1 |
Y. Chen, S. Lee, H. Kim, J. Lee, D. Geng, and J. Jang, J. Soc. Inf. Disp., 28, 528 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1002/jsid.915]
DOI
|
2 |
P. R. Xu and R. H. Yao, Displays, 53, 14 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.displa.2018.04.003]
DOI
|
3 |
J. Shao, W. C. Su, T. C. Chang, H. C. Chen, K. J. Zhou, I. N. Lu, Y. F. Tu, Y. S. Shih, T. M. Tsai, C. H. Lien, J. Yang, and Q. Zhang, J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 085104 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab5999]
DOI
|
4 |
M. H. Cho, H. Seol, A. Song, S. Choi, Y. Song, P. S. Yun, K. B. Chung, J. U. Bae, K. S. Park, and J. K. Jeong, IEEE Trans. Electron Devices, 66, 1783 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2019.2899586]
DOI
|
5 |
R. R. Chowdhury, M. S. Kabir, R. G. Manley, and K. D. Hirschman, ECS Trans., 92, 135 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1149/09204.0135ecst]
DOI
|
6 |
J. H. Kim, E. K. Park, M. S. Kim, H. J. Cho, D. H. Lee, J. H. Kim, Y. Khang, K. C. Park, and Y. S. Kim, Thin Solid Films, 645, 154 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.09.054]
DOI
|
7 |
S. Choi, S. Park, J. Kim, Y. Seo, H. J. Shin, Y. S. Jeong, J. U. Bae, C. H. Oh, D. M. Kim, S. J. Choi, and D. H. Kim, IEEE Electron Device Lett., 41, 50 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2019.2954543]
DOI
|
8 |
S. Choi, J. Y. Kim, H. Kang, D. Ko, J. Rhee, S. J. Choi, D. M. Kim, and D. H. Kim, Materials, 12, 3149 (2019). [DOI: https://doi.org/10.3390/ma12193149]
DOI
|
9 |
H. Zhang, Y. Wang, X. Zhang, and C. Liu, Semicond. Sci. Technol., 33, 085015 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aacec0]
DOI
|
10 |
C. Dong, J. Xu, Y. Zhou, Y. Zhang, and H. Xie, Solid-State Electron., 153, 74 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.12.020]
DOI
|
11 |
J. Sheng, T. H. Hong, H. M. Lee, K. R. Kim, M. Sasase, J. Kim, H. Hosono, and J. S. Park, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 40300 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.9b14310]
DOI
|
12 |
J. G. Um and J. Jang, Appl. Phys. Lett., 112, 162104 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.5007191]
DOI
|
13 |
H. Jang, S. J. Lee, Y. Porte, and J. M. Myoung, Semicond. Sci. Technol., 33, 035011 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaa9e7]
DOI
|
14 |
B. J. Jeong, J. K. Jeong, Y. M. Song, H. D. Lee, H. S. Choi, and G. W. Lee, J. Semicond. Technol. Sci., 20, 163 (2020). [DOI: https://doi.org/10.5573/JSTS.2020.20.2.163]
DOI
|
15 |
H. J. Kim, K. Park, and H. J. Kim, J. Soc. Inf. Disp., 28, 591 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1002/jsid.886]
DOI
|
16 |
C. L. Fan, F. P. Tseng, and C. Y. Tseng, Materials, 11, 824 (2018). [DOI: https://doi.org/10.3390/ma11050824]
DOI
|
17 |
A. Abliz, J. Alloys Compd., 831, 154694 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.154694]
DOI
|
18 |
E. G. Lee, J. Park, S. E. Lee, H. J. Na, N. K. Cho, C. Im, Y. H. Cho, and Y. S. Kim, IEEE Trans. Electron Devices, 67, 3135 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2020.3000736]
DOI
|