1 |
A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, and U. Gosele, J. Appl. Phys. 84, 6023(1998)
DOI
ScienceOn
|
2 |
R. J. Tonucci, B. L. Justus, A. J. Campillo, C. E. Ford, Science, 258. 783(1992)
DOI
|
3 |
K. Douglas, G. Devaud, N. A. Clark, Science, 257, 642(1992)
DOI
|
4 |
J. S. Suh and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett., 75, 2047(1999)
DOI
ScienceOn
|
5 |
D. D. Sung, M. S. Choo, J. S. Noh, W. B. Chin, and W. S. Yang, Bull. Korean Chem. Soc., 27, 1159(2006)
DOI
|
6 |
S. Facsko, T. Dekorsy, C. Koerdt, C. Trappe, H. Kurz, A. Vogt, H. L. Hartnagel, Science, 285, 1551(1999)
DOI
ScienceOn
|
7 |
C. R. Martin, L. S. Van Dyke, Zhihua Cai, and Wenbin Liang, J. Am. Chem. Soc. 112, 8976(1990)
DOI
|
8 |
X. F. Wang and L. D. Zhang, J. Phys. D 34, 418(2001)
DOI
ScienceOn
|
9 |
Shufang Yu, Myungchan kang, Naichao Li, Charles R. Martin, Abs. 85, 204th Meeting, 2003 The Electrochemical Society
|
10 |
K. Haya, S. Sugawara, K. Aral, and S. Selto, J. Chem. Eng. Jpn. 17, 514(1984)
DOI
|
11 |
Xiangyang Mei, Marina Blumin, Danny Kim, Zhanghua Wu, Harry E. Ruda, J. Crystal Growth, 251, 253(2003)
DOI
ScienceOn
|
12 |
S. C. Minne, Ph. Flueckiger, H. T. Soh, and C. F. Quate, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1380(1995)
DOI
|
13 |
H. Masuda and M. Satoh, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L126(1996)
DOI
ScienceOn
|
14 |
F. Keller, M. S. Hunter, and D. L. Robinson, J. Electrchem. Soc. 100, 411(1953)
DOI
|
15 |
S. K. Park, J. S. Noh, D. D. Sung, and W. B. Chin, Curr. Appl. Phys., in press
|
16 |
S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, and H. Dai, Science 283, 512(1999)
DOI
ScienceOn
|