[16]-ane-$S_4$/탄소분말 함량비를 50%로 하여 nujol oil과 혼합하여 수식전극을 제조하였다. $5.0{\times}10^{-4}M$$Ag^+$를 포함하는 pH 4.5인 아세트 완충용액에 수식전극을 담가 $Ag^+$를 전극 표면에 흡착시켰다. 이 때 흡착시간을 15분으로 하고 전해환원시키는 시간은 -0.3V vs S.C.E에서 2분으로 하였다. 또한 0.1M $HNO_3$ 용액으로 전극을 활성화시켰으며 한번 활성화한 전극은 10회까지 사용이 가능하였다. 최적 분석조건에서 미분펄스 전압전류법으로 $5.0{\times}10^{-7}{\sim}1.5{\times}10^{-6}M$ 사이의 농도 범위에서 정량해 보았을 때 직선성이 잘 성립하였으며, 검출한계는 $2.0{\times}10^{-7}M$이었다. 대부분의 금속들은 방해를 주지 않았으나, Cu(II)은 방해를 나타내었다.
Supraja, Nookala;Dhivya, J.;Prasad, T.N.V.K.V.;David, Ernest
Advances in nano research
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제6권2호
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pp.183-200
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2018
In the present study silver nanoparticles (AgNPs) were successfully synthesized using aqueous extract of Sargassum muticum. The aqueous extract (10%) treated with 1 mM silver nitrate solution resulted in the formation of AgNPs and the surface plasmon resonance (SPR) of the formed AgNPs was recorded at 360 nm using UV-Visible spectrophotometer. The molecules involved in the formation of AgNPs were identified by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), surface morphology was studied by using scanning electron microscopy (SEM), SEM micrograph clearly revealed the size of the AgNPs was in the range of 40-65 nm with spherical, hexagonal in shape and poly-dispersed nature, and X-ray diffraction spectroscopy (XRD) was used to determine the crystalline structure. High positive Zeta potential (36.5 mV) of formed AgNPs indicates the stability and XRD pattern revealed the crystal structure of the AgNPs by showing the Bragg's peaks corresponding to (111), (200), (311) and (222) planes of face-centered cubic crystal phase of silver. The synthesized AgNPs exhibited effective anticancerous activity (at doses 25 and $50{\mu}g/ml$ of AgNPs) against Breast cancer cell line (MCF7).
We studied the influence of cathode material on the stability of organic phtovoltaics (OPVs). OPVs with LiF/Al and Ag/Ca/Ag cathode were fabricated and the stability were evaluated. The sample with LiF/Al cathode showed efficiency degradation from 2.42% to 2.04% during 50 days. On the other hand, the sample with Ag/Ca/Ag cathode showed more steeper efficiency degradation from 2.38% to 0.80% during 50 days. The different of degradation can be attributed to a larger increase of series resistance ($R_s$) in Ag/Ca/Ag cathode sample.
The results of investigations of $Ag_2Te$ crystal is presented. $Ag_2Te$ crystal was grown by the Bridgman method. The $Ag_2Te$ crystal was an monoclinic structure with lattice constance a = 8.1686, b=9.0425, c=8.0065. Hall effect shows a n-type conductivity in the $Ag_2Te$ crystal. The electrical resistivity values was $1.080e^{-3}cm$ and electron mobility was $-5.4810^{3}cm^{2}$/Vsec at room temperature(RT).
The stochiometric $AgGaSe_2$ polycrystalline mixture of evaporating materials for the $AgGaSe_2$ single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $AgGaSe_2$ mixed crystal and semi-insulating GaAs(100) wafer were used as source material and substrate for the Hot Wall Epitaxy (HWE) system, respectively. The source and substrate temperature were fixed at $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The thickness of grown single crystal thin films is $2.1{\mu}m$. The single crystal thin films were investigated by photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD) measurement. The carrier density and mobility of $AgGaSe_2$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $4.89{\times}10^{17}\;cm^{-3},\;129cm^2/V{\cdot}s$ at 293K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the $AgGaSe_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting ${\Delta}S_o$ and the crystal field splitting ${\Delta}C_r$ were 0.1762 eV and 0.2494 eV at 10 K, respectively. From the photoluminescence measurement of $AgGaSe_2$ single crystal thin film, we observed free excition $(E_X)$ observable only in high quality crystal and neutral bound exciton $(D^o,X)$ having very strong peak intensity And, the full width at half maximum and binding energy of neutral donor bound excition were 8 meV and 14.1 meV, respectively. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 141 meV.
Single crystal $AgGaSe_{2}$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $420^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $AgGaSe_{2}$ source at $630^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $AgGaSe_{2}$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $4.05{\times}10^{16}/cm^{3}$, $139cm^{2}/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgGaSe_{2}$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_{g}(T)$=1.9501 eV-($8.79{\times}10^{-4}{\;}eV/K)T^{2}$/(T+250 K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $AgGaSe_{2}$ have been estimated to be 0.3132 eV and 0.3725 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}So$ definitely exists in the ${\Gamma}_{5}$ states of the valence band of the $AgGaSe_{2}$. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1}-$, $B_{1}-$, and $C_{1}-$exciton peaks for n=1.
서브 미크론 구리-은 코어-쉘 Cu@Ag 입자를 초음파화학과 결합된 금속교환 반응으로 합성하고 인쇄용 전자부품을 위한 저렴한 전도성 페이스트 적용을 평가하였다. 코어-쉘의 합성을 위한 반응에서 코어로 사용된 $Cu_2O/Cu$ 복합체의 $Cu_2O$는 초음파화학 반응으로 Cu로 환원되고 Cu 원자는 Ag의 금속교환 반응의 환원제로 작용하여 코어 표면에 Ag가 코팅된 코어-쉘 구조를 얻었다. TEM-EDS와 TG-DSC를 이용하여 서브 미크론 입자의 코어-쉘 구조를 확인하였다. 70 wt% Cu@Ag를 용매에 분산시킨 전도성 페이스트를 결합제와 습윤제를 사용하여 제조하고, 스크린 인쇄법을 사용하여 폴리아미드 필름상에 코팅하였다. Ag 함량이 8 at%와 16 at%인 Cu@Ag 입자를 함유하는 인쇄된 페이스트 필름은 공기 중의 $180^{\circ}C$에서 소결한 후 각각 96.2와 $38.4{\mu}{\Omega}cm$의 낮은 비저항 값을 나타내었다.
Kim, Wan-Gyu;Lee, Gyo-Bin;Shim, Hong-Sik;Cho, Weon-Dae
한국균학회지
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제49권2호
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pp.249-251
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2021
Damping-off symptoms were frequently observed in young deltoid synurus (Synurus deltoides) plants grown in a farmer's vinyl greenhouse located in Hwacheon, Gangwon Province, Korea, during a disease survey in July 2019. The incidence of diseased plants in the vinyl greenhouse investigated was 5-30%. Five isolates of Rhizoctonia sp. were obtained from the diseased plants and identified as Rhizoctonia solani AG-1 (IB), based on morphological and cultural characteristics and anastomosis test results. Three isolates of R. solani AG-1 (IB) were tested for pathogenicity on deltoid synurus using artificial inoculation. All the tested isolates induced damping-off symptoms in the inoculated plants. The symptoms were similar to those observed in plants from the farmer's vinyl greenhouse. To our best knowledge, this is the first report of R. solani AG-1 (IB) causing damping-off in deltoid synurus.
면역크로마토그래피 진단방법을 이용하는 B형간염 스크리닝 kit를 개발하기 위하여 두가지의 항체를 이용하였다. 표식자항체로 사용된 것은 단세포군항체 anti-HBs이고 포획항체는 goat anti-HBs 인데 포획항체는 니트로셀룰로즈 막에 고정되고 표식자항체는 금 입자에 결합된다. 혈청 검체를 well에 가하면 유리섬유 표면에 건조상태로 침착되어 있던 conjugate가 활성화되어 검체중의 HBsAg와 결합한다. 검체를 가한 지 5분 후 검사결과가 나타나는데 HBsAg와 conjugate가 결합된 복합체가 니트로셀롤로즈 막의 하단부에 붉은 색 선으로 나타난다. 본 kit의 검출한계는 표준 HBs-Ag 용액을 사용하여 시험하였을 때 2 ng/ml이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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