Annealing Effects on Properties of ZnO Nanorods Grown by Hydrothermal Method
![]() |
Jeon, Su-Min
(Department of Nano Systems Engineering, Inje University)
Kim, Min-Su (Department of Nano Systems Engineering, Inje University) Kim, Ghun-Sik (Department of Nano Systems Engineering, Inje University) Cho, Min-Young (Department of Nano Systems Engineering, Inje University) Choi, Hyun-Young (Department of Nano Systems Engineering, Inje University) Yim, Kwang-Gug (Department of Nano Systems Engineering, Inje University) Kim, Hyeoung-Geun (Department of Nano Systems Engineering, Inje University) Lee, Dong-Yul (Samsung LED) Kim, Jin-Soo (Division of Advanced Materials Engineering, Chonbuk National University) Kim, Jong-Su (Department of Physics, Yeungnam University) Lee, Joo-In (Advanced Instrument Technology Center, Korea Research Institute of Standards and Science) Leem, Jae-Young (Department of Nano Systems Engineering, Inje University) |
1 | C. Wang, P. Zhang, J. Yue, Y. Zhang, and L. Zheng, Physica B 403, 2235 (2008). DOI ScienceOn |
2 | W. M. Kwok, A. B. Djurisic, Y. H. Leung. D. Li, K. H. Tam, D. L. Phillips, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 89, 183112 (2006). DOI |
3 | B. Ha, H. Ham, and C. J. Lee, J. Phys. Chem. Solid 69, 2453 (2008). DOI |
4 | Y. Ryu, T. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. Kim, Y. Park, and C. Youn, Appl. Phys. Lett. 88, 241108 (2006). DOI |
5 | P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, Nathan, Morris, J. Pham, R. He, and H. J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002). DOI |
6 | M. S. Kim, T. H. Kim, D. Y. Kim, G. S. Kim, H. Y. Choi, M. Y. Cho, S. M. Jeon, J. S. Kim, J. S. Kim, D. Y. Lee, J. S. Son, J. I. Lee, J. H. Kim, E. Kim, D. W. Hwang, and J. Y. Leem, J. Crys. Growth 311, 3568 (2009). DOI |
7 | S. W. Xue, X. T. Zu, L. X. Shao, Z. L. Yuan, W. G, Zheng, X. D. Jiang, and H. Deng, J. Alloy Compd. 458, 569 (2008). DOI |
8 | B. Liu and H. C. Zeng, J. Am. Chem. Soc. 125, 4430 (2003). DOI |
9 | B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001). DOI |
10 | L. Wu, Y. Wu, X. Pan, and F. Kong, Opti. Mater. 28, 418 (2006). DOI |
11 | Y. Sun, G. M. Fuge, and M. N. R. Ashfold, Chem. Phys. Lett. 396, 21 (2004). DOI ScienceOn |
12 | M. H. Choi and T. Y. Ma, J. Mater, Sci. 41, 431 (2006). DOI |
13 | J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 215 (2002). DOI |
14 | W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002). DOI |
15 | Q. X. Zhao, P. Klason, and M. Willander, Appl. Phys. A Mater. Sci. Process 88, 27 (2007). DOI |
16 | H. M. Zhong, W. Lu, Y. Sun, and Z. F. Li, Chin. Phys. Lett. 24, 2678 (2007). DOI |
17 | C. Bekeny, T. Voss, B. Hilker, J. Gutowsaki, R. Hauschild, H. Kalt, B. Postels, A. Bakin, and A. Waag, J. Appl. Phys. 102, 044908 (2007). DOI |
18 | Y. Zhang, G. Du, B. Liu, H. C. Zhu, T. Yang, W. Li, D. Liu, and S. Yang, J. Crystal Growth 262, 456 (2004). DOI ScienceOn |
19 | A. B. Djurišić, Y. H. Leung, K. H. Tam, Y. F. Hsu, L. Ding, W. K. Ge, Y. C. Zhong, K. S. Wong, W. K. Chan, H. L. Tam, K. W. Cheah, W. M. Kwok, and D. L. Phillips, Nanotechnology 18, 095702 (2007). DOI |
20 | R. Yousefi and B. Kamaluddin, Solid State Sci. 12, 252 (2010). DOI |
21 | B. Ha, H. Hm, and C. J. Lee, J. Phys. Chem. Solids 69, 2453 (2008). DOI |
22 | L. L. Yang, Q. X. Zhao, M. Willander, J. H. Yang, and I. Ivanov, J. Appl. Phys. 105, 053503 (2009). DOI |
23 | M. S. Wang, E. J. Kim, J. S. Chung, E. W. Shin,S. H. Hahn, K. E. Lee, and C. H. Park, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 2418 (2006). DOI |
24 | X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu, and H. C. Ong, Appl. Phys. Lett. 78, 2285 (2001). DOI |
25 | S. A. Studeninkin, N. Golego, and M. Cocivera, J. Appl. Phys. 84, 2287 (1998). DOI |
26 | B. W. Park, G.-C. Yi, M. Kim, and S. J. Pennycook, Adv. Mater. 14, 1841 (2002). DOI |
27 | J. S. Lee, K. Park, M. I. Kang, I. W. Park, S. W. Kim, W. K. Chom, H. S. Han, and S. Kim, J. Cryst. Growth 254, 423 (2003). DOI |
28 | M. L. Cui, X. M. Wu, L. J. Zhuge, and Y. D. Meng, Vacuum 81, 899 (2007). DOI |
29 | Y. F. Mei, R. K. Y. fu, G. G. Siu, P. K. Chu, Z. M. Li, C. L. Yang, W. K. Ge, Z. K. Tang, W. Y. Cheung, and S. P. Wong, Mater. Sci. Process 7, 459 (2004). DOI |
30 | X. D. Bai, P. X. Gao, Z. L. Wang, and E. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 82, 4806 (2003). DOI |
31 | C. Li, X. C. Li, P. X. Yan, E. M. Chong, Y. Liu, G. H. Yue, and X. Y. Fan, Appl. Surf. Sci. 253, 4000 (2007). DOI |
32 | L. Wang, Y. Pu, Y. F. Chen, C. L. Mo, W. Q. Fang, C. B. Xiong, J. N. Dai, and F. Y. Jiang, J. Cryst. Growth 284, 459 (2005). DOI |
33 | Z. B. Fang, Z. J. Yan, Y. S. Tan, X. Q. Liu, and Y. Y. Wang, Appl. Surf. Sci. 241, 303 (2005). DOI |
34 | 류혁현, 한국진공학회지 18, 73 (2009). 과학기술학회마을 |
35 | Y. J. Xing, Z. H. Xi, Z. Q. Xue. X. D. Zhang, J. H. Song, R. M. Wang, J. Xu. Y. Song, S. L.Zhang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 83, 1689 (2003). DOI |
36 | Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998). DOI |
37 | 김희수, 한국진공학회지 18, 384 (2009). 과학기술학회마을 |
38 | M. Wang, J. Wang, W. Chen, Y. Cui, and L. Wang, Mater. Chem. Phys. 97, 219 (2006). DOI |
39 | H. J. Ko, M. S. Han, Y. S. Park, Y. S. Yu, B. I. Kim, S. S. Kim, and J. H. Kim, J. Cryst. Growth 269, 493 (2004). DOI |
40 | J. Koo, M. Lee, J. Kang, C. Yoon, K. Kim, Y. Jeon, and S. Kim, Semicond. Sci. Technol. 25, 045010 (2010). DOI |
![]() |