• 한국진공학회지
• /
• 제1권1호
• /
• pp.145-152
• /
• 1992

Si surfaces exposed to CHF3/C2F6 gas plasmas ih reactive ion etching (RIE) have been characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). CHF3/C2F6 gas plasma exposure of Si surface leads to the deposition of residual film containing carbon and fluorine. The narrow scan spectra of C 1s show various bonding states of carbon as C-Si, C-F/H, C-CFx(x $\leq$ 3), C-F, C-F2, and C-F3. The chemical bonding states of fluorine are described with F-Si, F-C and F-O. And the oxygen and silicon are also detected. The effects of parameters for reactive ion etching as CHF3/C2F6 gas ratio, RF power, and pressure are investigated.

• 대한화학회지
• /
• 제43권1호
• /
• pp.52-57
• /
• 1999

In($C_6F_5)_3{\cdot}D(D=CH_3CN$, O($C_2H_5)_2$)와 ($CH_3)_3SiC_6F_5$/CsF, $C_6F_5$MgBr 또는 Cd($C_6F_5)_2$을 반응시켜 [In($C_6F_5)_4$]- 음이온 화합물을 합성하였으나, 이들 indium(III) 음이온 화합물들은 온도에 민감하고 습기에 대해 불안정하다. 안정한 indium(III) 음이온 착물은 PNPCl(PNP=bis(triphenylphosphino)ammonium)과의 양이온 치환반응시켜 얻었으며, 관 크로마토 그래피를 이용하여 분리 정제하였다. 합성된 화합물의 특성은 핵자기 공명 분석법, 적외선 분광분석법, 분자량 측정, DTA/TG 그리고 원소분석법을 이용하여 조사하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.36-36
• /
• 2010

Low-pressure fluorocarbon plasmas are widely used in microelectronics fabrication for a variety of surface modification purposes. In particular, fluorocarbon plasmas are used for the etching of dielectrics such as silicon dioxide and silicon nitride. Among the various fluorocarbons, this study focuses on C4F6 molecules (C4F6s) which are composed of hexafluorocyclobutene (c-C4F6), hexafluoro-1, 3-butadiene (1, 3-C4F6), and hexafluoro-2-butyne (2-C4F6). We have investigated the dissociation reactions of C4F6s, resulting in CF2, CF3, C2F3, and C3F3 fragments, by using the wB97X-D functional with various basis sets. In this presentation, the geometrical properties, energetics, and dissociation mechanisms of C4F6s will be suggested.

• 대한화학회지
• /
• 제11권3호
• /
• pp.89-93
• /
• 1967

플루오르벤젠과 일염화요오드, 일브롬화요오드, 브롬 또는 염소의 각 系를 사염화탄소 용액에서 分光光度法에 의하여 연구한 결과, $C_6H_5F{\cdot}ICl$, $C_6H_5F{\cdot}IBr$, $C_6H_5F{\cdot}Br_2$, 또는 $C_6H_5F{\cdot}Cl_2$의 錯物이 형성됨을 알았다. 이들 錯物형성에 대한 실온에서의 평형상수는 각각 0.161, 0.072, 0.045 및 0.035 l $mole^{-1}$이다. 이 결과와 문헌에 보고된 연구결과를 종합적으로써 이러한 착물의 상대적 안정도가 다음 순으로 감소함을 알 수 있었다. ICl>IBr>$I_2$>$Br_2$>$Cl_2$ $C_6H_6$>$C_6H_5Br$>$C_6H_5Cl$>$C_6H_5F$

• 한국의류학회지
• /
• 제25권1호
• /
• pp.154-161
• /
• 2001

We have treated polyester fabric with $CF_4,\;C_2F_6,\;SF_6\;and\;C_3F_6$ glow discharge plasmas to develop functional fabrics which preserve moisture transportation and water proofing nature. Modified properties were evaluated by water vapor permeation rate and breakthrough water pressure. The change of surface morphology was observed by SEM. Fiber interstice of the plasma treated fabric was calculated as $0.32{\mu}{\textrm}{m}$, and this value was sufficiently ideal as water repellent material. The moisture transportation of ${CF_4}-treated$ fabric was good as much as untreated fabric, and those of $C_2$F(sub)6-treated, SF(sub)6-treated fabrics were reduced by 1~3%, and that of ${C_3F_6}-treated$ fabric was reduced by 15%. The best treatment condition were 0.06 torr 120 seconds in $CF_4$, 0.05 torr 30 seconds in $SF_6$, 0.08~0.15 torr 90 seconds in $SF_6$ and 0.1 torr 45 seconds in $C_3F_6$ respectively. The grade of moisture transportation effect was $CF_4>C_2F_6>SF_6>>C_3F_6$, and water proofing effect was $C_2F_6{\approx}CF_4>C_3F_6>SF_6$. It was observed by SEM that the thin film was formed on the surface of the treated substrate by the fluorocarbon plasma treatment.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제39권1호
• /
• pp.31-38
• /
• 2002

0.35㎛-비아(via) 식각공정을 개선하기 위하여 C₂F/sub 6/가스의 식각특성을 분석하였다. 실험한 재료는 TEOS/SOG/TEOS 막을 올린 8인치 웨이퍼이며, 실험의 기법은 직교행열(Orthogonal array matrix) 실험 방식을 활용하였다. 산화막 식각에 이용된 장비는 transformer coupled plasma(TCP) source 방식이며 고밀도 플라즈마(HDP)장비이다. 실험의 결과는, 실험변수의 범위 내에서 C₂F/sub 6/는 0.8㎛/min-1.l㎛/min 범위의 식각속도를 보이며 균일도(Uniformity)는 ±6.9%미만으로 측정되었다. CD 변화(skew)는 식각 전과 후를 비교하여 10% 미만이었고 그 결과 비등방성(anisotropic) 식각의 특성이 우수하였다. C₂F/sub 6/를.20sccm 공급할 때 문제점이 발견되지 않았지만 14sccm을 공급하면 SOG 막의 내벽이 침식당하는 문제점이 있었다. 결과적으로 C₂F/sub 6/는 HDP TCP에서 빠른 식각비와 넓은 공정창(process window)을 가진 식각특성을 나타내었다.

• 한국식품영양과학회지
• /
• 제41권11호
• /
• pp.1619-1625
• /
• 2012

김장김치를 김치냉장고에서 6개월간 '숙성 후 저장'과 '저온 저장' 모드에서 저장하였을 때 발효 양상을 비교해 보았다. 본 연구에 사용한 '숙성 후 저장' 모드에 보관한 김치는 $10^{\circ}C$에서 5일간 발효시킨 후 $-2.5^{\circ}C$에 저장한 F1김치, $15^{\circ}C$에서 1일 발효시킨 후 $-2.5^{\circ}C$에서 저장한 F2김치이고, '저온 저장'에 보관한 김치는 담금 즉시 $-1^{\circ}C$에 저장한 S1김치와 $-2.5^{\circ}C$에 저장한 F2김치 4종류이다. '숙성 후 저장'한 F1김치는 2주에 pH 4.4, 그리고 산도는 0.6%로 숙성기에 접어들었으나 F2김치는 8주, '저온 저장'한 S1김치는 12주에 그리고 S2김치는 저장 말기에 숙성기로 접어들었다. Lactobacillus spp. 생육은 F1 및 F2김치에서는 저장 초기부터 급속히 증식하여 8주에 최대 균수인 8.0~9.0 log CFU/mL에 도달한 후 F1김치에서는 균수가 6개월간 지속된 반면, F2김치에서는 저장 12주 이후 감소하였다. S1과 S2김치에서는 8주에 최대 균수인 6.8 log CFU/mL에 도달하여 적숙기 최대 균수에 미치지 못하였다. Leuconostoc spp.는 저장모드에 따라 최대 생육 시점은 다르나 8.0~9.0 log CFU/mL에 도달하였다. F1김치의 Leuconostoc spp.는 6개월 동안 지속적으로 성장하여 최대 생육에 도달한 반면, 다른 김치 시료에서는 최대 생육 후 균이 감소하였다. 고온 젖산균인 Lactobacillus spp.의 생육은 '저온 저장'한 김치에서 억제되었으나 Leuconostoc spp.의 생육은 $-2.5^{\circ}C$와 같이 낮은 온도에서도 최대 생육을 하였다. 김장김치의 관능은 저장 3개월까지 외관, 신맛, 탄산미, 아삭아삭함에서 F1김치가 가장 높은 평가를 받았는데 이는 Lactobacillus spp.와 Leuconostoc spp.의 균수가 가장 높았기 때문으로 생각된다. 6개월 후에는 F1와 S1김치가 높은 평가를 받았는데, S1김치는 저장 말기에 신맛과 탄산미가 증가하는 현상을 보였는데, 이는 Leuconostoc spp.의 균수 저장 후기에 높아졌기 때문으로 생각된다. 이상의 결과를 종합해 보면 김장김치를 저장 기간 내 맛있게 먹기 위해서는 김치를 완전히 숙성시킨 후 저온에서 저장하는 방법인 $10^{\circ}C$에서 5일 동안 발효시켜 $-2.5^{\circ}C$로 온도 변환하는 시스템이 가장 우수하였다. '저온 저장' 온도로는 $-1^{\circ}C$가 $-2.5^{\circ}C$보다 우수하였다.

• 한국고분자학회:학술대회논문집
• /
• 한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
• /
• pp.224-225
• /
• 2006

The Ethylene polymerization behavior of a series of polymethylene bridged dinuclear CGC $[Zr({\eta}^{5}:{\eta}^{1}-C_{9}H_{5}SiMe_{2}NCMe_{3})Me_{2}]_{2}[(CH_{2})_{n}]\;[_{n}=6(1),\;9(2),\;12(3)]$ in the cocatalytic activation with $Ph_{3}C^{+}B^{-}(C_{6}F_{5})_{4}\;(B_{1})\;or\;Ph_{3}C^{+}(C_{6}F_{5})_{3}B^{-}C_{6}F_{4}B^{-}(C_{6}F_{5})_{3}Ph_{3}C^{+}\;(B_{2})\;or\;B(C_{6}F_{5})_{3}\;(B_{3})$ were investigated to study the nuclearity effects as well as the counteranion effects. The ethylene polymerization and ethylene/1-hexene copolymerization were conducted at $30^{\circ}C$ It was found that both in ethylene polymerization and ethylene/1-hexene copolymerization, activities increased in the order of 1 < 2 < 3, which indicates the presence of longer bridge between two active sites contributes more efficiently to facilitate the polymerization activity.

• 대한환경공학회지
• /
• 제38권6호
• /
• pp.317-322
• /
• 2016

PFOS sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$)는 28일 동안 미생물에 의한 분해가 이루어지지 않은 반면 4종의 대체물질($C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$, $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$)은 각각 21.6%, 20.5%, 15.8% 그리고 6.4% 분해가 이루어졌다. Daphnia magna를 이용하여 48시간 동안 수행한 물벼룩급성독성시험에서 sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$)의 반수영향농도($EC_{50}$)는 54.5 mg/L 인 것으로 확인된 반면 4종의 대체물질은 500.0 mg/L에서 아무런 영향이 나타나지 않았다. 500.0 mg/L에서 PFOS sodium salt($C_8F_{17}SO_3Na$)의 표면장력은 46.2 mN/m이었으며 대체물질 4종의 표면장력은 모두 PFOS sodium salt 보다 우수한 것으로 확인되었다. $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$ (20.9 mN/m)는 가장 낮은 표면장력을 갖고 있었다. 그 다음은 $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$ (23.4 mN/m), $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$ (27.3 mN/m) 그리고 $C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$ (28.2 mN/m) 순인 것으로 확인되었다. 미생물분해시험, 물벼룩급성독성시험 그리고 표면장력측정 결과를 종합해 보면 4종의 PFOS 대체물질($C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$, $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$)은 모두 PFOS sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$) 보다 우수한 것으로 확인되었으며 특히 3종의 대체물질($C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$)은 미생물분해율이 15.8~21.6%로 상대적으로 높고, 물벼룩급성독성과 표면장력측정이 PFOS sodium salt 보다 상당히 우수하다. 그러므로 이들 4종의 대체물질은 PFOS 대체물질로 활용이 가능할 것으로 판단된다.

• 대한수학회보
• /
• 제52권6호
• /
• pp.2095-2105
• /
• 2015

Given c, a positive integer, we set. $$M(f,c):=\frac{2}{{\phi}(f)}\sum_{{\chi}{\in}X^-_f}{\chi}(c)|L(1,{\chi})|^2$$, where $X^-_f$ is the set of the $\phi$(f)/2 odd Dirichlet characters mod f > 2, with gcd(f, c) = 1. We point out several mistakes in recently published papers and we give explicit closed formulas for the f's such that their prime divisors are all equal to ${\pm}1$ modulo c. As a Corollary, we obtain closed formulas for M(f, c) for c $\in$ {1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10}. We also discuss the case of twisted quadratic moments for primitive characters.