1 |
O. Madelung, Data in Science and Technology-Semiconductors Group IV Elements and III-V Compounds, (Springer, Berlin, 1991), p. 141.
|
2 |
I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
DOI
ScienceOn
|
3 |
T. Ashley, A. B. Dean, C. T. Elliott, G. J. Pryce, A. D. Johnson, and H. Willis, Appl. Phys. Lett. 66, 481 (1995).
DOI
ScienceOn
|
4 |
F. W. Wise, Acc. Chem. Res. 33, 773 (2000).
DOI
ScienceOn
|
5 |
J. Heremans, J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 1149 (1993).
DOI
ScienceOn
|
6 |
Y. X. Zhang and F. O. Williamson, Appl. Opt. 21, 2036 (1982).
DOI
|
7 |
S. Yamaguchi, T. Matsumoto, J. Yamazaki, and N. Kaiwa, A. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 87, 201902 (2005).
DOI
ScienceOn
|
8 |
J. H. Seol, A. L. Moore, S. K. Saha, F. Zhou, L. Shi, Q. Ye, R. H. Scheffler, N. Mingo, and T. Yamada, J. Appl. Phys. 101, 023706 (2007).
DOI
ScienceOn
|
9 |
Y. Li, F. Qian, J. Xiang, and C. M. Lieber, Mater. Today 9, 18 (2006).
|
10 |
F. Qian, S. Gradecak, Y. Li, C. Y. Wen, and C. M. Lieber, Nano Lett. 5, 2287 (2005).
DOI
ScienceOn
|
11 |
F. Qian, Y. Li, S. Gradecak, H. G. Park, Y. Dong, Y. Ding, Z. L. Wang, and C. M. Lieber, Nat. Mater. 7, 701 (2008).
DOI
ScienceOn
|
12 |
F. Qian, Y. Li, S. Gradecak, D. Wang, C. J. Barrelet, and C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 1975 (2004).
DOI
ScienceOn
|
13 |
R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
DOI
|
14 |
R. S. Wagner and W. R. Ellis, Trans. Met. Soc. AIME. 233, 1053 (1965).
|
15 |
M. Reich, S. Utsunomiya, S. E. Kesler, L. Wang, R. C. Ewing, and U. Becker, Geology 34, 1033 (2006).
DOI
ScienceOn
|