1 |
P. de Rouffignac, Z. Li, and R. G. Gordon : Electrochemical and Solid State Letters, 7, G360-G308, 2004.
|
2 |
J. Widodo, W. Lu, S. G. Mhaisalkar, J. L. L. Sudijono, L. C. Hsia, L. Shen and K. Y. Zeng : Thin Solid Films, 472, 195-202, 2005.
DOI
|
3 |
J. Widodo, W. Lu, S. G. Mhaisalkar, L. C. Hsia, P. Y. Tan, L. Shen and K. Y. Zeng : Thin Solid Films, 475, 213-218, 2004.
|
4 |
C. S. Yang, Y. H. Yu, H. J. lee, K. M. Lee and C. C. Choi : Thin Solid Films, 475, 150-154, 2005.
DOI
|
5 |
L. Plantier, Y. Le Friec, A. Humbert, G. Imbert, E. Sabouret, M. Sardo, V. Girault, D. Delille, S. Jullian, K. Junker : Microelectronic Engineering, 83, 2407-2411, 2006.
DOI
ScienceOn
|
6 |
T. Oh : IEEE transactions on Nanotechnology, 5, 23-29, 2006.
DOI
|
7 |
T. Oh, and C. H. Kim : IEEE Trans. Plasma Science, 38, 1598-1602, 2010.
DOI
|
8 |
Y. L. Cheng, Y. L. Wang, J. K. Lan, H. C. Chen, J. H. Lin, Y. L. Wu, P. T. Liu, Y. C. Wu and M. S. Feng : Thin Solid Films, 469-470, 1787-183, 2004.
|
9 |
T. Oh : Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7871-7875, 2006.
DOI
|