Deposition of copper dots with new copper precursors

Two new copper(I) complexes with organic ligands, $[Cu^I(hfac)]_2(DVTMSO)$ and $[Cu^I(hfac)]_2(HD)$ (hfac=hexafluoroacetylacetonate, DVTMSO=1,2-divinylte-tramethyl-disiloxane, HD=1,5-hexadiene) were synthesized and used for copper metal-organic chemical vapor deposition. In these compounds, two Cu(hfac) fragments are bonded by one neutral ligand forming unusual structure with respect to other Cu(I) complexes. The compounds exhibited relatively high volatility and stability when compared to other copper(I) precursors. By using the reported compounds as precursors, a continuous Cu layer was not formed but the Cu islands were only observed. And the shape and size of Cu islands are significantly changed as a function of the substrate temperature.

새로운 Copper 전구체를 이용한 구리점 증착

새로운 1가 구리 전구체인 $[Cu^I(hfac)]_2(DVTMSO)$ and $[Cu^I(hfac)]_2(HD)$ (hfac=hexa- fluoroacetylacetonate, DVTMSO=1,2-divinyltetramethyldisiloxane, HD=1,5-hexadiene)를 합성하였으며, 또한 유기금속 화학증착법을 사용하여 증착특성을 확인하였다. 새로운 전구체는 기존 구리 1가 전구체와는 다르게 두 개의 Cu(hfac)가 하나의 중성리간드에 결합된 형태를 가지고 있다. 또한 새롭게 합성된 두 종류의 전구체는 기존에 알려진 1가 구리 고체 전구체에 비해 높은 안정성 및 높은 증기압을 가지고 있는 것이 확인하였다. 아울러 기존의 전구체와는 달리 새로운 전구체로 화학증착하면 막 (films)을 형성하지 않고 구리점 (dots)을 형성하는 것을 확인하였으며 이는 새로운 구조로부터 기인된 현상이라고 생각된다. 구리점의 모양은 증착온도에 따라 급격하게 변하는 것도 관찰되었다.