4성분 $Li_2O-B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ 유리들을 $R({\equiv}Li_2Omole%/B_2O_3mole%)$과 $K({\equiv}(Al_2O_3mole%+SiO_2mole%/B_2O_3mole%)$에 의해 제작하여 유리들의 구조를 굴절률 (refractive index)과 Vicker's 경도(hardness)의 변화를 측정하여 분석하였다. 먼저, 굴절률의 증가는 유리 내부구조의 분극률을 증가시키는 $Li^+$ 양이온 수의 증가에 우선적으로 의존하여 증가하였으며, 적은 양의 리튬 산화물($Li_2O$)이 첨가된 영역에서는 굴절률은 리튬 이온 양에 의존하며, 많은 양의 리튬 산화물이 첨가된 영역에서는 큰 몰 부피를 갖고 하나의 비가교 산소를 갖는 $BO_3{^-}$ 단위들의 형성으로 유리 구조 내의 몰 부피 증가로 유리들의 굴절률의 증가가 둔화되었다. 그리고 알루미늄 산화물($Al_2O_3$)과 규소 산화물($SiO_2$)의 증가에 따라 굴절률의 감소는 $Al_2O_3$와 $SiO_2$에 의해 형성되어진 $AlO_4$ 단위들과 $SiO_4{^-}$ 단위들이 붕소 산화물($B_2O_3$)에 의해 형성되어진 $BO_4$단위들보다 몰 부피의 증가로 감소되어졌다. 또한, 경도의 증가는 유리 망목구조에 형성되어지는 $BO_4$ 단위 수에 의존하였으며, 경도의 감소는 유리 망목구조를 개방화시키는 $BO_3{^-}$ 단위 수에 의존하여 감소함을 알 수 있었다.
UV/H_2O_2$, $O_3$, $O_3/H_2O_2$, $UV/H_2O_2/O_3$ 공정을 이용한 테레프탈산 제조공정 폐수의 COD 및 색도제거 연구를 수행하였다. UV/H_2O_2$, $O_3$, $O_3/H_2O_2$, $UV/H_2O_2/O_3$ 공정에서의 COD 제거율은 각각 10, 48, 56, 63%, 색도 제거율은 $UV/H_2O_2$ 공정이 80%, $O_3$, $O_3/H_2O_2$, $UV/H_2O_2/O_3$ 공정은 모두 99% 이상 효과적으로 제거되는 것으로 나타났다. COD 및 색도 제거율이 가장 우수한 $UV/H_2O_2/O_3$ 공정에서 테레프탈산 제조공정 폐수의 주요 유기물 성분인 테레프탈산, 이소프탈산 그리고 벤조산 성분은 120분 이내에 모두 99% 이상 제거되었다. 또한 $UV/H_2O_2$, $O_3/H_2O_2$, $UV/H_2O_2/O_3$ 공정에서의 최적 $H_2O_2$ 주입농도는 각각 0.5M, 25 mM 그리고 5 mM로 나타나, UV와 $H_2O_2$를 오존산화 공정에 조합함으로써 유기물 제거율 향상과 함께 사용된 $H_2O_2$의 저감효과를 동시에 얻을 수 있었다.
구조의 유기-무기 혼성화합물 Cu2(OH)3(CH3COO)·H2O를 선구물질로 사용하여 Cu2O를 합성하였다. 75oC의 수용액에서 Cu2(OH)3(CH3COO)·H2O를 글루코오스로 환원시켜서 정육면체 Cu2O를 합성하였다. 선구물질과 글루코오스의 효과를 조사하였다. Cu2(OH)3(CH3COO)·H2O의 구조는 균일한 크기의 Cu2O를 만드는데 중요한 역할을 한다.
Effects of grain size distribution on the breakdown voltage of ZnO varistors were investigated in the ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3 and ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3-Cr2O3 systems, respectively. The grain size was increased with increasing sintering temperature maintaining lognormal distribution in both systems. The width of grain size distribution of ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3 system was narrower than that of ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3 system. The breakdown voltage(Vb) was decreased by increasing sintering temperature(1000~135$0^{\circ}C$) and sintering time(0.5~5hr), due to the enhancement of ZnO grain growth. The current path of the ZnO varistor was dependent on the distribution of the largest grains (chains of long grains) between the electrodes.
The surge current characteristics of ZnO-$Pr_6O_{11}$-CoO-$Cr_2O_3-Dy_2O_3$-based varistors were investigated with various $Dy_2O_3$ contents. The sintered density decreased in the range of $5.2{\sim}4.6g/cm^3$ with increasing $Dy_2O_3$ content. The incorporation of $Dy_2O_3$ markedly enhanced the nonlinear properties of varistors above 10 times in nonlinear exponent, compared with the varistor without $Dy_2O_3$. The varistor ceramics doped with 0.5 mol% $Dy_2O_3$ exhibited the highest electrical stability. However, the remainder varistors resulted in thermal runaway due to low density of varistor ceramics. The clamping voltage ratio exhibited a minimum value of 2.03 in 1.0 mol% $Dy_2O_3$ at surge current of 100 A(8/20 ${\mu}s$).
Rhodamine B(RhB) 폐수의 색도와 COD 제거를 위해 $O_3$, $UV/TiO_2$, $O_3/UV$ 및 $O_3/UV/TiO_2$ 공정과 같은 고급산화법의 영향을 연구하였다. 오존 공정의 경우 오존 농도가 높을수록 탈색속도가 높아졌으며, $UV/TiO_2$와 $O_3/UV/TiO_2$ 공정의 최적 $TiO_2$ 농도는 0.4 g/L 였다. $O_3/UV$ 공정은 오존 공정에 비해 초기 탈색속도상수가 높고 탈색종결시간도 줄어드는 것으로 나타났다. 실험에 적용한 공정의 초기 탈색속도상수의 순서는 $O_3/UV/TiO_2>O_3/UV>O_3>UV/TiO_2$로 나타났다. 모든 공정의 탈색속도가 COD로 표시한 무기화 속도보다 빠르고, COD는 처리에 시간이 더 소요되는 것으로 나타났다. COD 제거속도는 $O_3/UV/TiO_2>O_3/UV>UV/TiO_2{\geqq}O_3$의 순서로 나타났다. 네 공정 중에서 광촉매와 오존 공정을 조합한 $O_3/UV/TiO_2$ 공정이 염료 폐수와 같은 폐수의 색도와 COD 제거에 적절한 것으로 나타났다.
$BaTiO_3$ powders doped with $BaTiO_3$ and $Nb_2O_5$ at 9$0^{\circ}C$ for 1hr. were synthesized by Direct Wet Process. These powders were very homogeneous and fine particle size. To obtain the highe PTCR effect AST($1/3Al_2O_3$.$3/4SiO_2$.$1/4TiO_2$) and $MnO_2$ were added in the semiconduc-ting $BaTiO_3$. In this case $Bi_2O_3$ and $MnO_2$ were used in the form of $Bi(NO)_3$ and $MnCl_2$.$4H_2O$ solution for Direct Wet Process. $BaTiO_3$ doped Nb2O5 and $MnO_2$ demostrated greater PTCR effect than $BaTiO_3$ doped $Nn_2O_5$ only.
본 연구에서는 펄스 레이저 법으로 200 mTorr 의 산소 분압에서 기판 온도를 $200^{\circ}C$ 에서 $600^{\circ}C$ 까지 변화시켜 가며, quartz 기판 위에 $In_2O_3-ZnO$ 박막을 제작하여 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 $In_2O_3-ZnO$ 박막이 다결정 상태인 것을 알 수 있었으며, 기판 온도가 $500^{\circ}C$로 증가함에 따라 $35.5^{\circ}$ 부근의 $In_2O_3$ (400) 피크는 감소한 반면 $30.6^{\circ}$ 부근의 $In_2O_3$ (222) 피크는 증가했다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, round type 의 결정립들이 관찰되었으며 표면 거칠기 값은 $500^{\circ}C$에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값 (6.15 nm) 을 나타내었다. 모든 $In_2O_3-ZnO$ 박막이 가시광 영역에서 평균 82% 이상의 투과율을 보였다. 또, $500^{\circ}C$에서 제작한 $In_2O_3-ZnO$ 박막에서 가장 높은 캐리어 농도 ($2.46{\times}10^{20}cm^{-3}$) 값과 가장 낮은 비저항 ($1.36{\times}10^{-3}{\Omega}cm$) 값을 나타내었다.
MoSi2-Al2O3 composites were prepared by thermal explosion mode of self-propagating high temperature syn-thesis (SHS) using element powders of MoO3 Mo Si and Al. The combustion products of MoSi2 which have 10, 20, 30 and 40 wt% Al2O3 showed the molten state in the range of Mo to MoO3 6:1-9.5:1, 2:1-8:1, 1:1-5:1, and 1:1-3:1 (molar ratio) respectively. The combustion products which made least seperation the molten phase from the slag phase were in Mo/MoO3=9, 5:1, 8:1, 5:1 and 3:1 (molar ratio) respectively. Particles size of MoSi2 and Al2O3 in the combustion product were decreased as the molar ratio of Mo to MoO3 increase. By XRD analysis only MoSi2 and $\alpha$-Al2O3 peaks were identified in the combusion products, In case of MoSi2 containing 20wt% Al2O3 5.1wt% Al existed into MoSi2 grains and 30.7wt% Si and 7.7wt% Mo existed into Al2O3 grains. The relative density of MoSi2 containing 10, 20, 30 and 40 wt% Al2O3 were 82.7, 85.2, and 81.9% respectively. The fracture strength of MoSi2-Al2O3 composites increased with increasing Al2O3 and that of MoSi2-20wt% Al2O3 composite was 195 MPa.
The electrical characteristics of $ZnO-Pr_6O_{11}-CoO-Cr_2O_3-Y_2O_3$(ZPCCY)-based varistors were investigated with $Y_2O_3$ content in the range of 0.0~4.0 mol%. As $Y_2O_3$ content is increased, the average grain size was markedly decreased in the range of 18.6~3.2 $\mu m$ and the density of the ceramic was decreased in the range of 5.53 ~3.74 $g/\textrm{cm}^3$. While, the varistor voltage was increased in the range of 39.4~748.1 V/mm and the nonlinear exponent was in the range of 4.5~51.2 with increasing $Y_2O_3$ content. The addition of $Y_2O_3$ greatly enhanced the nonlinear properties of varistors, compared with the varistor without $Y_2O_3$. In particular, the varistors with $Y_2O_3$content of 0.5 mol% exhibited the highest nonlinearity, in which the nonlinear exponent is 51.2 and the leakage current is 1.3 $\mu A$. The donor concentration and the density of interface states were decreased in the range of (4.19~0.14) $\times$10$^{18}$ /㎤ and (5.38~1.15)${\times}10^{18}/\textrm{cm}^3$, respectively, with increasing $Y_2O_3$ content.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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