1 |
B. A. Haskell, F. Wu, M. D. Craven, S. Matsuda, P. T. Fini, T. Fuji, K. Fujito, S. P. Denbaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 83, 644 (2003)
DOI
ScienceOn
|
2 |
N. Thillosen, K. Sebald, H. Hardtdegen, R. Meijers, R. Calarco, S. Montanari, N. Kaluza, J. Gutowski, and H. Luth, Nano Lett. 6, 704 (2006)
DOI
ScienceOn
|
3 |
Z. H. Wu, A. M. Fischer, F. A. Ponce, T. Y okogawa, S. Yoshida, and R. Kato, Appl. Phys. Lett. 93, 011901 (2008)
DOI
ScienceOn
|
4 |
Y. Sohn, S. Lee, H. Choe, and C. Kim, J. Kor. Phys. Soc. 53, 908 (2008)
DOI
ScienceOn
|
5 |
T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, J. S. Speck, S. Nakamura, and Jpn. J. Appl. Phys. 45, L154 (2006)
DOI
ScienceOn
|
6 |
P. Ruterana. M. Albrecht, J. Neugebauer, Nitride Semiconductors, Handbook on Materials, and Devices, Wiley-Vch Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (2003)
|
7 |
H. M. Kim, T. W. Kang, and K. S. Chung, Adv. Mater. 15, 567 (2003)
DOI
ScienceOn
|
8 |
P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature 406, 865 (2000)
DOI
ScienceOn
|