• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제4권2호
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• pp.39-43
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• 2005

In the study, in order to deposit TaN thin film for diffusion barrier and bottom electrode we made the Plasma Assisted ALD equipment and confirmed the electrical characteristics of TaN thin films grown PAALD method. Plasma Assisted ALD equipment depositing TaN thin film using PEMAT(pentakis(ethylmethlyamino) tantalum) precursor and NH3 reaction gas is shown that TaN thin film deposited high density and amorphous phase with XRD measurement. The degree of diffusion and reaction taking place in Cu/TaN (deposited using 150W PAALD)/$SiO_{2}$/Si systems with increasing annealing temperature was estimated for MOS capacitor property and the $SiO_{2}$, (600${\AA}$)/Si system surface analysis by C-V measurement and secondary ion material spectrometer (SIMS) after Cu/TaN/$SiO_{2}$ (400 ${\AA}$) layer etching. TaN thin film deposited PAALD method diffusion barrier have a good diffusion barrier property up to 500$^{\circ}C$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.8.2-8.2
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• 2009

구리(Cu)-인듐(In)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se)의 4 원소 화합물 반도체인 Cu(InGa)$Se_2$ (CIGS) 태양전지 세계 최고 셀효율은 2008년 현재 19.9% 로서 박막형 태양전지 중 가장 높은 효율을 보이고 있다. 이는 다결정(폴리) 실리콘 태양전지의 20.3%와 대등한 수준이다. 이 CIGS 태양전지는 제조단가를 표준 결정형 실리콘 태양전지 대비 50% 대로 획기적으로 낮출 수 있어 가장 경쟁력이 있는 차세대 재료로 꼽히고 있다. 본 연구에서는 CIGS태양전지를 고진공 물리 증작법으로 제작하였으며 표면과 박막의 순도를 외부오염을 방지하기 위하여 후면전극, 광흡수체 및 전면전극을 동일 진공에서 제작할 수 있는 멀티 챔버 클러스터 증착 시스템을 이용하였다. 기판으로 소다라 임유리, 후면전극으로 Mo, 전면전극으로 I-ZnO/Al:ZnO 및 ITO를 이용하였다. 버퍼층으로 CdS를 chemical bath deposition (CBD)를 이용하였다. 소자는 무반사막을 사용하지 않고 Al/Ni전극 그리드를 이용하였다. 이 소자로부터 0.22 $cm^2$에서 16%의 효율을 얻었다. 각 박막층 간 계면의 분석을 전기적인 특성, ellisometry에 의한 광특성, 표면과 결정성에 대한 SEM 및 XRD의 특성을 보고한다. 또한, 대표적 화합물 반도체 박막 태양전지인 CIGS 태양전지의 기술의 현황, 학문적인 과제 및 실용화의 문제점을 발표하기로 한다.

• 한국재료학회지
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• 제7권2호
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• pp.102-106
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• 1997

박막형 접촉연소식을 포함한 마이크로 가스센서에서 membrane은 Si식각시 식각정지용으로서 또 센서 소자를 지지하는 층으로서 응력이 없어야 하며 이는 응력이 membrane파괴의 주 원인으로 작용하기 때문이다. 이에 따라 본 연구에서는 증착조건이 low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)법과 sputtering법으로 제작된 $SiN_{x}$과 $SiN_{x}/SiO_{x}/(NON)$막의 응력고 굴절율 변화에 미치는 효과에 대한 실험을 행하였다. LPCVD의 경우 단일막인 $SiN_{x}$의 압축응력 및 굴절율을 나타내었다. Sputtering의 경우 $SiN_{x}$는 공정압력이 1mtorr에서 30torr까지 증가할수록 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 응력값은 압축에서 인장으로 전환되었으며 본 실험에서 응력이 가장 낮게 나온 시편의경우 압축응력으로 $1.2{\times}10^{9}dyne/cm^2$가 공정압력 10mtorr, 인가전력밀도 $1.37W/cm^2$에서 얻어졌다. 굴절율은 공정압력이 1motorr에서 30motorr까지 증가할수혹 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 감소하여 2.05에서 1.89의 변화를 보였다. LPCVD와 sputtering으로 증착된 막들은 모두 온도가 증가함에 따라 응력이 감소하였으며 온도감소시 소성적인 특성을 나타내었다.

• 대한화학회지
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• 제39권5호
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• pp.344-349
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• 1995

(d I)-2-Benzyl-4-ethyl-ester-5-(p-methylphenyl)-3H,5H,6H-1,2,6-thiadiazine-1,1-dioxide의 결정 및 분자구조를 단결정 X-선 회절법을 이용하여 해석하였다. 결정은 단사정계에 해당하고 공간군은 $P2_1$이며, 단위세포 상수는 $a=8.756(8)\AA$, $b=25.757(2)\AA$, $c=8.628(1)\AA$, $\beta=99.15(4)^{\circ}$이었다. 기타 다른 변수값은 V= 1,921(2) ${\AA}^3$, $T=298^{\circ}K$, $D_C=1.336\;g/cm^3$, ${\mu}=1.54\;cm^{-1}$ 및 Z=4이다. $3{\sigma}(Fο)$ 이상인 2049개의 독립회절반점에 대한 최종 신뢰도 R값은 0.051이었다. 단위세포내에는 결정학적으로 비대칭성인 2개의 독립된 분자가 존재한다. 슬폰기의 배열은 다소 왜곡된 정사면체 구조를 나타내며, N(6)와 N(6')는 각각의 thiadiazine 고리의 최소 자승면으로부터 상당히 이탈된 사실을 알 수 있다. 결정내에서 분자들간에는 2개의 N-H---O형 분자간 수소결합과 van der Waals 힘으로 결합되어 있다.

• 한국해양공학회지
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• 제5권2호
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• pp.207-207
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• 1991

The crack length measurements by electrical potential(EP) method for 1% Cr-Mo-V and 12%Cr steel of 0.5T-CT specimen were performed at $500^{\circ}C, 600^{\circ}C 700^{\circ}C$, and an applicability of stress intensity factor($K_I$), net section stress($\sigma_{net}$), $C^*$-ingegral and $C_t$ parameter was studied to measure creep crack growth rate(da/dt) with side groove and without side groove under static and cyclic loading condition. The experimental result could be summarized as follows: 1) Crack measurement by EP method was available and coincided with the Johnson,s analytical equation. 2) da/dt by $K_I$ and $\sigma_{net}$ was not adequate because of the wide scatter band according to load and temperature, but $C^*$-integral, except for transition region, was adequate. 3) $C_t$ parameter showed the best fitted line through total creep region without relating with both temperature and load condition. 4) Under the cyclic loading condition, $C_t$ parameter was proper to extimate da/dt. And it was shown that da/dt for 1% Cr-Mo V steel under the static condition(R=1) was 1.16 times faster than the case under cyclic loading(R=0), and for 12% Cr steel, 1.43 times.

• 한국해양공학회지
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• 제5권2호
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• pp.67-75
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• 1991

The crack length measurements by electrical potential(EP) method for 1% Cr-Mo-V and 12%Cr steel of 0.5T-CT specimen were performed at $500^{\circ}C, 600^{\circ}C 700^{\circ}C$, and an applicability of stress intensity factor($K_I$), net section stress($\sigma_{net}$), $C^*$-ingegral and $C_t$ parameter was studied to measure creep crack growth rate(da/dt) with side groove and without side groove under static and cyclic loading condition. The experimental result could be summarized as follows: 1) Crack measurement by EP method was available and coincided with the Johnson, s analytical equation. 2) da/dt by $K_I$ and $\sigma_{net}$ was not adequate because of the wide scatter band according to load and temperature, but $C^*$-integral, except for transition region, was adequate. 3) $C_t$ parameter showed the best fitted line through total creep region without relating with both temperature and load condition. 4) Under the cyclic loading condition, $C_t$ parameter was proper to extimate da/dt. And it was shown that da/dt for 1% Cr-Mo V steel under the static condition(R=1) was 1.16 times faster than the case under cyclic loading(R=0), and for 12% Cr steel, 1.43 times.

• The Plant Pathology Journal
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• 제21권4호
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• pp.349-354
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• 2005

A virus isolate collected from infected paprika (Capsicum annuum var. grossum) was characterized as Potato virus Y (PVY) based on biological, serological, cytopathological, and molecular properties. In host range studies, the paprika isolate produced the mosaic symptom on some tobacco, tomato and pepper (Capsicum annuum). A new paprika isolate also infected potato cultivars which is different biological characteristic compared to the other popular potyvirus infecting paprika, Pepper mottle virus (PepMoV). Previously reported PVY strains, $PVY^o$ and $PVY^N$ did not infect pepper and typical PepMoV isolates did not infect potato. Distinctive inclusion patterns of the scroll, pinwheel, long laminated inclusions, and helper components in the cytoplasm of infected cells were also different to those observed by the typical PVY isolate infections. However, the paprika isolate reacted to the monoclonal antibody of $PVY^N$ strain with high absorbance readings. RT-PCR amplification, cloning, and sequencing of the 3' untranslated region and a part of coat protein gene also added additional evidence of the paprika isolate as the $PVY^N$-related isolate. Multiple alignments as well as cluster dendrograms of PVY-paprika isolate revealed close phylogenetic relationship to the $PVY^N$ subgroup. Altogether, these results suggest that a new PVY isolate infecting paprika contained distinct characteristics compared to the other previously described PVY strains with closer relationship to the $PVY^N$ strain.

• 한국토양비료학회지
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• 제43권4호
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• pp.458-465
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• 2010

가축분 퇴비 시용 수준에 따른 수수${\times}$수단그라스 ($S{\times}S$ hybrid)의 수량 및 양분 (N, P)흡수 변이를 조사하기 위해 전남대학교 부속 농장 초지에서 3반복 난괴법으로 실험을 실시하였다. 6개 처리 (무비구, 화학비료관행구, 퇴비 1, 2, 4, 6 수준)를 두었는데, 화학비료관행구의 비료 처리량은 질소 20 g N $m^{-2}$과 인산 20 g $P_2O_5\;m^{-2}$이고, 가축분 퇴비는 6 수준을 기준시비량 (20.2 g N $m^{-2}$과 21.6 g $P_2O_5\;m^{-2}$)으로 두고 퇴비 1, 2, 4 수준은 그 비율대로 감비하였다. 처리 90일 후 최종 지상부 건물중과 양분 (N, P) 흡수량을 조사하였다. 화학비료 처리구의 건물중 (2.4 kg $m^{-2}$)과 질소 (38.3 g N $m^{-2}$) 및 인산 (15.3 g $P_2O^5\;m^{-2}$) 흡수량이 가장 높았으며, 퇴비 시용량이 증가함에 따라 건물중과 양분 흡수량이 증가하는 경향을 보였다 (P<0.01). 하지만, 퇴비 4와 6 수준의 건물중은 각각 1.9 kg $m^{-2}$과 1.8 kg $m^{-2}$으로 차이가 없었다. 따라서, 가축분 퇴비 단독 시비로는 화학비료와 대등한 건물 생산이 어려울 것으로 판단되었다. 양분흡수효율 분석 결과에 의하면 퇴비의 인산흡수 효율이 화학비료보다 높았기 때문에, 퇴비를 인산 급원으로 시용하고 부족한 질소는 농가의 비료자원 수급 가능성과 목표 수량을 고려하여 액비, 화학비료, 녹비 등으로 공급하는 것이 적절한 시비 전략으로 판단된다.

• 자원환경지질
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• 제56권3호
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• pp.239-257
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• 2023

상동 텅스텐(W)-몰리브덴(Mo) 광산은 태백산 광화대에 위치하는 스카른 광상으로, 광화 작용 최후기에 수직적 분포양상을 보이는 회중석-석영맥을 산출한다. 본 연구에서는 이 석영맥의 조직 관찰과 LA-ICPMS를 통한 석영의 미량원소 함량 분석을 통해 석영맥을 형성한 유체의 조성 및 이들의 침전 기작에 대해 파악하고자 하였다. 석영맥 조직 관찰 결과, 상동광산의 상반맥과 하반맥에서는 각각 괴상조직과 신장형 괴상조직이 주로 발달하고, 본맥에서는 두가지 조직이 모두 관찰된다. 이러한 석영맥의 조직적 특징으로 볼 때, 괴상조직을 나타내는 상반맥의 석영맥은 맥상스카른 형성 단계에서 화성암체의 H₂O 포화로 인한 수압 파쇄작용들 중 초기에 발생한 작용에 의해 침전되었고, 신장형 괴상조직을 나타내는 본맥과 하반맥의 석영맥은 상반맥의 석영맥 형성 이후 발생한 반복적 수압파쇄작용에 의해 형성된 것으로 생각된다. 석영의 미량원소 분석 결과 대부분 Li⁺ +Al³⁺↔Si⁴⁺의 치환관계를 만족하지만, 하반맥에서는 Li⁺이 우세하게 치환되는 경우와, Na⁺과 K⁺이 우세하게 치환되는 경우로 뚜렷하게 구분된다. 이는 하반맥의 신장형 괴상조직에 기반하여, 서로 다른 조성을 가지는 유체의 반복적 유입에 의한 결과로 해석된다. 석영의 Ti 함량은 상반맥, 본맥, 그리고 하반맥에서 각각 평균 28.6, 8.2, 그리고 15.7 ppm이며, 침전온도와 Ti 함량이 비례관계를 가진다는 점에서, 상반맥의 석영맥이 가장 고온환경에서 침전된 것으로 고려된다. 유체의 pH와 반비례관계를 가지는 석영의 Al 함량은 상반맥, 본맥, 그리고 하반맥에서 각각 평균 162.3, 114.2, 그리고 182.5 ppm으로 큰 차이를 보이지 않으며, 타 열수 광산들의 석영과 비교하여 매우 낮은 함량을 나타낸다. 이는 상동광산의 석영맥을 구성하는 석영 및 회중석이 약산성 내지 중성의 비교적 일정한 pH조건에서 침전되었음을 지시한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.182.1-182.1
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• 2015

Transparent conducting oxides (TCOs)는 높은 투과율과 낮은 전기전도도를 갖고 있어 광다이오드, 태양전지 등 광소자에 적용하기 위해 많은 연구가 진행되어 왔다. 특히 Indium oxide 계열의 박막은 TCO 물질 중 하나로서 3.6 eV 의 wide bandgap을 가지고 있고, 높은 투과율과 낮은 전기 전도도 (< $10-3{\Omega}cm$)를 보여 다양한 응용이 가능해 오랫동안 연구 되어 지고 있다. 게다가 Indium oxide 계열의 박막은 낮은 가격과 화학적 안정성, 공정과정의 편의성 등 다양한 이점을 가지고 있어서 현재는 더 낮은 가격으로 생성해 더 높은 효율을 만드는데 관심이 집중되고 있다. 이러한 박막은 태양광 흡수층에서 생성되는 캐리어의 이동 및 외부 전극과의 접촉에서 발생하는 손실을 줄이기 위한 전극용 소재로 연구되어지고 있다. 본 연구에서는 Indium Molybdenum Oxide 박막을 Indium oxide와 Molybdenum 타겟을 이용하여 co-sputtering 방법으로 증착하였다. Indium molybdenum oxide 박막은 일정한 Mo 도핑농도와 일정한 Ar 개스 분압에서 다양한 기판온도 변화를 통해 증착하였다. 제작된 Indium molybdenum oxide 박막은 Hall Effect Measurement, Ultraviolet-Visible spectroscopy 및 X-Ray Diffraction (XRD) 등을 분석해 기판의 온도변화에 따른 전기비저항 및 광 투과도의 특성변화를 조사하였다.