• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.473-480
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• 1997

소결조제로 $Al^2O^3$와$Y^2O^3$를 첨가한 $\beta$-SiC 분말에 seed로서 1 wt% 및 wt%$\beta$-SiC 휘스커를 첨가한 시편과 첨가하지 않은 시편을 $1850^{\circ}C$ 에서 5-10 시간 동안 열처리를 행하였다. Seed로서 1-3 wt% $\beta$-SiC 휘스커의 첨가는 액상소결 탄화규소의 미세구조와 기계적특성에 의미 있는 영향을 미치지 않았다. 이는 $\beta$-SiC 휘스커가 액상이 존재하는 고온가압소결 조건에서 불안정하기 떼문이라고 생각된다. $\beta$-SiC 휘스커를 1 wt% 첨가하여 $1950^{\circ}C$에서 5시간 동안 열처리한 시편의 강도 및 파괴인성은 각각 465 MPa 및 5.8 MPa $m^{1/2}$이었고, 동일조건에서 제조된 $\beta$-SiC 휘스커를 펌가하지 않은 시편의 강도 및 피괴인성은 각각 451 MPa 및 5.5 MPa $m^{1/2}$이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
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• pp.162-162
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• 1997

• 한국결정학회지
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• 제6권2호
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• pp.134-140
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• 1995

Glass/SiNx/ZnO 적층 박막구조의 SAW 특성 변화를 분석하였다. ZnO 박막은 rf magnetron sputter를 이용하여, 산소를 반응성 가스로 Ar과 함께 진공챔버내에 주입시켜 증착하였고, 주로 산소량에 따른 박막의 특성변화를 관찰하였다. 산소분압은 ZnO 박막의 증착속도 및 결정성에 많은 영향을 주고 있었으며, rocking curve의 결과에 의하면 (002) 배향성을 가진 ZnO 박막의 c-축 수직도가 Ar과 산소의 유량비가 67/33에서 가장 좋은 2.17도를 보여주고 있다. 이 값은 ZnO 박막을 압전요소로 사용하기에 충분한 조건이다. SiNx의 두께를 7000Å, ZnO 박막의 두께를 5μm로 한 glass/SiNx/Al/ZnO의 박막 적층 구조의 SAW 특성을 보면 ZnO/glass 구조와 비교시 SAW 속도가 최대 2.2%까지 증가했음을 알 수 있었다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.57.1-57
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• 2003

• 한국세라믹학회지
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• 제46권5호
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• pp.472-477
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• 2009

Monodisperse spherical $SiO_2$ particles of various sizes ($\sim$350 nm and $\sim$800 nm) and size distributions were synthesized from TEOS and MTMS. The particle size and size distribution were controlled by changing the volume ratio of water to ethanol and the reaction temperature. Narrow-sized $SiO_2$ particles with $\sim$3% size distribution were obtained. Self-assembly of the $SiO_2$ particles for photonic crystals were performed by the solvent evaporation method. The number of ordered $SiO_2$ layers can be controlled by changing the amount of the dispersed $SiO_2$ volume fraction in the solvent.

• 한국세라믹학회지
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• 제27권5호
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• pp.668-676
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• 1990

Glass in the ZrO2-SiO2 system containing up to 30mol% ZrO2 were prepared by heating the gel made from the mixed solutions of Zr(OC3H7)4 and partial hydrolysed Si(OC2H5)4. As a result, the monolith gel was made from the HCl and water content as 2.7$\times$10-3 and 8 molar ratio to alkoxide and drying temoperature as 4$0^{\circ}C$. Heating rate of dry gel maintained under 0.5$^{\circ}C$/min and heating at a temperature as 90$0^{\circ}C$ was found to be for making the transparent glass.

• 대한화학회지
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• 제52권1호
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• pp.47-51
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• 2008

조사 아래 불균일촉매 NaHSO4.SiO2의 존재하에서 5,7-diaryl-4,4-dimethyl-4,5,6,7-tetrahydropyridino [3,4-d]-1,2,3-selenadiazoles의 one-pot.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권2호
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• pp.189-194
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• 1999

Crystallization of glasses in the system (Ca, Sr, Ba)$O-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2-TiO_2$ and dielectric properties of crystallized glasses were investigated. As increasing B2O3 content and decreasing SiO2 content in the glass, the major crystalline phase changed from $(Sr, Ba)_2TiSi_2O_8$ to (Ca, Sr, Ba)TiO3, the dielectric constant of crystallized glasses increased and the Temperature Coefficient of Capacitance (TCC) changed to negative. The dielectric constant and TCC was estimated for (Sr, Ba)2TiSi2O8 phase as 18 and -440 $ppm/^{\circ}C$, respectively and for (Ca, Sr, Ba)TiO3 phase as 307 and -1900 $ppm/^{\circ}C$, respectively. The dielectric properties of (Ca, Sr, Ba)TiO3 phase (in this study) were similar to those of (Ca, Ba) TiO_3 solid-solution^12)$, but $(Sr, Ba)_2TiSi_2O_8$ phase (in this study) and $Sr_2TiSi_2O_\;8^4$ showed the different properties.

• 한국광학회지
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• 제13권3호
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• pp.215-222
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• 2002

광기록매체용 Ge-Sb-Te다층박막 성장과정을 in-situ 타원계를 사용하여 실시간으로 모니터하여 각 층의 두께를 제어하고 성장된 Ge-Sb-Te 다층박막을 ex-site 분광타원법으로 확인하였다. 보호층인 ZnS-SiO$_2$와 기록층인 Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$을 단결정실리콘 기층 위에 스퍼터링 방법으로 각각 성장시키면서 구한 타원상수 성장곡선을 분석하여 성장에 따르는 보호층의 균일성 및 기록 층의 밀도변화를 파악하고 이를 기초로 하여 Ge-Sb-Te광기록 다층박막의 두께를 정밀하게 제어하였다. Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ 단층박막 시료의 복소굴절율은 eX-Situ 분광타원분석을 통하여 구하였다. 제작된 다층구조는 설정된 다층구조인 ZnS-SiO$_2$(1400$\AA$)$\mid$ GST(200 $\AA$)$\mid$ZnS-SiO$_2$(200$\AA$)와 각 층의 두께 및 전체 두께에서 1.5% 이내에서 일치하는 정확도를 보여주었다.주었다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권1호
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• pp.44-49
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• 1999

In order to improve the oxidation resistance of $Ti_3Al$, Ti-25at.%Al composites containing dispersed particles of 15wt.%SiC were prepared by a tubular mixing-spark plasma sintering method. The sintered composites had $Ti_3Al$, SiC, $Ti_5Si_3$ and TiC. The presence of $Ti_5Si_3$ and TiC indicates that some of SiC particles reacted with Ti to from more stable phases. From oxidation tests at 800, 900 and $1000^{\circ}C$ under 1 atm of pure oxygen, it was found that the oxidation rate of Ti3Al was effectively reduced by the addition of SiC. The scale was primarily composed of an outer $TiO_2$ layer having some $Al_2O_3 $islands, an intermediate relatively thick $Al_2O_3 $ layer, and an inner $TiO_2+Al_2O_3+SiO_2$ mixed layer. Beneath the scale, Kirkendall voids were seen.