Effects of Oxygen Flow Ratio on the Crystallographic Orientation of NiO Thin Films Deposited by RE Magnetron Sputtering

Nickel oxide (NiO) thin films were prepared on Si(100) substrates at room temperature by RF magnetron sputtering using a NiO target. The effects of oxygen flow ratio for the plasma gas on the preferred orientation and surface morphology of the NiO films were investigated. Highly crystalline NiO film with (100) orientation was obtained when it was deposited in pure Ar gas. For NiO film deposited in pure O$_2$ gas, on the other hand, the orientation of the film changed from (100) to (111) and its deposition rate decreased. The origin of the preferred orientation of the films was discussed. NiO films also showed different surface morphologies and roughnesses with the oxygen flow ratio.

RF 마그네트론 스퍼터링에 의한 NiO 박막 증착시 산소 유량비가 박막의 결정 배향성에 미치는 영향

NiO 산화물 타겟을 이용한 RF 마그네트론 스퍼터로 상온에서 Si(100) 기판 위에 NiO 박막을 증착시켜, 스퍼터 가스의 산소 유량비가 NiO 박막의 결정 배향성과 표면 형상에 미치는 영향을 조사하였다. Ar 가스에서 증착된 NiO 박막은 높은결정화도와 (100)면의 우선 배향성을 나타내었으나, $O_2$ 가스에서 증착된 경우에는 (111)면의 우선 배향성을 보였으며 그 증착속도도 감소하였다. 스퍼터 가스의 $O_2$ 함량에 따른 NiO 박막의 결정성과 우선배향성 변화에 대한 요인을 고찰하였으며, 박막의 표면 형상과 거칠기의 변화를 조사하였다.