• 대한화학회지
• /
• 제46권4호
• /
• pp.336-345
• /
• 2002

본 연구에서는 조합화학을 이용하여 $CaO-Gd_2O_3-Al_2O_3$계에서 $Eu^{3+}$와 $Tb^{3+}$활성 적색 및 녹색 PDP용 형광체를 탐색하였으며 탐색된 형광체의 합성온도, 최적조성,발광 특성 등을 조사하였다. $CaO-Gd_2O_3-Al_2O_3$의 삼성분계의 형광특성 라이브러리를 작성하기 위하여 210개의 다른 조성을 가진 시료를 고분자 착체 중합법으로 합성하였다. 합성된 형광체 분말을 VUV PL로 측정하여 형광 특성 라이브러리를 작성하였고 발광특성이 잘 나타난 시료를 XPD를 이용하여 결정 구조를 확인하였다. 적색 형광체로서 탐색된 $Ca_{\alpha}$G$d_{0.95-\alpha-\beta}$$Al_\beta$$O_\delta$ : Eu(0.02< $\alpha+\beta$ <0.04)형광체는 색순도 면에서 상용형광체보다 개선된 특성을 보였으며 녹색 형광체로서 탐색된 $CaGdAl_3O_7$ : Tb, Ca$Al_{12}$$O_{19}$ : Tb, $Gd_4Al_2$$O_9$ : Tb, $Gd_3Al_5$$O_{12}$ : Tb 형광체 중에서 $CaGdAl_3O_7$ : Tb, Ca$Al_{12}$$O_{19}$ : Tb형광체는 상용 형광체에 비해 잔광시간이 짧은 특성을 보였다

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.594-597
• /
• 1999

The new green and red phosphors for PDP application activated by T $b^{3+}$ and E $u^{3+}$ were synthesized, and their photoluminance properties were investigated. It was found that the brightness of $Al_3$Gd $B_4$ $O_{12}$ :T $b^{3+}$ green phosphor under 147nm VUV irradiation was higher than that of commercial Z $n_2$ $SiO_4$:M $n^{2+}$ phosphor. But the emitting intensity of A1$_3$Gd $B_4$ $O^{12}$ :E $u^{3+}$ red phosphor was inferior to the commercial (Y,Gd)B $O_3$:E $u^{3+}$. $Al_3$Gd $B_4$ $O_{12}$ Phosphor had a strong excitation band at 160nm associated with the host absorption, and also the photoluminance excitation intensity of $Al_3$Gd $B_4$ $O_{12}$ :T $b^{3+}$ was higher than that of Z $n_2$ $SiO_4$:M $n^{2+}$, but the intensity of $Al_3$Gd $B_4$ $O_{12}$ :E $u^{3+}$ phosphor was smaller than (Y,Gd)B $O_3$:E $u^{3+}$ phosphor In the VUV range. C $e^{3+}$ co-doping in A1$_3$Gd $B_4$ $O^{12}$ :E $u^{3+}$ and substitution of $Al^{3+}$ by G $a^{3+}$ A1$_3$Gd $B_4$ $O^{12}$ :E $u^{3+}$ phosphor were tried, but they did not improved the optical property .d the optical property .ty .

• 한국재료학회지
• /
• 제10권1호
• /
• pp.49-54
• /
• 2000

PDP용의 새로운 녹색 $Al_3GdB_4O_{12}:Tb^{3+} 형광체와 Al_3GdB_4O_{12}:Eu_{3+}$ 적색형광체를 제조한 후 광특성을 분석하였다. 또한 이들 형광체의 발광특성을 상용품인 $Zn_2SiO_4:Mn^{2+}$ 녹색 형광체와 $(Y,Gd)BO_3: Eu^{3+}$ 적색의 PDP 형광체와 상호 비교하였다. 형광체는 $1150^{\circ}C$에서 4시간 동안 공상 반응으로 제조하였다. 147nm의 진공자외선 조사시 $Al_3GdB_4O_{12}:Tb^{3+}$(15mol%) 녹색 형광체의 발광휘도는 상용품 $Zn_2SiO_4: Mn^{2+}$ 보다 증가하였으나 색좌표는 상대적으로 저하되었다. 한편 $Al_3GdB_4O_{12}:Eu^{3+}$(15mol%) 적색 형광체의 발광 휘도는 상용품$(Y,Gd)BO_3: Eu^{3+}$ 보다 작았으나 CIE 색좌표는 일부 개선되었다. $Al_3GdB_4O_{12}$ 형광체는 $\lambda=160nm$에서 모체 흡수에 의한 강한 여기밴드가 있으며, 진공자외선 영역에서 $Al_3GdB_4O_{12}:Tb^{3+}$ 녹색형광체의 여기강도는 $Zn_2SiO_4: Mn^{2+}$ 보다 컸으나 $Al_3GdB_4O_{12}:Eu^{3+}$ 적색 형광체의 여기강도는 $(Y,Gd)BO_3: Eu^{3+}$ 보다는 작았다.

• 한국재료학회지
• /
• 제5권6호
• /
• pp.644-649
• /
• 1995

$UO_2$-6wt%Gd$_2$O$_3$가연성 독물질 소결체에 미량첨가한 Al 화합물(Al(OH)$_3$, ADS(aluminium disterate), Al(OH)$_3$+ADS)이 소결성 및 미세조직에 미치는 영향을 고찰하고자 하였다. 이를 위하여 Al이 첨가된 $UO_2$-6wt%Gd$_2$O$_3$압분체를 1$700^{\circ}C$, 수소 분위기에서 4시간동안 소결한 후 특성시험을 수행하였다 Al을 첨가한 $UO_2$-6wt%Gd$_2$O$_3$의 소결밀도는 94% T.D.이상이였고, ADS를 이용한 Al 첨가가 개기공도 감소에 상대적으로 크게 기여하였다. 또한 Al을 첨가하면 10$\mu\textrm{m}$ 이상의 큰 기공과 1$\mu\textrm{m}$ 이하의 작은 기공은 많이 줄어들었고 첨가된 Al 화합물의 종류와는 무관하게 평균 기공크기는 2-3$\mu\textrm{m}$였다. 그리고 Al을 첨가하지 않은 소결체의 결정립은 이중 결정립 형태를 갖는 반면에 Al을 첨가하면 결정립은 균일하였다. 특히, ADS를 첨가한 소결체의 평균 결정립 크기는 4.6$\mu\textrm{m}$로 가장크게 증가하였다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
• /
• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
• /
• pp.90.1-90
• /
• 2003

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
• /
• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
• /
• pp.171.2-171
• /
• 2002

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제7권5호
• /
• pp.801-804
• /
• 2006

[ $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}(YBCO)$ ]계 초전도 선재용 $GdAlO_3(GAO)$ 버퍼층을 졸-겔(sol-gel) 공정에 의해 제조하였다. 전구체 용액은 Gd 질산염과 Al 질산염을 1:1 화학양론비로 하여 메탄올에 용해하여 준비하였다. 전구체 용액을 $SrTiO_3(STO)$ (100) 단결정 기판위에 스핀 코팅하고, 수분이 포함된 $N_2-5%\; H_2$ 분위기에서 $1000^{\circ}C$에서 2시간 열처리 하였다. 열처리 후 GAO 층의 표면에 대한 주사전자현미경 관찰에 의해 GAO 층이 에피택셜의 특징인 각면 형상을 갖는 것을 알 수 있었다. X-선 회절분석에 의하면 GAO 버퍼층은 c-축으로 우선 배향된 에피택셜 박막으로써 반가폭이 각각 (002)면에서 $0.29^{\circ}(out-of-plane)$, {112}지면에서 $1.10^{\circ}(in-plane)$의 우수한 배향성을 나타내었다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
• /
• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
• /
• pp.57.2-57
• /
• 2000

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.187-187
• /
• 2003

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제55권12호
• /
• pp.4642-4646
• /
• 2023

The Tb³⁺ or Eu³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor were fabricated by funace at 1500 ℃ for 12 h using a solid state reaction. The XRD (X-ray diffraction_Panalytical X'Pert Pro) and FE-SEM (field emission scanning electron microscope) are measured to confirm the crystalline structure and surface morphology of the phosphor. The Tb³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor emits the lights in 470~650 nm wavelength range due to transitions from ⁵D₄ to ⁷F_j. Therefore, it shows the green region in the CIE chromaticity diagram under both UV and X-rays excitations. The Eu³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor emits the lights in 550~750 nm wavelength range because of ⁵D_i to ⁷F_j. The emission is confirmed to be in the red region using the CIE chromaticity diagram. The Tb³⁺ or Eu³⁺-doped Lu₂Gd₁Ga₂Al₃O₁₂ phosphor shows the characteristic f-f transition with a long decay time, which is about several milliseconds. They have the high efficiency of light emission for X-ray because of their high effective Z number (Z_eff = 58.5) and density. Therefore, they are very much promising phosphors for X-ray imaging application in medical fields.