• 제목/요약/키워드: $MnO_x$

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페로브스카이트 망간산화물 $La{1-x}Ba_xMnO_3(0\leq \chi \leq1)$의 자기적, 전기적 특성 (Magnetic and Electric Properties of Perovskite Manganite $La{1-x}Ba_xMnO_3(0\leqx\leq1)$)

  • 남윤성;이재은;신현수;주홍렬
    • 한국자기학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.133-138
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    • 2000
  • 최초의 상온 초거대 자기저항(colossal magnetoresistance)효과 물질인 망간 산화물$La_{1-x}Ba_{x}MnO_3(0\leq\chi\leq$1) 에 대한 결정학적, 자기적, 전기적 성질들을 온도 및 자기장의 함수$5\;K\leqT\leq360\;K,\;-7\;T\leqH\leq7\;T)$로 정밀 조사하였다. $La_{1-x}Ba_{x}MnO_3$는 x<1/2 일 때는 x에 의존하는 구조를 가진 단일상(single phase)의 강자성, $x\geq1/2$ 일 때는 화학적, 자기적 상분리에 의한 강자성과 비강자성 복합상(multi phase)을 가지는 것으로 나타났다. 강자성 전이 온도(Tc)는 x=1/3이 될 때까지 꾸준히 증가하였고 x>1/3 일 때 일정한 값 Tc(340 K)을 가졌다. 또 포화 자화값(Ms)은 x=1/8이 될 때까지 증가하였고 $1/8\leqx<1/2$에서는 이론적인 최대값을 가지고$x\geq1/2$ 에서는 자기적 상분리에 의해 감소하였다. 또 $La_{1-x}Ba_{x}MnO_3$$1/4\leqx<1/2$에서 금속성을 가졌다. 특히 $x\geq1/2$인 시료는 화학적, 자기적 상분리로 인하여 스미기 형태(percolation type)의 저항 온도 의존성 및 큰 저자기장 자기 저항 효과를 보였다.

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Development of Continuous Galvanization-compatible Martensitic Steel

  • Gong, Y.F.;Song, T.J.;Kim, Han S.;Kwak, J.H.;De Cooman, B.C.
    • Corrosion Science and Technology
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    • 제11권1호
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    • pp.1-8
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    • 2012
  • The development of martensitic grades which can be processed in continuous galvanizing lines requires the reduction of the oxides formed on the steel during the hot dip process. This reduction mechanism was investigated in detail by means of High Resolution Transmission Electron Microscopy (HR-TEM) of cross-sectional samples. Annealing of a martensitic steel in a 10% $H_2+N_2$ atmosphere with the dew point of $-35^{\circ}C$ resulted in the formation of a thin $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxide film and amorphous $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ oxide particles on the surface. During the hot dip galvanizing in Zn-0.13%Al, the thin $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxide film was reduced by the Al. The $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ (x<0.9) and $a-SiO_{2}$ oxides however remained embedded in the Zn coating close to the steel/coating interface. No $Fe_{2}Al_{5-X}Zn_{X}$ inhibition layer formation was observed. During hot dip galvanizing in Zn-0.20%Al, the $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxide film was also reduced and the amorphous $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ and $a-SiO_{2}$ particles were embedded in the $Fe_{2}Al_{5-X}Zn_{X}$ inhibition layer formed at the steel/coating interface during hot dipping. The results clearly show that Al in the liquid Zn bath can reduce the crystalline $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxides but not the amorphous $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ (x<0.9) and $a-SiO_{2}$ oxides. These oxides remain embedded in the Zn layer or in the inhibition layer, making it possible to apply a Zn or Zn-alloy coating on martensitic steel by hot dipping. The hot dipping process was also found to deteriorate the mechanical properties, independently of the Zn bath composition.

졸-겔 방법을 이용하여 제작된 (Mn, Cr)xCo1-xFe2O4 박막의 구조적, 자기적 특성 (Structural and Magnetic Properties of (Mn, Cr)xCo1-xFe2O4 Thin Films Prepared by Sol-gel Method)

  • 김광주;김희경;박영란;박재윤
    • 한국자기학회지
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    • 제16권1호
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    • pp.23-27
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    • 2006
  • 역스피넬 산화물 $CoFe_2O_4$에서 Co를 Mn 또는 Cr클 치환하여 얻어지는 $Mn_xCo_{1-x}Fe_2O_4$$Cr_xCo_{1-x}Fe_2P_4$ 박막시료 들을 졸-겔 방법을 이용하여 제작하고 그 구조적, 자기적 특성들을 비교분석 하였다. X-ray diffraction 측정 결과, Mn 치환의 경우는 치환량의 증가에 따라 격자상수가 증가하였지만 Cr치환의 경우는 격자상수가 거의 변화하지 않음이 관측되었다. 이와 같은 결과는 Mn 치환의 경우 팔면체 자리의 Co이온과 같은 원자가 +2를 가지게 되는 것으로 설명 가능하며 Cr치환의 경우는 +3을 가지게 되어 같은 양의 $Fe^{3+}$이온들의 $Fe^{2+}$로의 환원이 발생하는 것으로 설명되어질 수 있다. $Cr_Co_{1-x}Fe_2O_4$박막들에 대한 Mossbauer 스펙트럼 측정 결과 사면체 자리에 $Fe^{2+}$이온의 존재가 관측되었으며 이는 $Cr^{3+}$이온의 팔면체 자리 치환에 의하여 야기되는 사면체 자리의 $Fe^{3+}{\rightarrow}Fe^{2+}$ 환원에 의한 것으로 해석된다. 반면에 $Mn_xCo_{1-x}Fe_2O_4$ 박막들에 대한 Mossbauer스펙트럼 측정 결과, $Fe^{2+}$ 이온의 존재는 관측되지 않았으며 Mn 치환량이 큰 경우 (>0.47)팔면체 자리의 $Fe^{3+}$이온들의 사면체 자리로의 이동이 관측되었다. 박막들에 대한 진동시료자화(vibrating sample magnetometry)측정 결과, Mn, Cr 치환의 경우 모두 $CoFe_2O_4$와 비교하여 포화자화량이 증가함이 나타났으며 치환에 관여한 이온들 간의 스핀 자기 능률 크기의 비교를 통하여 그 정성적인 설명이 가능하다.

분자궤도계산법에 의한 $\beta$-$MnO_2$의 전자상태 및 화학결합 계산 (Calculation on Electronic State and Chemical Bonding of $\beta$-$MnO_2$ by DV-X$\alpha$ Method)

  • 이동윤;김봉서;송재성;김현식
    • 한국결정학회지
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    • 제14권1호
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    • pp.16-23
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    • 2003
  • β-MnO₂ 전자상태와 화학결합을 하트리-폭-슬레이터 근사를 사용하는 제 1원리 분자 궤도법의 일종인 DV-X/sub α/ 법에 의해 이론적으로 조사하였다. 벌크상의 β-MnO₂에 대한 상태를 해석하기에 적합한 클러스터 모델을 결정하기 위하여, 여러 가지 다른 크기를 지닌 수종의 클러스터 모델들에 대한 계산을 행하였다. 실험적으로 측정된 XPS와 이론적으로 계산된 XPS를 비교함으로써, Mn/sub 15/O/sub 56/ 모델이 β-MnO₂의 전자 상태와 화학 결합을 계산하기에 가장 적합한 모델임을 결정하였다. 이 모델을 사용하여 에너지 준위, 상태 밀도, 유효 공유 결합 전하, 유효 전하, 전자 밀도 분포를 구하고, 이에 대한 고찰을 행하였다.

$LaMnO_3$ 의 첨가가 PZT의 소결현상 및 전기적 기계적 성질에 미치는 영향 (The Effect of $LaMnO_3$ Addition on Sintering Phenomena and Electro-mechanical Properties of PZT)

  • 김현준;주웅길
    • 한국세라믹학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.80-88
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    • 1980
  • The sintering phenomena and piezoelectric properties of PZT ceramics of composition $Pb(Zr_{0.54} Ti_{0.46})O_3$ were investigated when a small quantity of $La_2O_3$ , $LaMnO_3$, $LaCrO_3$ were added. The unwanted chemical composition change in PZT during sinterin porces du to PbO evaporation poses a severe problem in PZt manufacturinig. It is observed tat an addition of small amount of $LaMnO_3$ to PZT markedly decreases the evaporation of PbO during sintering . The green compact of (1-x) PZT.xLaMnO3(x=0.02~0.10) could be sintered of under O2 atmosphere alone with no significant loss of PbO. The planar coupling factor kp of the sintered $0.98Pb(Zr_{0.54} Ti_{0.46})O_{3.0.02}LaMnO}3$ is similar to that of commercial PZT 6A. Microstructure investigation shows that part of sintering process of $Pb(Zr, Ti)O_3$.$LaMnO_3$ system progresses via liquid phase sintering. It is believed that the evaporation of PbO in PZT sintering is restricted by the addition of $LaMnO_3$ due to the above phenomena. Furthermore the solid solution of $LaMnO_3$ in PZT causes diffuses phase transition.

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$(1-x)(Sr_a.Pb_b.Ca_c)TiO_3-xB_i2O_3.TiO_2$계에서의 $Bi_2O_3.3TiO_2$$MnO_2$첨가에 따른 유전특성에 관한 연구 (The Dielectrical Properties of $(1-x)(Sr_a.Pb_b.Ca_c)TiO_3-xB_i2O_3.TiO_2$ system affected by $Bi_2O_3.3TiO_2$ amounts and $MnO_2$)

  • 박상도;이응상
    • 한국세라믹학회지
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    • 제34권2호
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    • pp.123-130
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    • 1997
  • 본 연구에서는 유전상수가 크고, 유전체 손실이 적으며, 사용온도 범위에서 정전용량 변화율(TCC : tem-perature coefficient of capacitance)이 작고, 고압에 견딜 수 있는 재료를 개발하기 위하여 중고압용 capacitance의 기본재료로써 (Sr.Pb.Ca)TiO3-xBi2O3.3TiO2 계에서 Bi2O3.3TiO2의 mol.%를 5, 6, 7, 8, 9 mol.%로 변화시켰으며, 그 결과 고용한계 함량이 6mol.%이며, 6mol.%이상에서는 침상구조의 증가에 기인하여 유전율이 다시 감소하는 경향을 보였다. dopant로써 SiO2, Nb2O3, MnO2를 선정하여 첨가한 결과, MnO2를 첨가한 것이 유전성질이 가장 우수하였으며, MnO2의 함량이 0, 0.15, 0.3, 0.45 wt.% 증가함에 따라서 유전율의 감소와 동시에, TOC특성의 급격한 향상을 가져왔다.

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액상반응법으로 제조한 $\textrm{Zn}_2\textrm{SiO}_4$:Mn 녹색 형광체의 발광특성 (Photoluminescent Properties of $\textrm{Zn}_2\textrm{SiO}_4$:Mn Green Phosphors Prepared by the Solution Reaction Method)

  • 박응석;장호정;조태환
    • 한국재료학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.46-50
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    • 1999
  • 액상반응법에 의해 $\textrm{Zn}_{2-x}\textrm{Mn}_{x}\textrm{SiO}_{4}$ 녹색 형광체를 합성한 후 소성온도($900^{\circ}C$-$1200^{\circ}C$) 및 Mn 활성제 농도(x=0.01~0.20)에 따른 발광특성과 결정특성을 조사하였다. 147nm와 254nm 여기원을 사용한 경우 형광체의 소성온도가 $900^{\circ}C$에서 $1200^{\circ}C$로 증가함에 따라 상대발광피크강도는 약 4배 이상 크게 증가하였다. XRD 분석결과 $1100^{\circ}C$이상의 소성온도에서 $\textrm{Zn}_{2}\textrm{SiO}_{4}$:Mn 녹색 형광체에서 나타나는 전형적인 willemite 결정구조를 보여주었다. $1200^{\circ}C$의 온도로 소성된 $\textrm{Zn}_{2-x}\textrm{Mn}_{x}\textrm{SiO}_{4}$형광체 시료의 경우 147nm 여기원에서 Mn 활성제 농도가 x=0.02에서 최대 발광강도를 나타내었으며 x=0.10 이상에서 발광강도가 급격히 저하하는 농도 칭 현상이 나타났다. SEM 분석결과 형광체 입자는 구형에 가까운 형상을 보여주었으며 $1200^{\circ}C$에서 소성된 형광체 입자크기는 약 2~3$\mu\textrm{m}$이었다.EX>이었다.

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Ni-Mn-Co-Fe 산화물 후막 NTC 서미스터의 제조 및 전기적 특성 (Fabrication and Electrical Properties of Ni-Mn-Co-Fe Oxide Thick Film NTC Thermistors)

  • 박경순;방대영;윤성진;최병현
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권10호
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    • pp.912-918
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    • 2002
  • 스크린 인쇄법을 이용하여 알루미나 기판위에 Ni-Mn-Co-Fe 산화물 후막을 코팅하였다. 후막의 조성과 소성온도를 변화시키며 미세구조와 전기적 특성을 연구하였다. 1150${\circ}C$에서 소성한 시편의 경우 모든 구성 원소가 후막에 균일하게 분포되어 있었다. 그러나, 1200${\circ}C$와 1225${\circ}C$에서 소성한 시편의 경우 Co 원소는 후막에 균일하게 분포되어 있으나 Mn, Ni 및 Fe 원소는 불균일하게 분포되어 있어 Mn 원소의 농도가 큰 영역과 Ni과 Fe 원소의 농도가 큰 영역이 존재하였다. 제조한 모든 후막 NTC 서미스터는 NTC 서미스터의 특성인 로그 저항(log R)과 온도의 역수(1/T) 사이에서 직선적인 관계를 보였다. $(Ni_{1.0}Mn_{1.0}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${\le}$x${\le}$1.0)와 $(Ni_{0.75}Mn_{1.25}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${\le}$x${\le}$0.75) 서미스터의 저항, B 정수 및 활성화 에너지는 Fe2O3 함량이 증가함에 따라 증가하였다.

Electrical Properties of ZnxMn3-xO4 Ceramics for Application as IR Detectors

  • Kim, Kyeong-Min;Lee, Sung-Gap;Lee, Dong-Jin
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제17권4호
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    • pp.227-230
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    • 2016
  • ZnxMn3-xO4 (0.95≤x≤1.20) specimens were prepared using a conventional solid state reaction method. All specimens were sintered in air at 1,200℃ for 12 h, cooled at a rate of 2℃/min to 800℃, and subsequently quenched to room temperature. We investigated the electrical properties of ZnxMn3-xO4 specimens with various amounts of ZnO for use as IR detectors. At a composition of x≥1.15, the ZnO phase precipitates beside the spinel structure. The electrical resistivity at room temperature, activation energy, responsivity, and detectivity of a Zn1.10Mn1.90O4 specimen are 653.2 kΩ-cm, 0.392 eV, 0.016 V/W, and 7.52×103 cmHz1/2/W, respectively.