPa내의 범위로 한정하여 토양의 $N_2O$ 배출량을 실제 측정하였다. 온실가스 배출량을 예측하기 위해 영국의 경험 모델을 이용하여 $N_2O$ 배출의 예측값과 실측값을 비교 분석하였다. $N_2O$ 배출의 실측량과 무기태 질소($NO_3{^-}+NH_4{^+}$)의 관계에서 무기태 질소($NO_3{^-}-N+NH_4{^+}-N$)가 $10mg\;kg^{-1}$ 이하에서 $N_2O$ 배출량이 $1{\sim}10g\;N_2O-N\;ha^{-1}day^{-1}$로 나타나 $N_2O$ 배출에 대한 무기태질소 ($NO_3{^-}-N+NH_4{^+}-N$)의 한계선을 구분할 수 있었으며, 실측값인 토양온도와 WFPS(water filled pore space) 관계에서도 경험 모델의 배출 추정식인 (% WFPS)+{$2{\times}$토양온도($^{\circ}C$)}=90, (% WFPS)+{$2{\times}$토양온도($^{\circ}C$)}=105를 증명 하였다. $N_2O$ 배출의 실측량과 예측량을 1:1 대응한 결과, 식양토와 사양토 각 r=0.962, r=0.974로 나타났다. 고추밭의 $N_2O$ 배출량을 분석한 결과, 예측량과 작기 기간 전체 $N_2O$ 배출량의 비교에서 예측량은 식양토에서 12.2%가 낮게 평가 되었고, 사양토에서는 30%가 높게 평가 되었다. 그리고 토양 파라메타 분석 동시에 1주일에 1회 $N_2O$가스를 포집한 $N_2O$ 배출량에서는 식양토 27.1, 사양토 14.7%가 높게 평가 되었다. 향후 경험 모델의 정밀도를 높이기 위해서는 국내 작물재배환경에 맞는 파라메타의 수정이 필요하며 다양한 작물을 대상으로 연구가 있어야 할 것으로 생각한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.1115-1121
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• 2007

이온 빔 스퍼터법을 이용하여 저속성장으로 동시 증착에 의해 $Bi_2Sr_2Ca{_{n-1}}Cu_nO_x$(n=0,1,2) 박막을 제작하였다. Bi 2212 상은 기판온도 $750{\sim}795^{\circ}C$의 범위에서 나타났으며, $750^{\circ}C$보다 저온 측에서는 Bi 2201의 단일상이 존재하였다. 그러나, 조성과 관계되는 $PO_3$은 압력 변화에 대해서는 관찰되지 않았다. 그리고 $45{\sim}90K$의 임계온도(Tc)를 갖는 c축 배향한 고품질의 Bi 2212 박막을 얻었다. 소수의 박막에서는 소량의 CuO가 불순물로 관찰되었으며, 얻어진 모든 박막에서 $CaCuO_2$ 의 불순물 상은 관찰되지 않았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.33-38
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• 2003

Highly homogeneous PZT powder was prepared by a partial oxalate method using chemicals of (Z $r_{0.53}$ $Ti_{0.47}$) $O_2$, Pb(N $o_3$)$_2$and (COOH)$_2$ㆍ2$H_2O$. N $b_2$ $O_{5}$ addition effect on microstructure and electrical properties of PZT ceramics was investigated. When the precursors were calcined at 71$0^{\circ}C$, a single perovskite phase was obtained. After sintering at 110$0^{\circ}C$, X-ray diffraction Patterns showed coexistence of rhombohedral and tetragonal phases regardless of the N $b_2$ $O_{5}$ content. As the content of N $b_2$ $O_{5}$ increased, grain size decreased but sintered density increased. The electromechanical coupling factor of kp and the piezoelectric constant of $d_{31}$ increased linearly with the content of N $b_2$ $O_{5}$, and those values reached 0.7 and -200, respectively, when 1.2 mol% of N $b_2$ $O_{5}$ is added. is added.ded.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권11호
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• pp.1037-1041
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• 2001

저온(32$0^{\circ}C$)에서 SiH$_4$와 $N_2$O 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 SiO$_2$후막을 제조하였다. 증착변수가 SiO$_2$후막의 특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 $N_2$O/SiH$_4$flow ratio와 RF power에 변화를 주었다. $N_2$O/SiH$_4$ flow ratio가 감소함에 따라 증착속도는 2.9 $mu extrm{m}$/h), 굴절률은 thermal oxide의 굴절률(n=1.46)에 근접하였다.

• 대한화학회지
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• 제47권3호
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• pp.283-291
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• 2003

이 연구에서는$2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계의 평형에 미치는 압력의 영향을 색깔 변화를 통해 관찰하는 실험과 관련하여 고등학교 화학교과서와 일반화학교재에 나타난 내용을 분석하고, 교과서에 제시된 실험 방법을 개선하는 데 목적을 두고 있다. 연구 결과, $2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계를 압축시킬 때 부피 감소에 따른 $NO_2$ 농도 증가 요인을 무시하고 적갈색이 엷어지는 것으로 기술하고 있고, 압축 시 일어나는 현상들의 원인을 해석하는 데 오류가 있었다. 따라서 이론적인 연구를 토대로 $2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계를 압축할 때 일어나는 색깔 변화와 온도 변화를 정량적으로 측정하여 비교함으로써 올바른 해석을 제시하였다. 또한,$2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계의 압축 시, 부피 감소에 따른 $NO_2$ 농도 증가 효과를 배제하고 순수한 평형 이동에 따른 색깔 변화만을 관찰할 수 있는 개선된 실험 방법을 제시하였다.

• 청정기술
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• 제17권2호
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• pp.142-149
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• 2011

혼합금속산화물인 AlCoPd (1/1/0.05) 및 AlCoFe (1/1/2) 촉매의 Lean $NO_x$ Trap (LNT) 적용을 위하여 NO 및 $N_2O$에 대한 흡착 및 탈착 특성을 살펴보았다. 이들은 NO 및 $N_2O$에 대해 산화 과정 없이도 NO를 잘 흡착하는 성능을 나타냈다. 산소가 공존하는 복합 성분의 흡착에서는 흡착량이 많이 떨어졌지만 NO의 경우 산소대비 높은 선택성과 흡착능을 유지한 반면 $N_2O$의 선택성과 흡착능은 급격히 떨어지는 양상을 나타냈다. 또한 TPD로 살펴본 탈착 특성에서는 고온 영역에서 NO 및 $N_2O$성분이 분해되며 생성된 산소 성분 등이 높은 온도에서도 촉매에 강하게 결합되어 있는 것으로 파악되었다.

• 한국분말재료학회지
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• 제29권6호
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• pp.492-498
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• 2022

N-doped Na₂Ti₆O₁₃@TiO₂ (denoted as N-NTO@TiO₂) composites are successfully synthesized using a simple two-step process: 1) ball-milling of TiO₂ with Na₂CO₃ followed by heat treatment at 900℃; 2) mixing of the prepared Na₂Ti₆O₁₃ with titanium isopropoxide and calcining with urea at 500℃. The prepared composites are characterized using XRD, SEM, TEM, FTIR, and BET. The N-NTO@TiO₂ composites exhibit well-defined crystalline and anatase TiO₂ with exposed {101} facets on the external surface. Moreover, dopant N atoms are uniformly distributed over a relatively large area in the lattice of the composites. Under visible light irradiation, ~51% of the aqueous methylene blue is photodegraded by N-NTO@TiO₂ composites, which is higher than the values shown by other samples because of the coupling effects of the hybridization of NTO and TiO₂, N-doping, and presence of anatase TiO₂ with exposed {101} facets.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권3호
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• pp.269-275
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• 1993

미래의 ULSI 소자의 게이트 산화막으로 이용하기 위하여 $N_{2}$O 가스 분위기에서 기존의 전기로를 이용한 실리콘의 열산화에 의해 $N_{2}$O 산화막을 형성하였고 MOS 소자를 제작하여 전기적 특성을 고찰하였다. 900.deg.C에서 90분간 산화한 $N_{2}$O 산화막의 경우, 플랫밴드 전압( $V_{FB}$ ), 고정전하밀도 ( $N_{f}$)와 플랫밴드 전압의 변화량(.DELTA. $V_{FB}$ )은 각각 0.81[V], 6.7x$10^{10}$[$cm^{-2}$]와 80~95[mV]를 나타내었다. $N_{2}$O 산화막의 전기전도기구는 저전계 영역에서는 Fowler-Nordheim 터널링, 고전계영역에서는 Poole-Frenkel 방출이 지배적으로 나타났고 절연파괴전계는 16[MV/cm]로 높게 나타났다. 따라서 $N_{2}$O 산화로 형성된 게이트 산화막이 ULSI소자의 게이트 유전체로 응용이 가능하리라 생각된다..