• 동력기계공학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.44-48
• /
• 2003

Alumium alloys casting are gaining increased acceptance in the automotive and electronic industeries and squeeze casting is the most efficient method of manufacturing such mass produced parts. This study has been investigated the microstructures and mechanical properties of Al-7.0Si-0.4Mg(AC4C)alloy fabricated by squeeze casting process for development of Engine Mountain Bracket. The microstructure of squeeze casted specimen were composed of eutectic structure Alumimim solid solution and $Mg_2Si$ precipitates. The tensile strength of as-solid solution treatment Al-7.0Si-0.4Mg alloy revealed 2985MPa. It was found that Al-7.0Si-0.4Mg alloy have good aging hardening effect results are presented to show the validity of the control method.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.183-183
• /
• 1999

The phases and interface formation of MgF2 on Si(111) were studied by using LEED, AES, and TPD. When thick MgF2 film was deposited on the Si(111) surface at RT뭉 annealed at higher temperatures, a sequence of LEED patterns (no LEED pattern $\longrightarrow$1$\times$1$\longrightarrow$3$\times$1$\longrightarrow$7$\times$7) was observed. On the 1$\times$1 model in which Mg adsorbs on T4 site and F on H3 site could explain the simultaneous desorption of SiF2 and Mg. When thin MgF2 film was deposited, and initial $\alpha$-$\times$1 phase transforms to 3$\times$3 and $\beta$-1$\times$1 by thermal annealing with a slow evaporation of F and diffusion of Mg into the surface. the 3$\times$3 surface changes to ${\gamma}$-1$\times$1 by the selective desorptioon of F under e-beam irradiation and subsesquently to a Mg-induced {{{{ SQRT { 3} }}}} structure by annealing at $600^{\circ}C$.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제42권3호
• /
• pp.145-149
• /
• 2005

[ $Eu^{2+}$ ]-activated barium magnesium silicate phosphor, $(Ba,Ca)_{3}MgSi_{2}O_{8}:Eu_{x}$, has been known to emit blue-green light. In this study we report the manufacturing processes for producing either pure green or pure blue light-emitting phosphor from the same composition of $Ba_{2-x}Ca_{2}CaMgSi_{2}O_{8}:Eu_{x}$ (0 < x < 1) by controlling heat treatment conditions. Green light emitting phosphor of $Ba_{1.9}CaMgSi_{2}O_{8}:Eu_{0.1}$ can be produced under the sample preparation condition of highly reducing atmosphere of $23\%\;H_2/77\%\;N_2$, while blue or blue-green light emitting phosphor under reducing atmosphere of $5\~20\%\;H_2\;/\;95\~80\%$ N_2. The green light-emitting phosphors are prepared in two steps: firing at $800\~1000^{\circ}C$ for $2\~5$ h in air then at $1100\~1350^{\circ}C$ for 2-5 h under reducing atmo­sphere $23\%$ $H_2/77\%\;N_2$. The excitation spectrum of the green light-emitting phosphor shows a broadband of $300\~410$ nm. The emission spectrum has a maximum intensity at the wavelength of about 501 nm. The CIE value of green light emission is (0.162, 0.528). The pure blue light-emitting phosphors can be produced using the $Ba{2_x}CaMgSi_{2}O_{8}:Eu_{x}$ by introducing additional firing step at $1150\~1300^{\circ}C$ in air before the final reducing treatment. The XRD analysis shows that the green light-emitting phosphor mainly consisted of $Ba_{1.31}Ca_{0.69}SiO_{4}$ (JCPDS $\#$ 36-1449) and other minor phases i.e., $MgSiO_3$ (JCPDS $\#$ 22-0714) and $Ca_{2}BaMgSi_{2}O_{8}$ (JCPDS $\#$ 31-0128). The blue light-emitting phosphor mainly consisted of $Ca_{2}BaMgSi_{2}O_{8}$ phase.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제24권1호
• /
• pp.39-43
• /
• 1999

최근 개발된 감도가 좋은 LiF:Mg,Cu,Na,Si TL물결을 Teflon과 혼합한 후, 않은 디스크 형태로 압축 성형한 얇은 LiF:Mg,Cu,Na,Si Teflon 검출기를 제작하고 베타선 검출기로서의 TL 반응특성을 연구하였다. 한국원자력연구소의 $^{147}Pm,\;^{204}Tl$ 및 $^{90}Sr/^{90}Y$ 베타선원을 이용하여 두께 $2mg/cm^2$인 Kapton 박막을 덮은 상태로 베타선을 조사하였다. 제작한 않은 LiF:Mg,Cu,Na,Si 검출기들의 $^{137}Cs$에 대한 batch 균질성은 4.7%, 베타선에 대한 선량의존성은 0.1 mGy에서 100 Gy까지 선형성을 나타내고, 에너지의존성은 $^{147}Pm,\;^{204}Tl$ 및 $^{90}Sr/^{90}Y$ 베타선에 대해 각각 0.46, 1.09 및 1.06 이었다. 그리고 베타선에 대한 방향의존성은 $0.93{\pm}0.03\;(^{147}Pm),\;0.94{\pm}0.04\;(^{204}Tl)$ 및 $0.92{\pm}0.05\;(^{90}Sr/^{90}Y)$으로, 이들 얇은 LiF:Mg,Cu,Na,Si 검출기들에 대한 TL 반응특성의 결과는 국제표준기구(ISO)의 베타선량계 기준을 잘 만족하였다.

• 대한화학회지
• /
• 제43권2호
• /
• pp.206-212
• /
• 1999

본 연구의 목적은 기존의 $Zn_2SiO_4:Mn$형광체에 새로운 co-dopant를 첨가하여 발광특성을 향상시키는 것이다. co-dopant로서 선정한 Mg와 Cr이온들은 Zn자리를 치환하는 것으로 알려져 있으며 실제로 co-doping 시 각각 발광휘도와 decay time을 개선시키는 효과를 거두었다. $Zn_2SiO_4:Mn$에 Mg와 Cr이온들이 co-doping될 시에는 lattice 및 $Mn^{2+}$의 에너지 준위를 변화시키는 것으로 추정되어 발광휘도 및 decay time의 변화를 일으키는 것으로 해석된다. 특히 이 원소들은 발광과정에 긍정정인 영향을 끼쳐 Mg는 발광휘도를 중가시키고 Cr은 decay time을 감소시키는 결과를 얻었다. $Zn_2SiO_4:Mn,\;Mg$ 형광체의 발광휘도 개선은 DV-X${\alpha}$ embedded cluster 계산방법으로 설명할 수 있었고 반면에 $Zn_2SiO_4:Mn,\;Cr$ 형광체가 decay time을 줄이는 원인은 Mn이온과 Cr이온사이에 energy transfer가 일어나 발생되는 것으로 추정된다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제10권10호
• /
• pp.1029-1033
• /
• 1997

A prototype MFSFET using ferroelectric fluoride BaMgF$_4$as a gate insulator has been successfully fabricated with the help of 2 sheets of metal mask. The fluoride film was deposited in an ultrai-high vacuum system at a substrate temperature of below 30$0^{\circ}C$ and an in-situ post-deposition annealing was conducted for 20 seconds at $650^{\circ}C$ in the same chamber. The interface state density of the BaMgF$_4$/Si(100) interface calculated by a MFS capacitor fabricated on the same wafer was about 8$\times$10$^{10}$ /cm$^2$.eV. The I$_{D}$-V$_{G}$ characteristics of the MFSFET show a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the BaMgF$_4$film. It is also demonstrated that the I$_{D}$ can be controlled by the “write” plus which was applied before the measurements even at the same “read”gate voltage.ltage.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제34권2호
• /
• pp.163-170
• /
• 1997

대표적인 무기계 지연제인 규불하마그네슘(MgSiF6.6H2O)을 시멘트 수화반응시 첨가했을 때의 수화반응의 지연 효과 및 특성과 수용액 이온농도 변화 고찰하기 위하여 규불화마그네슘을 시멘트 질랴의 0.3wt%에서 5wt%까지 변화시키면서 그 영향을 연구 검토하였다. 시멘트 모르타르의 flow는 지연제의 첨가에 따라 감소하는 경향이 있으며 응결 시간은 지연제의 첨가량에 따라 지연되었다. 모르타르의 압축 강도는 지연제의 첨가량에 따라 3일, 7일까지는 지연제를 첨가하지 않은 plain mortar에 비하여 약간 낮은 강도를 나타내나, 시간이 지남에 따라 회복되어 28일이 지나면 plain 모르타르와 같은 강도를 나타낸다. 규불화마그네슘이 첨가되면 수화 초기 단계에서 시멘트로부터 용출된 알카리 이온과 반응하여 K2SiF6의 생성이 일어나며 그와 동시에 Ca++와 F++와의 반응에 따라 CaF2화합물이 생성됨을 확인하였다. 이때 생성된 K2SiF6 및 CaF2생성물의 비표면적은 대단히 컸으며 이들 물질이 수화반응 초기에 미수화 시멘트시 입자 표면에 생성되어 시멘트의 수화가 지연되는 것으로 검토된다. 또한 수화초기의 수화용액의 Ca++ 및 K+이온 농도의 저하 역시 포틀랜드 수화반응속도를 지연시켜 주는 이유가된다.

• 한국주조공학회지
• /
• 제32권6호
• /
• pp.269-275
• /
• 2012

Al-Mg-Si/Al hybrid alloy was prepared by Duo-casting and the mechanical behavior was evaluated based on their microstructure and mechanical properties. The hybrid aluminum alloy included the Al-Mg-Si alloy with fine eutectic structure, pure Al with the columnar and equiaxed crystals, and the macro-interface existing between Al-Mg-Si alloy and pure Al. The growth of columnar grains in pure Al occurred from the macro-interface. The tensile strength, 0.2% proof stress and bending strength of the hybrid aluminum alloy were almost similar to those of pure Al, and the elongation was much higher than the Al-Mg-Si alloy. The fracture of the hybrid alloy took place in pure Al side, indicating that the macro-interface was well bonded and the mechanical behavior strongly depends on the limited deformation in pure Al side.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.71-71
• /
• 2000

본 연구에서는 차세대 마이크로파 유전체 소자로서의 응용을 목적으로 펄스 레이저 방식에 의하여 증착된 MgTiO3 박막의 전기적 특성을 종합적으로 연구 분석하였다. 이를 바탕으로 MgTiO3 박막의 유전손실 등과 같은 열화를 야기시키는 박막 내부 또는 박막과 기판간의 결함의 특성을 파악하여 열화 메카니즘을 분석하였다. MgTiO3는 마이크로파 영역에서의 우수한 유전특성과 같은 낮은 유전손실을 가지며, 온도 안정성 또한 우수하다. 현재까지 벌크 세라믹 MgTiO3 의 응용 광범위하게 연구되어 왔으나 박막의 제조공정 및 전기적 특성 분석은 미흡한 형편이다. 따라서 벌크 세라믹과는 특성이 상이한 박막의 전기적 특성분석 및 연구가 필요하다. 분석을 위한 소자의 기본 구조로서 Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) 구조를 채택하였다. MgTiO3 박막을 증착하기 위한 기판으로는 n형 Si(100)기판과 p형 Si(100)기판을 사용하였고, Si 기판 위에 급속 열처리기 (RTP)를 이용하여 SiO2를 ~100 두께로 성장시킨 것과 성장시키지 않은 것으로 구분하여 제작하였다. MgTiO3 박막은 펄스 레이저 증착 방식(PLD)에 의하여 약 2500 두께로 증착되었으며, 200mTorr 압력의 산소 분위기 하에서 기판의 온도를 40$0^{\circ}C$~55$0^{\circ}C$까지 5$0^{\circ}C$간격으로 변화시키며 제작하였다. 상하부의 전극 금속으로는 Al을 이용하였으며, 열증발 증착기로 증착하였다. 증착된 MgTiO3 박막의 결정구조를 확인하기 위하여 XRD 분석을 수행하였으며, 박막의 전기적 특성을 분석하기 위해 Boonton7200 C-V 측정기와 HP4140P를 이용한 경우에는 C-V 곡선에 이력현상이 나타났으나, MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 이력현상이 나타나지 않았고, 유전율은 감소하는 것으로 나타났다. I-V 측정 결과, 절연층으로 MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 MgTiO3만을 절연층으로 사용한 경우에 비해 동일한 전계에서 낮은 누설전류 값을 가짐을 알 수 있었다. 또한 박막의 증착온도가 증가함에 따라서 C-V 곡선의 위치가 양의 방향으로 이동함을 확인하였다. 위의 현상은 기판의 종류에 관계없이 발생하는 것으로 보아 벌크 또는 계면에 존재하는 결함에 의한 것으로 추정된다. 현재 C-V 곡선의 이동 원인과 I-V 곡선의 누설전류 메카니즘을 분석 중에 있으며 그 결과를 학회에서 발표할 예정이다.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
• /
• 제20권1호
• /
• pp.65-69
• /
• 1997

[ $Mg_2SiO_4(La.Ho)$ ] thermoluminescent phosphor was made by putting the $MgCl_2.6H_2O$ and $SiO_2$ and by doping the rare earth element of $LaCl_3.7H_2O$ and $HoCl_3$. The heating rate is $10^{\circ}C/sec$ for the thermoluminescent phosphor. Two peaks are found in the measured $Mg_2SiO_4(La.Ho)$ Tl glow curve at $152^{\circ}C$ and $205^{\circ}C$ when the heating rate is $5^{\circ}C/sec$. The peak value at $205^{\circ}C$ is the most sensitive to X-ray among the glow peaks. The activation energy of the main peak has been estimated by the peak shape method. The estimated activation energies for Ho and La are $0.52{\sim}1.77\;eV$ respectively.