Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.23
no.1
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pp.176-181
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2009
In this work, a new type of DSCs based on nanoporous FTO structure is being developed for research aimed at low-cost high-efficiency solar cell application. The nanoporous FTO materials have been prepared through the sol-gel combustion method followed by thermal treatment at $450{\sim}850[^{\circ}C]$. The properties of the nanoporous FTO materials were investigated by IR spectra, BET and TEM analyses, and the photovoltaic performance of the prepared DSCs were examined. It can be seen from the result that the nanoporous FTO exhibited good transparent conductive properties, well suited for DSCs application.
Isotope-dilution inductively coupled plasma mass spectrometry was used to determine trace amounts of Cd, Cu, Pb, Ni and Zn in sediment. Sediment samples were dissolved by microwave digestion with addition of mixed acid ($HNO_3$, HF and $HClO_4$). Lead was determined after separation of alkaline and alkaline earth metals by an ammonium pyrrolidenedithiocarbarmate (APDC) solvent extraction. The other elements were determined after separation of iron, tin and titanium by hydroxide precipitation. Recovery efficiency of the analyte elements was not satisfactory, but most of matrix elements causing the isobaric interference could be effectively eliminated by the separation. Good agreement was achieved with the certified values in the analysis of the two sediment reference materials.
To connect the driver IC and Al coated glass, a method has been developed to plate electrolessly Ni on Al/PR system. It Is necessary to pretreat Al to remove oxide film before plating. In order to find pretreatment process which does not damage photoresist or glass, alkaline and fluoride zincate process have been investigated. Because photoresist and aluminum thin film can easily dissolve in alkaline solution, it is considered that the fluoride zincate process was a suitable one. After immersion in the zincate solution containing 1.5 g/$\ell$ ammonium bifluoride and 100 g/$\ell$ zinc sulfate, electroless nickel plating could be performed. The additive in the zincate solution and thiourea in the plating solution increased smoothness of the plated surface. Acld dip could improve the uniformit of the surface.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.56
no.5
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pp.289-298
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2023
In this study, the effect of drying temperature on characteristics of the trivalent chromate film on electroplated zinc was investigated. An zinc-electroplated iron specimen with a thickness of 5 ㎛ was used for chromate treatment. Chromate treatment was conducted in a solution diluted 10 times from a mixture of Cr(NO3)3·9H20 360 g/L, Co(NO3)2·6H2O 60 g/L, Na2SO4 60 g/L, NH4F·HF 25 g/L, and NaOH 20 g/L. The zinc electroplated specimen was treated using the chromate solution with pH 2.0 at 25 ℃ for 60 s. Subsequently, chromate-treated samples were dried in an electric furnace for 2h with temperature varied from 25 to 125 ℃. The corrosion rate increased with the increase in the drying temperature, and the surface morphology of the chromate-treated film was observed using FE-SEM. When the drying temperature changed, the color of the chromate film changed from green to yellow, and the thickness of the film changed from 362 to 241 nm, respectively. Additionally, corrosion resistance was evaluated via a salt spray test.
Park, Hyo-Min;Tark, Sung-Ju;Kang, Min-Gu;Park, Sung-Eun;Kim, Dong-Whan
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2009.06a
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pp.89-89
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2009
높은 소수반송자 수명(life-time)을 가지는 고품위 실리콘 기판은 고효율 실리콘 이종접합 태양전지 제작을 위한 중요 요소 기술 중 하나이다. 본 연구에서는 n-type c-Si 기판을 이용한 고효율 실리콘 이종접합 태양전지제작을 위해 hot water oxidation(HWO) 공정을 이용하여 고품위 실리콘 기판을 제작하였다. 실리콘 기판의 특성 분석은 Qusi-steady state photoconductance (QSSPC)를 이용하여 소수반송자 수명을 측정하였으며, 기판의 면저항 및 wetting angle을 측정하여 공정에 따른 특성변화를 분석하였다. Saw damage etching 된 기판을 웨이퍼 표면으로부터 particle, 금속 불순물, 유기물 등의 오염을 제거하기 위해 $60{\sim}85^{\circ}C$로 가열된 Ammonia수, 과산화수소수($NH_4OH/H_2O_2/H_2O$), 염산 과산화수소수($HCL/H_2O_2/H_2O$) 및 실온 희석불산(DHF) 중에 기판을 각각 10분 정도씩 침적하여, 각각의 약액 처리 후에 매회 10분 정도씩 순수(DI water)에서 rinse하여 RCA 세정을 진행한 후 HWO 공정을 통해 기판 표면에 얇은 산화막 을 형성시켜 패시베이션 해주었다. HF를 이용하여 자연산화막을 제거시 HWO 공정을 거친 기판은 매끄러운 표면과 패시베이션 영향으로 기판의 소수 반송자 수명이 증가하며, 태양전지 제작시 접촉저항을 감소시켜 효율을 증가 시킬수 있다. HWO 공정은 반응조 안의 DI water 온도와 반응 시간에 따라 life-time을 측정하여 진행하였으며, 이후 PE-CVD법으로 증착된 a-Si:H layer 및 투명전도 산화막, 금속전극을 증착하여 실리콘 이종접합 태양전지를 제작하였다.
With fast advancement of fine machineries and semiconductor industries in recent decades, the ultra-cleaning of organic chemicals, submicron particles from contaminated unit equipments and products such as silicon wafers becomes one of the most important steps for further advancement of such industries. To date, two kinds of ultra cleaning techniques are used; one is the wet-cleaning and the other is the dry cleaning. In case of wet cleaning, removal of organic contaminants and submicron particles is made by DIW with additives such as $H_2O_2$, $H_2SO_4$, HCl, $NH_4OH$ and HF, etc. While the wet cleaning method is most widely adopted for various occasions, it is inevitable to discharge significant amount of toxic waste waters in environment. Dry cleaning is an alternative method to mitigate environmental pollution of the wet cleaning with maintaining comparable degree of cleaning to the wet cleaning. Although there are various concept of dry cleaning have been devised, the dry cleaning with environmentally-benign solvent such as carbon dioxide proven to show high degree of cleaning from the contaminated porous surface as well as from the bare surface. Thus, special global attention has been placing on this technique since it has important advantages of simple process schemes and no environmentally concern, etc. Thus, this article critically reviews the state-of-the-art of the supercritical fluid drying with emphasis on the thermo-physical characteristics of the supercritical solvent, environmental gains compared to other dry cleaning methods, and the generic aspects of the basic design and processing engineering.
Objective: This study was conducted to evaluate the effect of probiotics (Bacillus subtilis and Enterococcus faecium) and xylo-oligosaccharide (XOS) supplementation on growth performance, nutrient digestibility, serum profiles, intestinal health, fecal microbiota and noxious gas emission in weanling pigs. Methods: A total of 240 weanling pigs ([Yorkshire${\times}$Landrace]${\times}$Duroc) with an average body weight (BW) of $6.3{\pm}0.15kg$ were used in this 28-day trial. Pigs were randomly allocated in 1 of the following 4 dietary treatments in a $2{\times}2$ factorial arrangement with 2 levels of probiotics (0 and 500 mg/kg probiotics) and XOS (0 and 200 mg/kg XOS) based on the BW and sex. Results: Administration of probiotics or XOS improved average daily gain (p<0.05) during 0 to 14 d and the overall period, while pigs that were treated with XOS had a greater average daily gain and feed efficiency (p<0.05) compared with unsupplemented treatments throughout 15 to 28 d and the whole experiment. Either probiotics or XOS treatments increased the apparent total tract digestibility of nutrients (p<0.05) during 0 to 14 d. No effects on serum profiles were observed among treatments. The XOS increased villus height: crypt depth ratio in jejunum (p<0.05). The supplementation of probiotics (500 mg/kg) or XOS (200 mg/kg) alone improved the apparent total tract digestibility of dry matter, nitrogen and gross energy on d 14, the activity of trypsin and decreased fecal NH3 concentration (p<0.05). Administration of XOS decreased fecal Escherichia coli counts (p<0.05), while increased lactobacilli (p<0.05) on d 14. There was no interaction between dietary supplementation of probiotics and XOS. Conclusion: Inclusion of XOS at 200 mg/kg or probiotics (Bacillus subtilis and Enterococcus faecium) at 500 mg/kg in diets containing no antibiotics significantly improved the growth performance of weanling pigs. Once XOS is supplemented, further providing of probiotics is not needed since it exerts little additional effects.
Park, Jae-Young;Yi, Wook-Yeol;Hyung, Yong-Woo;Nam, Seok-Woo;Lee, Hyeon-Deok;Song, Chang-Lyong;Kang, Ho-Kyu;Roh, Yong-Han
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.247-251
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2004
반도체 소자의 제조에 있어 실리콘 표면에 성장한 자연산화막을 제거하기 위해 일반적으로 습식 세정 기술이 이용되어 왔다. 하지만 소자의 최소 선폭(design rule)이 nano급으로 고집적화 됨에 따라 contact hole 바닥의 자연산화막을 깨끗이 제거하는데 있어서 그 한계를 나타나고 있다. 이에 대한 효과적인 대안 공정으로 가스 건식 세정 기술이 연구되고 있다. 본 논문에서는 한 번에 50매 이상의 웨이퍼를 처리함으로써 생산성 측면에서 월등한 배치식 설비에서 원거리 플라즈마(remote plasma) 장치에서 2.450Hz의 마이크로웨이브(${\mu}$-wave)에 의해 형성시킨 수소라디칼과 $NF_3$ 가스를 이용하여 실리콘에 결함을 주지 않고 자연산화막을 선택적으로 제거하는 공정에 대해 고찰하였다. AFM을 이용한 표면분석, TEM을 이용한 물성분석, 그리고 ToF-SIMS 및 XPS를 이용한 화학 분석을 습식 및 건식 세정을 비교 평가한 결과, 건식 세정 공정이 실리콘 표면에 결함을 주지 않고 자연산화막을 제거 할 수 있음을 확인하였다. 산화막$(SiO_2)$, 질화막$(Si_3N_4)$, 그리고 다결정 실리콘(Poly-Si) 등의 각 막질별 식각 특성을 고찰하였으며, $NH_3$의 캐리어 가스인 $N_2$의 주입량을 조절함으로써 수소라디칼 형성 효율의 개선이 가능하였으며, 이로부터 게이트와 소스/드레인 사이를 절연하기 위해 이용되는 질화막의 식각 선택비를 2배 정도 개선할 수 있었다. nano급 소자에 실장하여 평가한 결과에서 불산(HF)에 의한 습식 세정 방식에 비하여 약 $20{\sim}50%$ 정도의 contact 저항 감소 효과가 있음이 확인되었다.두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.epsilon}_0=1345$의 빼어난 압전 및 유전특성과 $330^{\circ}C$의 높은 $T_c$를 보였고 그 조성의 vibration velocity는 약4.5 m/s로 나타났다.한 관심이 높아지고 있다. 그러나 고 자장 영상에서의 rf field 에 의한 SAR 증가는 중요한 제한 요소로 부각되고 있다. 나선주사영상은 SAR 문제가 근원적으로 발생하지 않고, EPI에 비하여 하드웨어 요구 조건이 낮아 고 자장에서의 고속영상방법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기법에 의해서 개선되었다. 답이 없는 문제, 문제 만들기, 일반화가 가능한 문제 등으로 보고, 수학적 창의성 중 특히 확산적 사고에 초점을 맞추어 개방형 문제가 확
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[게시일 2004년 10월 1일]
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