1 |
T. W. Kang, J. Y. Leem, T. W. Kim, Microelectronics J., 27 (1996) 423.
DOI
|
2 |
T. W. Kang, Y. T. Oh, J. Y. Leem, T. W. Kim, J. Material Sci. Lett., 11 (1992) 392.
DOI
|
3 |
C. Cochran, L. Foster, J. Electrochem. Soc., 109 (1962) 144.
DOI
|
4 |
G. E. Becker, J. C. Bean, J. Appl. Phys., 48 (1997) 3395.
|
5 |
Y. Ota, J. Electrochem. Soc., 126 (1979) 1761.
DOI
|
6 |
J. C. Bean, G. E. Becker, P. M. Petroff, T. E. Seidel, J. Appl. Phys., 48 (1977) 907.
DOI
|
7 |
A. Ishizaka, Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc., 133 (1986) 666.
DOI
|
8 |
J. C. Bean, G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett., 41 (1982) 752.
DOI
|
9 |
D. M. Zehner, C. W. White, G. W. Ownby, Appl. Phys. Lett., 36 (1980) 56.
DOI
|
10 |
T. de Jong, W. A. S. Dowma, L. Smit, V. V. Korablev, F. W. Saris, J. Vac. Sci. Technol. B, 1 (1983) 888.
DOI
|
11 |
H. Usui, S. Mukai, H. Yasuda, H. Mori, J. Cryst. Growth, 311 (2009) 2269.
DOI
|
12 |
D. Colombo, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, A. Fedorov, H. von Kanel, G. Isella, J. Luminescence, 121 (2006) 375.
DOI
|
13 |
H. Huang, X. Ren, J. Lv, Q. Wang, H. Song, S. Cai, Y. Huang, B. Qu, J. Appl. Phys., 104 (2008) 113114-1.
DOI
|
14 |
T. Soga, T. Jimbo, G. Wang, K. Ohtsuka, M. Umeno, J. Appl. Phys., 87 (2000) 2285.
DOI
|
15 |
J. Y. Leem, D. Y. Kim, T. W. Kang, J. J. Lee, J. Y. Oh, Appl. Phys. Lett., 57 (1990) 2228.
DOI
|