Today, a number of users using smartphone is very rapidly increasing by development of smartphone performance and providing various services. Also, they are using it for enjoying various services(cloud service, game, banking service, mobile office, etc.). today's mobile security solution is simply to detect malicious code or stay on the level of mobile device management. In particular, the services which use sensitive information, such as certificate, corporation document, personal credit card number, need the technology which are prevented from hacking and leaking it. Recently, interest of these mobile security problems are increasing, as the damage cases been occurred. To solve the problem, there is various security research such as mobile virtualization, ARM trustzone, GlobalPlatform for mobile device. Therefore, in this paper, I suggested efficient method that uses the mobile virtualization techniques of certification, security policy and access control, password/key management, safe storage, etc. and Trustzone of ARM for preventing information leakage and hacking.
Wheel bearings are important automotive parts that bear the vehicle weight and translate rotation motion; in addition, their seals are components that prevent grease leakage and foreign material from entering from the outside of the bearings. Recently, as the need for electric vehicles and eco-friendly vehicles has been emerging, the reduction in fuel consumption and $CO_2$ emissions are becoming the most important issues for automobile manufacturers. In the case of wheel bearings, seals are a key part of drag torque. In this study, we investigate the prediction of the drag torque taking into consideration the hyperelastic and viscoelastic material properties of automotive wheel bearing seals. Numerical analysis based on the finite element method is conducted for the deformation analyses of the seals. To improve the reliability of the rubber seal analysis, three types of rubber material properties are considered, and analysis is conducted using the hyperelastic material properties. Viscoelastic material property tests are also conducted. Deformation analysis considering the hyperelastic and viscoelastic material properties is performed, and the effects of the viscoelastic material properties are compared with the results obtained by the consideration of the hyperelastic material properties. As a result of these analyses, the drag torque is 0.29 Nm when the hyperelastic characteristics are taken into account, and the drag torque is 0.27 Nm when both the hyperelastic and viscoelastic characteristics are taken into account. Therefore, it is determined that the analysis considering both hyperelastic and viscoelastic characteristics must be performed because of its reliability in predicting the drag torque of the rubber seals.
The SrBi$_2$Nb$_2$O$_{9}$ (SBN) thin films were deposited on p-type(100) Si substrates by rf magnetron sputtering to confirm the Possibility of Pt/SBN/Si structure for the application of nondestructive read out ferroelectric random access memory (NDRO- FRAM). The SBN thin films were deposited by co-sputtering method with Sr$_2$Nb$_2$O$_{7}$ (SNO) and Bi$_2$O$_3$ ceramic targets. The SBN thin films deposited at room temperature were annealed at $700^{\circ}C$ for 1hr in $O_2$ ambient. The structural and electrical properties of SBN with different power ratios of targets were measured by x-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), capacitance-voltage(C-V), and current-voltage(I-V). The C-V curves of the SBN films showed hysteresis curves of a clockwise rotation showing ferroelectricity. When the Power ratio of the SNO/Bi$_2$O$_3$ targets was 120 W/100 W, the SBN thin films had excellent electrical properties. The memory window of SBN thin film was 1.8 V-6.3 V at applied voltage of 3 V-9 V and the leakage current density was 1.5 $\times$ 10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$ at applied voltage of 5 V The composition of SBN thin films was analysed by electron probe X-ray micro analyzer(EPMA) and the atomic ratio of Sr:Bi:Nb with pawer ratio of 120 W/100 W was 1:3:2.
Park, Wug-Dong;Keum, Dong-Yeal;Kim, Ki-Wan;Choi, Kyu-Man
Journal of Sensor Science and Technology
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v.1
no.2
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pp.173-181
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1992
Tantalum pentoxide($Ta_{2}O_{5}$) thin films on p-type (100) silicon wafer were fabricated by RF reactive sputtering. Physical properties and structure of the specimens were examined by XRD and AES. From the C-V analysis, the dielectric constant of $Ta_{2}O_{5}$ films was in the range of 10-12 in the reactive gas atmosphere in which 10% of oxygen gas is mixed. The ratio of Ta : 0 was 1 : 2 and 1 : 2.49 by AES and RBS examination, respectively. The heat-treatment at $700^{\circ}C$ in $O_{2}$ ambient led to induce crystallization. When the heat-treatment temperature was $1000^{\circ}C$, the dielectric constant was 20.5 in $O_{2}$ ambient and 23 in $N_{2}$ ambient, respectively. The crystal structure of $Ta_{2}O_{5}$ film was pseudo hexagonal of ${\delta}-Ta_{2}O_{5}$. The flat band voltage shift(${\Delta}V_{FB}$) of the specimens and the leakage current density were decreased for higher oxygen mixing ratio. The maximum breakdown field was 2.4MV/cm at the oxygen mixing ratio of 10%. The $Ta_{2}O_{5}$ films will be applicable to hydrogen ion sensitive film and gate oxide material for memory device.
Design techniques for minimizing the damage caused by leakage of $H_2S$ gas, contained in natural gas and petroleum, have been widely studied abroad in chemical plants that purify and process natural gas and petroleum. However, there is no domestic engineering practice and regulation of $H_2S$. In accordance with the circumstances, this study proposes the quantitative criteria of process equipment to install $H_2S$ toxic gas detector as 500 ppm and explains the valid basis. The $H_2S$ gas dispersion radius up to IDLH 100 ppm is calculated by ALOHA under previous $H_2S$ gas leak accident scenario. The weather conditions of modeling include the conditions of Ulsan, Yeosu and Daesan, the three major petrochemical complexes in Korea. The long radius up to 100 ppm was derived in order of Ulsan, Daesan, Yeosu. For emergency safety the dispersion radius up to 100 ppm of the $H_2S$ gas obtained in this study should be extended to apply the additional $H_2S$ toxic gas detector, and local climate conditions should be considered.
The $SrBi_2$$Nb_2$$O_{9}$ (SBN) thin films were deposited with $SrNb_2$$O_{6}$ / (SNO) and $Bi_2$$O_3$ targets by co-sputtering method. For the growth of SBN thin films, we adopted the various power ratios of two targets; the power ratios of the SNO target to $Bi_2$$O_3$ target were 100 W : 20 W, 100 W : 25 W, and 100 W : 30 W during sputtering the SBN films. We found that the electrical properties of SBN films were greatly dependent on Bi content in films. The $Bi_2$Pt and $Bi_2$$O_3$ phase as second phases occurred at the films with excess Bi content greater than 2.4, resulting in poor ferroelectric properties. The best growth condition of the SBN films was obtained at the power ratio of 100 W : 25 W for the two targets. At this condition, the crystallinity and electrical properties of the films were improved at even low annealing temperature as $700^{\circ}C$ for 1h in oxygen ambient and the Sr, Bi and Nb component in the SBN films were about 0.9, 2.4, and 1.8 respectively. From the P-E and I-V curves for the specimen, the remnant polarization value ($2P_{r}$) of the SBN films was obtained about 6 $\mu$C/c $m^2$ at 250 kV/cm and the leakage current density of this thin film was $2.45$\times$10^{-7}$$A/cm^2$ at an applied voltage of 3 V.V.
Journal of the Korean Society for Marine Environment & Energy
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v.20
no.1
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pp.26-36
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2017
Korea is preparing an offshore carbon capture, transport and storage (CCS) demonstration project which is recognized as one of important $CO_2$ reduction technologies to mitigate climate change. The offshore CCS project aims to transport, inject and store large amount of $CO_2$ into offshore geologic formation, and has a potential risk of leakage which might cause disastrous damage to human health, environment and property. Therefore, in order to ensure the safety of the offshore CCS project, a strict HSE (health, safety and environment) management plan and its implementation are required throughout the project life cycle. However, there are no HSE domestic laws or regulations applicable to CCS projects, and the related research is insufficient in Korea. For the derivation of the essential and urgent requirement in HSE management framework applicable to the offshore CCS project in Korea, we analysed the HSE management methodologies and foreign CCS HSE management guidelines and cases. First, this paper has analyzed ISO 31000, a generalized risk management principles. Second, we have investigated the HSE management practices of CCS projects in Norway and UK. Based on the analyses, we suggested the necessity of developing the HSE Philosophy and the HSE management process through the whole life cycle. Application of HSE management in early phase of an offshore CCS project will promote systematic and successful project implementation in a cost-effective and safe way.
After 24 hours of preservation under 15 mmHg perfusion pressure the recovery rates of isolated canine hearts were determined. Preservation was performed in a cold room maintained at 4*C with 4 different types of perfusates bubbled with a mixture of 95% 0y and 5% CO~ using a modified perfusion unit designed in our institute. The perfusates used were as follows; Group 1: Krebs-Henseleit solution, Group 2: Krebs solution added by albumin and PGE1. Group 3: Modified Wicomb*s solution, Group 4: Modified Collin*s solution. The extent of myocardial recovery was evaluated using a modified isolated carmine perfusion model by measuring heart rate, systolic arterial pressure, left atrial pressure[LAP] and cardiac output. In addition to the above hemodynamic parameters, biochemical and enzymatic assays from perfusates and electron microscopic changes of the myocardium were also studied. The results were as follows; 1] The heart recovery rates were 41.6%, 53.4% and 108.9% in groups 1, 2 and 3, respectively, and group 3 elicited the best result[p< 0.001]. The heart beat was never recovered in group 4. 2] Recovered systolic arterial pressures[mmHg] were 63.3% in group 1, 94.9% in group 2 and 94.3% in group 3. 3] LAPs[mmHg] were 20 in group 1, 13.5 in group 2 and 11.2 in group 3, which suggested that the best myocardial preservation was elicited in group 3[p< 0.05]. 4] Cardiac output, the sum of aortic stroke volume and coronary leakage, were 69.1% in group 2, and 90.7% in group 3, but these were not statistically significant[p=0.24]. No aortic stroke output was measured in group 1 and 4. 5] The degree of myocardial edema increase was 17.5` in group 1, 24.6% in group 2, 20.9% in group 3 and 55.3% in group 4. But there were no statistical differences in each group[p= 0.08]. 6] CPK-MB[U/L] levels were increased 750% and 332%[p< 0.05], glucose levels[mg/dl] 60.5% and 78.2% and SGOT[U/L] levels 523% and 333%, in groups 2 and 3, respectively. Biochemical and enzymatic assays could not be performed in group 1 and group 4, because of poor recovery of heart beat. 7] Electron microscopic findings in the myocardium of most groups revealed slight to moderate muscle cell and mitochondrial edema. But all these findings were within the limits of reversible change. From these above results, it is suggested that modified Wicomb*s solution seems to be the most useful physiologic salt solution for preservation of the heart. We propose that after further study and improvement, our portable continuous hypothermic perfusion system will contribute to the development of a better preservation method for donor hearts for human heart transplantation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.357-358
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2005
Compact power amplifier modules (PAM) for WCDMA/KPCS and GSM/WCDMA dual-band applications based on multilayer low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates are presented in this paper. The proposed modules are composed of an InGaP/GaAs HBT PAs on top of the LTCC substrates and passive components such as RF chokes and capacitors which are embedded in the substrates. The overall size of the modules is less than 6mm $\times$ 6mm $\times$ 0.8mm. The measured result shows that the PAM delivers a power of 28 dBm with a power added efficiency (PAE) of more than 30 % at KPCS band. The adjacent-channel power ratio (ACPR) at 1.25-MHz and 2.25-MHz offset is -44dBc/30kHz and -60dBc/30kHz, respectively, at 28-dBm output power. Also, the PAM for WCDMA band exhibits an output power of 27 dBm and 32-dB gain at 1.95 GHz with a 3.4-V supply. The adjacent-channel leakage ratio (ACLR) at 5-MHz and 10-MHz offset is -37.5dBc/3.84MHz and -48dBc/3.84MHz, respectively. The measured result of the GSM PAM shows an output power of 33.4 dBm and a power gain of 30.4 dB at 900MHz with a 3.5V supply. The corresponding power added efficiency (PAE) is more than 52.6 %.
Kim, Sam-Dong;Lee, Seong-Dae;Lee, Jin-Gu;Hwang, In-Seok;Park, Dae-Gyu
Korean Journal of Materials Research
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v.10
no.12
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pp.812-818
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2000
We studied the effects of Ge preamorphization (PAM) on 0.25$\mu\textrm{m}$ Ti-salicide junctions using comparative study with As PAM. For each PAM schemes, ion implantations are performed at a dose of 2E14 ion/$\textrm{cm}^2$ and at 20keV energy using $^{75}$ /As+and GeF4 ion sources. Ge PAM showed better sheet resistance and within- wafer uniformity than those of As PAM at 0.257m line width of n +/p-well junctions. This attributes to enhanced C54-silicidation reaction and strong (040) preferred orientation of the C54-silicide due to minimized As presence at n+ junctions. At p+ junctions, comparable performance was obtained in Rs reduction at fine lines from both As and Ge PAM schemes. Junction leakage current (JLC) revels are below ~1E-14 A/$\mu\textrm{m}^{2}$ at area patterns for all process conditions, whereas no degradation in JLC is shown under Ge PAM condition even at edge- intensive patterns. Smooth $TiSi_2$ interface is observed by cross- section TEM (X- TEM), which supports minimized silicide agglomeration due to Ge PAM and low level of JLC. Both junction break- down voltage (JBV) and contact resistances are satisfactory at all process conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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