• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.49-53
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• 1997

In this paper, YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ superconductor was sintered by means of conventional solid reaction and the textured YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ was prepared by the Melted-Condensed Process in which SmBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ crystal was used as seed crystal to introduce the YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ crystal growth. The texture of YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ was examined by X-ray diffraction, and the fracture of YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ sample was observed by SEM, which proved the sample was well oriented. After oxygen absorption of the textured YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ sample, it's critical temperature was measureed to be 86K.eed to be 86K.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권4호
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• pp.139-144
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• 2007

2자리 리간드를 사용하여 $BaWO_4$ 결정을 합성하였다. 리간드의 농도와 $[{WO_4}^{2-}]/[Ba^{2+}]$ 비율과 같은 반응 변수는 다양한 형태의 $BaWO_4$ 결정을 형성하는데 매우 중요한 역할을 한다. TMEDA를 리간드로 사용했을 때는 250nm의 폭과 $2{\sim}3{\mu}m$의 길이를 가진 십자형의 단면들의 자기 조립에 의해서 $15{\sim}20{\mu}m$ 길이의 마이크로 막대형의 $BaWO_4$ 결정을 얻었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제30권12호
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• pp.1023-1028
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• 1993

To obtain a single phase of Ba2Ti9O20 at lower temperature than previious other researches. We investigated the effect of Zr substitution for predetermined portions of Ti in Ba2Ti9O20. In this study, the four compounds(x=0, 0.028, 0.048, 0.068) of Ba2(Ti1-xZrx)9O20 were prepared by coprecipitation reaction of BaCl2, TiCl4 and ZrOCl2 with (NH4)2CO3 and NH4OH as the coprecipitating agents and pH regulators, in queous solution. Owing to 4.8 mol% addition, the single phase of Ba2Ti9O20 showing high Q was obtained at 115$0^{\circ}C$ which is lower by 25$0^{\circ}C$ than the temperature in case of mechanical mixtures of BaCO3 and TiO2.

• ETRI Journal
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• 제18권1호
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• pp.15-27
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• 1996

The effects of $Nd_2O_3$ and $TiO_2$ addition on the microstructures and microwave dielectic properties of $BaO-Nd_2O_3-TiO_2$ system were investigated. $BaNd_2Ti_4O_{12}$ or $BaNd_2Ti_{5}O_{14}$ phases were observed for compositions based on BaO/$Nd_2O_3$ = 1 ratio. The compositions deviated from $BaO/Nd_2O_3=1$ ratio were composed of major phases of $BaNd_2Ti_4O_{12}$ or $BaNd_2Ti_5O_{14}$, and the compound of $Nd_2O_3$ and $TiO_2(Nd_2Ti_2O_7)$ or that of BaO and $TiO_2(BaTi_4O_9)$. The microstructure of ceramic with $BaO{\cdot}Nd_2O_3{\cdot}4TiO_2$ composition varied from spherical grains to needlelike grains with increasing sintering temperature. With increasing $Nd_2O_3$, the optimum sintering temperature with maximum density increased, and the dielectric constant(${\varepsilon}_r$) and quality factor(Q) decreased due to the formation of secondary phases. With increasing $TiO_2$, the optimum sintering temperature and the dielectric constant decreased with increased Q value. And the temperature coefficient of resonant frequency, ${\tau}_f$ shifted toward positive direction. The dielectric ceramics with $BaO/Nd_2O_3=1$ showed Q values of above 2000 and dielectric constants of above 80 at 3GHz.

• 분석과학
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• 제15권1호
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• pp.15-19
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• 2002

텅스텐이 첨가된 $BaTiO_x$계 세라믹재료 중 Ba, Ti 및 W의 회수율을 증가시키기 위하여 가압 산 분해법을 이용하여 전처리하였다. $BaTiO_x$계 세라믹재료 시료를 가압 산 부내장치 내에서 HF : HCI ( 1 : 2 ) 혼합산을 가하여 $220^{\circ}C$에서 3시간동안 분해시킨 후 ICP-AES를 이용하여 Ba, Ti 및 W을 정량하였다. 그 결과 Ba는 99.6% Ti는 99.8% W는 99.2%의 회수율과 Ba는 1.02% Ti는 0.73% W는 1.79%의 C.V.값을 각각 얻었다. 이 전처리 방법을 실제시료에 적용하여 25.9% Ba38.8% Ti과 3.31% W 함량을 각각 구할수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제16권10호
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• pp.908-911
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• 1995

The EPR spectra of Cu-or Zr-doped BaTiO3 ceramics exhibited absorption signals with g∥=2.380 and g⊥=2.063 which are assigned to Ba1+(Ba2+ + e'→Ba1+) ion reduced by an electron that was produced from the oxygen vacancy (VO..). The intensity of these signals decreased as the temperature increased indicating that Ba1+ was changed to Ba2+ as the temperature increased. These ceramics also showed the EPR signal with g=1.997 around TC which arises from ionized Ba-vacancies, VBa'(VBa + e'→VBa'. In the orthorhombic and tetragonal phase region g=1.997 signal was not seen. The electrons generating from the oxidation of Ba1+ and ionized Ba-vacancies may contribute to a space charge which is responsible for a dielectric relaxation of these samples.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권11호
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• pp.18-24
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• 2000

(Ba,Sr)$TiO_3$ 박막은 ULSI-DRAM 즉 1-4 Gbit급 DRAM용 셀(cell) 커패시터의 새로운 유전물질로 각광받고 있다. 본 연구에서는 ICP 장비에서 $BCl_3/Cl_2/Ar$ 플라즈마로 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막을 식각하였다. 이때 RF power/dc bias voltage는 600W/-250V, 반응로의 압력은 10mTorr 이었다. $Cl_2/(Cl_2+Ar)$은 0.2로 고정하였고, $BCl_3$ 가스를 첨가하면서 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막을 식각하였다. $BCl_3$ 가스를 10% 첨가하였을 때, $480{\AA}/min$으로 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막은 가장 높은 식각 속도를 나타내었다. $Cl_2/Ar$가스에 $BCl_3$의 첨가 비에 따른 Cl, BCl 및 B의 라디칼 밀도를 optical emission spectroscopy(OES)에 의해 구하였다. $BCl_3$를 10% 첨가하였을 때 Cl의 라디칼 밀도가 가장 높았다. (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막의 표면반응을 규명하기 위하여 XPS 분석을 수행한 결과 이온 bombardment 식각이 Ba-O 결합을 파괴하고 Ba와 Cl의 결합형태인 $BaCl_2$을 제거하기 위하여 필요하다. Sr과 Cl의 결합의 양은 많지 않고, Sr은 주로 물리적인 스퍼터링에 의하여 제거된다. Ti와 Cl은 화학적으로 반응하여 $TiCl_4$ 결합형태로 용이하게 제거된다. 식각후 단면사진을 SEM을 통해 본 결과 식각단면이 약 65~70$^{\circ}$ 정도였다.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제30권1호
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• pp.59-63
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• 2003

본 실험은 경정에서 다아체 형성을 통하여 Zantedeschia의 기내 대량번식 체계를 확립하기 위하여 실시하였다. Z. 'Best Gold'의 경정에서 다아체 형성률은 BA 2.0∼5.0 mg/L 및 TDZ 0.1∼l.0mg/L가 첨가된 배지에서 63% 이상으로 높았으며, BA 2.0 mg/L가 첨가된 배지에서는 75%로 가장 높았다. BA와 NAA의 혼용첨가는 BA 단용첨가배지와 비교하여 Z. 'Best Gold'의 신초경정에서 다아체의 형성 및 신초분화를 촉진하지 않았다. Z. 'Best Gold'의 형성된 다아체 절편체 (0.7∼1.0 cm)에서 다아체의 증식은 BA 2.0mg/L를 첨가한 배지가 효과적이었다. 형성된 다아체 절편체 (0.7∼l.0 cm)에서 신초의 생육 및 발근은 IBA 1.0∼2.0 mg/L가 첨가된 배지가 적합하였다. Z. 'Childsiana'는 TDZ 0.5 mg/L가 첨가된 배지에서, Z. 'Golden Affair'는 BA 3.0 mg/L 첨가배지가, Z. 'Pacific Pink'는 BA 5.0∼10.0 mg/L가 첨가된 배지에서 신초증식이 양호하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권6호
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• pp.609-613
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• 2006

분무열분해법에 의해 장파장 UV 여기원 하에서 높은 발광세기를 가지는 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체를 제조하였다. 분무열분해공정 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 발광특성, 분말 형태 및 결정성에 대해 조사하였다. 분무열분해 공정에 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 모체를 구성하는 바륨과 스트론튬의 비에 따라 청녹색에서 황색에 이르기까지 다양한 파장대의 색을 구현할 수 있었다. x = 0인 $Ba_2SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 경우 발광 중심파장이 500 nm였으며, x = 2인 $Sr_2SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 경우 발광중심 파장이 554 nm였다. 분무열분해 공정에 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 구형의 형상을 띄지만 중공성의 입자 특성을 가졌다. 반면에 후열처리 과정을 거친 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 큰 입자 크기와 불규칙한 형태를 가졌다. $Ba_{1.488}Sr_{0.5}SiO_4:Eu_{0.012}{^{2+}}$ 형광체가 환원분위기 하에서 후열처리 온도 $1,200^{\circ}C$에서 3시간 동안 후열처리 과정을 거쳤을 때 최적의 발광 세기를 가졌다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.1099-1102
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• 2004

For the development of Pb-free low temperature sintering glass frits, $BaO-B_2O_3-SiO_2$ system was examined. The content of BaO and $B_2O_3$ was changed when the content of $SiO_2$ was fixed to 10 mol%. When the content of BaO was more than 60 mol% devitrification was observed. In the sintering temperature range between 520${\sim}$620 $^{\circ}C$, the optimum sintering temperature decreased as the content of BaO increased. When BaO ${\geq}$45 mol%, the glasses were crystallized after sintering. Candidate compositions are suggested in $BaO-B_2O_3-SiO_2$ system, which can replace the PbO containing glass system.