Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권3호
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pp.123-128
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2006
The microstructure and electrical properties of the varistors, which are composed of $ZnO-Pr_6O_{11}-CoO-Cr_2O_3-La_2O_3-based$ ceramics, were investigated for different $La_2O_3$ contents. The increase of $La_2O_3$ content led to more densified ceramics, whereas abruptly decreased the nonlinear properties by incorporating beyond 1.0 mol%. The highest nonlinearity was obtained from 0.5 mol% $La_2O_3$, with the nonlinear coefficient of 81.6 and the leakage current of $0.2{\mu}A$. The increase of sintering time and temperature greatly decreased the nonlinear properties. As the $La_2O_3$ content increased, the donor density increased from $0.64\times10^{18}/cm^3\;to\;16.89\times10^{18}/cm^3$ and the barrier height greatly decreased with increasing $La_2O_3$ content, reaching a maximum (1.47 eV) in 0.5 mol% $La_2O_3$.
The microwave dielectric properties of (1-x)La2/3TiO3-xLaAlO3 system in which LaAlO3 having $\varepsilon$r$\geq$90 and positive $\tau$f was investigated. The crystal system of (1-x)La2/3TiO3-xLaAlO3 was pseudo-cubic in the range of 0.1$\leq$x$\leq$0.07. Its lattice constant increased with increasing x in spite that the amount of LaAlO3 containing of smaller Al(0.57 $\AA$) ion than Ti(0.64 $\AA$) increased. As the amount of LaAlO3 increased from x=0.1 to 0.9, the relative dielectric constant ($\varepsilon$r) decreased from 50 to 23 and the temperature coefficient of resonant frequency($\tau$f) decreased from +84 to -50. On the other hand, the value of Q.f0 reached a maximum (148,000 at 7 GHz) at x=0.7, where a rapid increase in the peak intensity of XRD occured, and further increased after prolonged sintering. The microwave dielectric properties of $\varepsilon$r=37, Q.f0=47,000 (at 7 GHz), and $\tau$f=-2 ppm/$^{\circ}C$ were obtained near 0.6La2/3TiO3-0.4LaAlO3 (x=0.4) composition.
$Ni-La_2O_3-Ce_{0.8}Zr_{0.2}O_2$ catalysts with various $La_2O_3$ loading were investigated for hydrogen production from steam reforming of methane (SRM). The $La_2O_3$ loading influenced the physicochemical properties of $Ni-La_2O_3-Ce_{0.8}Zr_{0.2}O_2$ catalysts such as BET surface area, Ni dispersion, Ni size and reducibility. Among the prepared catalysts, $Ni-70La_2O_3-Ce_{0.8}Zr_{0.2}O_2$ catalyst showed the highest activity and stability at a very high gas hourly space velocity (GHSV) of $932,556h^{-1}$. This is mainly due to high Ni dispersion, small Ni size and high reducibility.
The effects of $La_2O_3$on the microstructure and electrical characteristics of Pr-based ZnO varistors were investigated. The average grain size increased in the range of 21.9~56.3$\mu$ m with increasing $La_2O_3$additive content(0.0~2.0 mol%). La was, of course grain boundary, largely segregated at the nodal point. As $La_2O_3$additive content increases, threshold voltage and nonlinear coefficient decreased and leakage current increased. In particular, 2.0 mol% $La_2O_3$-added varistor exhibited low threshold voltage 17.0V/mm and nonlinear coefficient of about 6. Based on these results, this varistor can be said to be used as low-voltage varistor, if nonlinear coefficient is somewhat improved forward.
The dielectric and sintering properties of LaAlO$_3$ceramics synthesised with La$_2$O$_3$-Al$_2$O$_3$(LAO) and La$_2$O$_3$-Al(OH)$_3$(LAH) were investigated. In case of LAH samples, a single phase of LaAlO$_3$powders was formed at 100$0^{\circ}C$, density of the ceramics sintered at 140$0^{\circ}C$ was 6.41g/㎤, and the dielectric constant and loss were 22.4 and 0.003, respectively. In case of LAO samples, a single phase of LaAlO$_3$powders was formed at 130$0^{\circ}C$, density of the ceramics sintered at 150$0^{\circ}C$ was 6.35g/㎤, and the dielectric constant and loss were 22.16 and 0.009, respectively.
Synthesis of $PbLaTiO_{3}$ : Mn powders containing La and Mn was carried out using $PbO,\;TiO_{2},\;La_{2}O_{3}\;and\;MnO_{2}$ as starting materials by hydrothermal method. In the synthesis of single phase $PbLaTiO_{3}$ : Mn powder containing La and Mn, the optimal x value corresponding to La substitution was 0.01 which corresponds to $0.99(Pb_{1-x}La_{2x/3}TiO_{3})+0.01MnO_{2}$. The optimal conditions for the preparation of the powder synthesis were 8 M-KOH solvent of hydrothermal solvent, $270^{\circ}C$ of reaction temperature and 24 hrs of run time. It was found that the synthesized powders had spherical morphology with average particle size of 70 nm and specific surface area of $5.5\;m^{2}/g$.
La2O3 첨가량에 따른 결정상 및 미세구조 변화와 유전특성과의 상관관계에 대해 연구하였다. 고상반응법을 이용해 합성된 0.3 mol% TiO2 과잉 BaTiO3 분말에 대해 La2O3 첨가량을 다르게 첨가하여 1250℃에서 2시간 동안 소결되었다. 상온에서 측정된 XRD는 La2O3 첨가량이 증가함에 따라 lattice parameter가 변화하였고, 정방정비가 감소하였다. 이는 La3+가 Ba2+ 자리에 치환되어 정방정상의 불안정성을 높여 입방정상으로 상전이 된 것으로 설명할 수 있다. La2O3 첨가량이 증가할 때, 임계입자성장구동력(Δgc)이 최대 입자성장구동력 (Δgmax)보다 높아져, 입자크기와 밀도가 감소하였다. 유전상수는 La2O3가 증가함에 따라 감소하였는데, 이를 결정상 및 미세구조의 변화에 대한 효과로 분석하였다.
The sintering phenomena and piezoelectric properties of PZT ceramics of composition $Pb(Zr_{0.54} Ti_{0.46})O_3$ were investigated when a small quantity of $La_2O_3$ , $LaMnO_3$, $LaCrO_3$ were added. The unwanted chemical composition change in PZT during sinterin porces du to PbO evaporation poses a severe problem in PZt manufacturinig. It is observed tat an addition of small amount of $LaMnO_3$ to PZT markedly decreases the evaporation of PbO during sintering . The green compact of (1-x) PZT.xLaMnO3(x=0.02~0.10) could be sintered of under O2 atmosphere alone with no significant loss of PbO. The planar coupling factor kp of the sintered $0.98Pb(Zr_{0.54} Ti_{0.46})O_{3.0.02}LaMnO}3$ is similar to that of commercial PZT 6A. Microstructure investigation shows that part of sintering process of $Pb(Zr, Ti)O_3$.$LaMnO_3$ system progresses via liquid phase sintering. It is believed that the evaporation of PbO in PZT sintering is restricted by the addition of $LaMnO_3$ due to the above phenomena. Furthermore the solid solution of $LaMnO_3$ in PZT causes diffuses phase transition.
란타늄 산화물 ($La_2O_3$) 박막은 하프늄 산화물 ($HfO_2$) 박막보다 높은 유전 상수와 높은 밴드 오프셋으로 인해 dynamic random access memory(DRAM)에서 유전체 재료로써 연구되어 왔다. 그리고 Lanthanum이 도핑된 HfO2이 더 높은 유전 상수와 낮은 누설 전류 밀도를 갖는 다는 사실이 이전에 보고 된 바 있다. 본 연구에서 우리는 ALD를 이용하여, TiN 하부 전극 위에 $La_2O_3$의 위치를 달리하는 $La_2O_3/HfO_2$의 나노 층상조직 구조(두께 10 nm)를 금속 - 절연체 - 금속 (MIM) 구조로 제작 하였다. ALD는 좋은 comformality와 넓은 지역 균일성을 가지며, 원자수준의 두께를 조절할 수 있다는 장점을 갖고 있다. 또한, 다양한 화학 물질들을 이용한 복합적 계층구조를 만들 수 있는 점과 $HfO_2$ 및 $La_2O_3$ 계층의 수직 위치를 정확하게 조절할 수 있는 점으로 본 연구에 적합한 증착 방법이다. HfO2 속에 $La_2O_3$ 층을 깊이에 따라 삽입함으로써 $HfO_2$ 계층에 La 도핑의 효과와 더불어 TiN 하부 전극 위의 $La_2O_3$과 $HfO_2$의 차이점을 확인 하였다. $HfO_2$은 $250^{\circ}C$에서 TDMAH와 물을 사용하여, $La_2O_3$은 동일한 온도에서 $La(iPrCp)_3$와 물을 사용하여 제작되었다. 화학적 구성 및 binding 구조는 X선 광전자 분광법 (XPS)을 통해 분석하였다. 전기적 특성(유전 상수 및 누설 전류)은 Capacitance-Voltage (CV)와 Current-Voltage (IV) 측정으로 확인하였다. 결과적으로, $La_2O_3$ 또는 $HfO_2$을 한 종류만 사용한 절연층의 전기적 특성보다, $La_2O_3/HfO_2$의 나노 층상조직 구조가 더 나은 특성 (누설 전류 밀도 : $5.5{\times}10^{-7}\;A/cm^2$ @-1MV/cm, EOT : 14.6)을 갖는다는 것을 확인했고, 더불어 $La_2O_3$의 흡습 성질로 인한 화학 구조와 전기적 특성의 일부 차이를 확인하였다. 본 연구에서는 $HfO_2$ 속에 $La_2O_3$층이 TiN 하부 전극 바로 위에 위치할 때, 즉, 공기 중에 노출되지 않은 $La_2O_3/HfO_2$ 구조에서 가장 좋은 특성의 MIM capacitor를 얻을 수 있었다.
[ $SiO_2-B_{2}O_3-Al_{2}O_3-CaO-La_{2}O_3$ ]계 유리에서 $La_{2}O_3$를 변화시키며 다양한 조성의 유리를 만든 후 이를 다공성 알루미나에 침투시켜 알루미나-유리 복합체를 얻었다. 여기서 유리의 조성 변화에 따른 침투특성 및 기계적 강도의 변화를 관찰하였다. 유리중의 $La_{2}O_3$는 유리의 고온 점도를 감소시켜 유리의 젖음성과 유동성을 향상시키고 유리의 침투를 용이하게 한다. 유리가 다공성 알루미나에 침투하여 기공을 메우면서 일부 알루미나를 용해시킨다. 이 유리 용융물 중 $Al_{2}O_3$ 성분은 결정질 알루미나에 다시 석출하여 입자성장이 일어나는데 이때 특정 방향으로 알루미나 입자가 성장한다. $La_{2}O_3$가 20 몰 $\%$ 첨가된 유리를 침투시켰을 때 유리가 결정화하여 복합체의 강도를 증진시켰다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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