1 |
R. G. Wilson,R. N. Scheartz, C. R. Abernathy. S. J. Pearton, N. Newman, M. Rubin, T. Fu, and J.M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 65, 992 (1994)
DOI
ScienceOn
|
2 |
J. H. Shin, H. S. Han, S. Y. Seo, and W.H. Lee, J. Kor. Phys. Soc. 34, S16 (1999)
|
3 |
J. T. Torvik, C. H. Qiu, R. J. Feuerstein, J. I. Pankove, and F. Namavar, J. Appl. Phys. 81, 6343 (1997)
DOI
ScienceOn
|
4 |
P. N. Favennec, H. L'Haridon, M. Salvi, D. Moutonnrt, and Y. Le Guillou, Electron. Lett. 25, 718 (1998)
|
5 |
S. Kim, S. J. Rhee, X. Li, J. J. Coleman, and S. G. Bishop, Appl. Phys. Lett. 76, 2403 (2000)
DOI
ScienceOn
|
6 |
C. H. Qiu, M. W. Leksono, J. I. Pankove, J. T. Torvik, R. J. Feuerstein, and F. Namavar, Appl. Phys. Lett. 66, 562 (1995)
DOI
ScienceOn
|
7 |
A. J. Neuhalfen and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 60, 2657 (1992)
DOI
|
8 |
Rare Earth Doped Semiconductors II, edited by S. Coffa, A. Polman, and R. N. Schwartz, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 422 (1996)
|
9 |
A. J. Steckl and R. Birkhahn, Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1998)
DOI
ScienceOn
|
10 |
S. Kim, S. J. Rhee, X. Li, J. J. Coleman, and S. G. Bishop, Phys. Rev. B57, 14588 (1998)
|