• 한국세라믹학회지
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• 제46권5호
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• pp.484-487
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• 2009

$SiC_f$/SiC composites with whiskers and pyrolytic carbon (PyC) coated whiskers in the matrix were fabricated for enhancement of the fracture behaviors by the whisker growing assisted chemical vapor infiltration (WA-CVI) process, respectively. $SiC_f$/SiC composites were also prepared by the conventional CVI process as reference material. The mechanical properties and fracture behaviors were analyzed by comparison of the two types of composites prepared by WA-CVI and conventional CVI. The densities of $SiC_f$/SiC composites were in the range of $2.6{\sim}2.65g/cm^3$. The flexural strengths of composite with whiskers and with those coated by PyC were 650 MPa and 600 MPa, respectively. The tensile strength of composites with whiskers was ${\sim}285$ MPa.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권10호
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• pp.749-755
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• 2004

불화규산($H_2SiF_6$)은 인산 혹은 불산 제조공정에서 발생되는 사불화규소($SiF_4$)의 흡수공정에 의해 수용액 상태로 회수된다. 불화규산과 금속염의 반응에 의해 생성된 규불화염을 시멘트에 첨가하면 시멘트와의 특이 수화반응에 의해 독특한 물성을 발휘된다. 본 연구에서는 상기 공정에 의해 회수된 불화규산(농도 : $25\pm2\%$)과 금속염을 반응시켜 3가지 농도($4\%,\;6\%,\;8\%$)의 2성분 규불화염계 혼화제(MZ)를 제조하고, 시멘트 중량의 동일 첨가량($C\times1.0\%$)에서 시멘트 수화반응 및 수밀성에 대해 MZ의 농도변화에 따른 효과를 관찰하였다. MZ가 첨가된 시멘트 수화과정중 $CaF_2$와 같은 난용성 금속불화물과 가수분해에 의한 가용성 실리카가 새로이 생성되었다. MZ가 첨가된 경화시멘트의 총 공극율은 난용성 금속불화물의 충전작용과 가용성 실리카의 포졸란 작용에 의해 감소되었다. 궁극적으로 시멘트와 MZ간의 특이 수화반응에 의해 MZ가 첨가된 시멘트 경화체의 수밀성이 개선되는 것으로 나타났다.

• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제2권3호
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• pp.168-173
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• 2011

The availability, low toxicity, and high degree of technological development make silicon the most likely material to be used in solar cells, the cost of solar cells depends entirely on cost of high purity silicon production. The present work was conducted to electrodeposite of silicon from $K_2SiF_6$, an inexpensive raw material prepared from fluorosilicic acid ($H_2SiF_6$) produced in Iraqi Fertilizer plants, and using inexpensive graphite material as cathode electrode. The preparation of potassium fluorosilicate was performed at ($60^{\circ}C$) in a three necks flask provided with a stirrer, while the electro deposition was performed at $750^{\circ}C$ in a three-electrodes configuration with melt containing in graphite pot. High purity potassium fluorosilicate (99.25%) was obtained at temperature ($60^{\circ}C$), molar ratio-KCl/$H_2SiF_6$(1.4) and agitation (600 rpm). Spongy compact deposits were obtained for silicon with purity not less than (99.97%) at cathode potential (-0.8 V vs. Pt), $K_2SiF_6$ concentration (14% mole percent) with grain size (130 ${\mu}m$) and level of impurities (Cu, Fe and Ni) less than (0.02%).

• 대한화학회지
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• 제43권1호
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• pp.52-57
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• 1999

In($C_6F_5)_3{\cdot}D(D=CH_3CN$, O($C_2H_5)_2$)와 ($CH_3)_3SiC_6F_5$/CsF, $C_6F_5$MgBr 또는 Cd($C_6F_5)_2$을 반응시켜 [In($C_6F_5)_4$]- 음이온 화합물을 합성하였으나, 이들 indium(III) 음이온 화합물들은 온도에 민감하고 습기에 대해 불안정하다. 안정한 indium(III) 음이온 착물은 PNPCl(PNP=bis(triphenylphosphino)ammonium)과의 양이온 치환반응시켜 얻었으며, 관 크로마토 그래피를 이용하여 분리 정제하였다. 합성된 화합물의 특성은 핵자기 공명 분석법, 적외선 분광분석법, 분자량 측정, DTA/TG 그리고 원소분석법을 이용하여 조사하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권4호
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• pp.190-195
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• 2009

스컬용융법에 의해 Na사규소운모를 합성하였다. $Mg_3(OH)_2Si_4O_{10}:Na_2SiF_6:SiO_2=8.3:24.8:66.9$ mol% 비율로 혼합한 출발원료를 ${\phi}13{\times}H14cm$의 냉각도가니에 채우고 2.84MHz 출력주파수의 고주파발진기를 이용하여 가열하였다. 원료는 융액상태에서 1시간 유지하였으며 도가니 내에서 냉각시켰다. 운모의 비저항은 추정하였으며, 원주모양과 판상으로 합성할 수 있었다.

• 공업화학
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• 제29권1호
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• pp.122-126
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• 2018

비이온성 계면활성제 수용액 중에서 $Na_2SiO_3$와 $H_2SiF_6$의 빠른 반응을 통하여 메조포러스 분자체를 제조하였다. 침전은 수초 이내에 형성되었으며, 시료의 XRD분석은 d-spacing이 3.1-5.8 nm인 잘 발달된 피크를 나타내어 메조포러스분자체임을 확인할 수 있었다. 비표면적은 비이온 계면활성제에 따라 $290-1,018m^2/g$의 큰 값을 나타내었으며, 기공분포는 2.5-3.1 nm의 일정한 값을 보여주었다. SEM을 통해 관찰한 입자의 모양은 크기가 ${\sim}0.5{\mu}m$로 균일하고 잘 분리된 구형이었으며, TEM은 기공의 형태가 일정크기의 벌레구멍 모양임을 보여주었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권4호
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• pp.317-322
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• 1998

플라즈마 화학기상증착법에 의해 증착된 저유전율 SiOF박막의 물성 안정화를 위하여 증착후 $N_2O$플라즈마로 열처리함으로써 그 특성을 평가하였다. SiOF박막은 대기방치 및 열처리에 불안정한 성질을 가진다. SiOF 박막은 박막내의 F-Si-F 결합의 존재 때문에 흡습현상이 발생하며, 박막내의 F함량이 증가함에 따라 수분 흡수가 증가한다. 또한 열처리를 거치면서 F이 탈착되어 박막내의 F함량이 감소한다. $N_2O$플라즈마 열처리는 표면에 얇은 SiON층을 형성시킴으로써 박막을 안정화시키는데 효과적이었다. 그러나 장시간의 N/sun 2/O플라즈마 열처리는 유전율을 크게 증가시킨다. 따라서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가없이 물성을 안정화 시키기 위해서는, 대기방치나 열처리에 의한 안정화 효과를 유지하면서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가를 최소화시킬 수 있는 공정의 확립이 필요하다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제25권2호
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• pp.167-171
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• 2004

The electroless deposition of copper on the hydrogen-terminated Si(111) surface was investigated by means of attenuated total reflection Fourier transform infrared (ATR-FTIR) spectroscopy, scanning tunneling microscopy (STM), and energy-dispersive spectroscopy (EDS). The hydrogen-terminated Si(111) surface prepared was stable under air atmosphere for a day or more. It was found from ATR-FTIR that two bands centered at 2000 and 2260 $cm^{-1}$ appeared after the H-Si(111) surface was immersed in 40% $NH_4F$ solution containing 10 mM $Cu^{2+}$. On the other hand, STM image included the copper islands with a height of 5 nm and a diameter of 10-20 nm. The EDS data displayed the presence of copper, silicon and oxygen species. The results were rationalized in terms of the redox reaction of surface Si atoms and $Cu^{2+}$ ions in solutions, which are changed into $Si(OH)_x(F)_y$ containing $SiF_6^{2-}$ ions and neutral copper islands.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권5호
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• pp.1349-1354
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• 2010

The geometries and isomerization of the alkylidene silylenoid $H_2C$ = SiLiF as well as its insertion reactions with R-H (R = F, OH, $NH_2$) have been systematically investigated at the B3LYP/6-311+$G^*$ level of theory. The potential barriers of the three insertion reactions are 97.5, 103.3, and 126.1 kJ/mol, respectively. Here, all the mechanisms of the three reactions are identical to each other, i.e., an intermediate has been formed first during the insertion reaction. Then, the intermediate could dissociate into the substituted silylene ($H_2C$ = SiHR) and LiF with a barrier corresponding to their respective dissociation energies. Correspondingly, the reaction energies for the three reactions are -36.4, -24.3, and 3.7 kJ/mol, respectively. Compared with the insertion reaction of $H_2C$ = Si: and R-H (R = F, OH and $NH_2$), the introduction of LiF makes the insertion reaction occur more easily. Furthermore, the effects of halogen (F, Cl, Br) substitution and inorganic salts employed on the reaction activity have also been discussed. As a result, the relative reactivity among the three insertion reactions should be as follows: H-F > H-OH > H-$NH_2$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.155-158
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• 2004

질산화 (SiON) 막은 메모리와 광통신 소자 제조를 위해 활발한 응용이 기대되는 중요한 재료이다. SiON막 증착특성에 관해서는 많은 연구보고가 있었으나, 식각특성에 대해서는 그 발표가 매우 미미하다. 이에 본 연구에서는 PECVD를 이용하여 증착한 SION 박막을 Ni 마스크를 이용하여 식각하였다. 공정변수에는 소스 전력, 바이어스 전력, 압력, 그리고 $C_2F_6$ 유량 등이며, 각 변수의 실험범위는 400-1000 W, 30-90 W, 6-12 mTorr, 그리고 30-80 sccm이다. 식각률은 소스전력의 증가에 따라 233 에서 444 nm/min으로 거의 선형적으로 증가하였다. 비슷한 경향성이 바이어스 전력의 증가에 따라 관찰되었다. 이는 식각률이 플라즈마 밀도와 이온충돌 에너지에 강하게 영향을 받고 있음을 의미한다. 6-10 mTorr의 압력범위와 30-50 sccm의 $C_2F_6$ 유량범위 내에서의 식각률의 변화는 매우 미미하였다. 그러나 고압 (12 mTorr)과 고 유량 (60 sccm)에서 식각률은 크게 상승하거나 감소하였다. 전체 실험범위에서 관측된 식각률의 범위는 233-444 nm/min이었다.