Low Temperature Sintering and Microwave Dielectric Properties of Zn1-x(Li1/2La1/2)xTiO3 Ceramics

Microwave dielectric properties and the behavior of low-temperature sintering of $Zn_{1-x}(Li_{1/2}La_{1/2})_xTiO_3$ ($0.01{\leq}x{\leq}0.05$) with 4 wt% $H_3BO_3$ were investigated as a function of $(Li_{1/2}La_{1/2})^{2+}$ content. The sintering temperature of the specimens can be reduced from $1150^{\circ}C$ to $875^{\circ}C$ with the addition of 4 wt% $H_3BO_3$ as a sintering agent. Dielectric constant (K) and Temperature Coefficient of resonant Frequency (TCF) with the substitution of ($(Li_{1/2}La_{1/2})^{2+}$ ion depended on dielectric mixing rule. Quality factor (Qf) depended on density and microstructure. Typically, K of 26.5, Qf of 19,030 GHz and TCF of 7.5 ppm$/^{\circ}C$ were obtained for the specimens with x=0.03 sintered at $875^{\circ}C$ for 3 h.

Zn1-x(Li1/2La1/2)xTiOM3계 세라믹스의 저온 소결 및 마이크로파 유전특성

$Zn_{1-x}(Li_{1/2}La_{1/2})_xTiO_3$ ($0.01{\leq}x{\leq}0.05$)세라믹스에 $H_3BO_3$를 4 wt% 첨가 후 $(Li_{1/2}La_{1/2})^{2+}$ 치환량 변화에 따른 저온 소결 거동 및 마이크로파 유전특성을 고찰하였다. 저온 소결첨가제인 H$_3$BO$_3$를 4 wt% 첨가하여 소결온도를 $1150^{\circ}C$에서 $875^{\circ}C$로 낮출 수 있었으며, 치환량 변화에 따른 유전상수와 공진주파수 온도계수(TCF)의 변화는 존재상의 유전체 혼합 법칙(dielectric mixing rule)에 의존하였고, 품질계수(Qf)는 소결 시편의 밀도와 미세구조에 의존하여 변화되었다 $875^{\circ}C$에서 3시간 소결한 경우 x=0.03에서 K=26.5, Qf=19,030 GHz, TCF=7.5 ppm$/^{\circ}C$를 얻을 수 있었다.