1 |
B. H. Lee, Y. J. Jeon, K. Zawadzki, W.-J Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 3143 (1999).
DOI
|
2 |
C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, P. C. Mcintyre, and K. C. Saraswat. IEEE Transactions on Electron Devices. 53, 1509 (2006).
DOI
|
3 |
S. M. Sze and J. C. Irvin, Solid State Electron. 11, 599 (1968).
DOI
|
4 |
T. Deegan and G. Hughes, Appl. Surf. Sci. 123/124, 66 (1998).
DOI
|
5 |
C.-C. Cheng, C.-H. Chien, C.-W. Chen, S.-L. Hsu, C.-H. Yang, and C.-Y. Chang, J. Electrochem. Soc. 153, F160 (2006).
DOI
|
6 |
F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, and J.A. Yarmoff, Phys. Rev. B. 38, 6084 (1988).
DOI
|
7 |
H. Kim, D. C Gilmer, S. A. Campbell, and D. L. Polla, Appl. Phys. Lett. 69, 3860 (1996).
DOI
|
8 |
N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, T. Chikyow, H. Watanabe, K. Yamabe, T. Ohno, K. Yamada, and Y. Nara, IEEE Electr. Device L. 28, 363 (2007).
DOI
|
9 |
I. Takahashi, H. Sakurai, A. Yamada, K. Funaiwa, K. Hirai, S. Urabe, T. Goto, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi, Appl. Surf. Sci. 216, 239 (2003).
DOI
|
10 |
M. Houssa, T. Conard, F. Bellenger, G. Mavrou, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, A. Dimoulas, M. Meuris, M. Caymax, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc. 153, G1112 (2006).
DOI
|
11 |
T. Sugawara, Y. Oshima, R. Sreenivasan, and P. C. Mclntyre, Appl. Phys. Lett. 90, 112912 (2007).
DOI
|
12 |
조영제, 이지면, 곽준섭, 한국진공학회 18, 30 (2009).
과학기술학회마을
|
13 |
N. Haraki, S. Nakano, S. Ono, and S. Teii, Electr. Eng. Japan. 149, 14 (2004).
DOI
|
14 |
K. J. Hubbard and D. G. Schlom, Materials Research Society Bulletin. 27, 198 (2002).
DOI
|
15 |
H. Kim, C. O. Chui, K. C. Saraswat, and P.C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 83, 2647 (2003)
DOI
|
16 |
C. Chaneliere, J. L. Autran, R. A. B. Devine, and B. Balland, Materials Science and Engineering R22, 269 (1998).
|
17 |
S. B. Chen, C. H. Lai, and A. Chin, IEEE Electr. Device L. 23, 185 (2002).
DOI
|
18 |
G. Bersuker, P. Zeitzoff, G. Brown, and H. R. Huff, Mater. Today 7, 26 (2004).
|
19 |
R. Garg, D. Misra, and S. Guha, IEEE Transaction on Device and Materials Reliability 6, 455 (2006).
DOI
|
20 |
S. C. Song, H. F Luan, Y. Y. Chen, M. Gardner, J. Fulford, M. Allen, and D. L. Kwong, Electron Devices Meeting, 1998. IEDM Technical Digest, 373 (1998).
|
21 |
W. J. Maeng and H. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 092901 (2007).
DOI
|
22 |
D.A. Buchanan, E.P. Gusev, E. Cartier, H. Okorn-Schmidt, K. Rim, M.A. Gribelyuk, A. Mocuta, A. Ajmera, M. Copel, S. Guha, N. Bojarczuk, A. Callegari, C. D'Emic, P. Kozlowski, K. Chan, R.J. Fleming, P.C. Jamison, J. Brown, and R. Arndt, "80 nm poly-silicon gated n-FETs with ultra-thin Al2O3 gate dielectric for ULSI applications", Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest, 223 (2000).
|
23 |
김대희, 서화일, 김영철, 한국진공학회 18, 9 (2009).
과학기술학회마을
|