1 |
O. Lopez-Sanchez, D. Lembke, M. Kayci, A. Radenovic, and A. Kis, Nat. Nanotechnol, 7, 497 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1038/nnano.2013.100]
|
2 |
D. Kufer and G. Konstantatos, Nano Lett., 15, 7307 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02559]
DOI
|
3 |
Y. Yu, C. Li, Y. Liu, L. Su, Y. Zhang, and L. Cao, Sci. Rep., 3, 1866 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1038/srep01866]
DOI
|
4 |
G. R. Bhimanapati, Z. Lin, V. Meunier, Y. W. Jung, J. Cha, S. Das, D. Xiao, Y. W. Son, M. S. Strano, V. R. Cooper, L. Liang, S. G. Louie, E. Ringe, W. Zhou, S. S. Kim, R. R. Naik, B. G. Sumpter, H. Terrones, F. Xia, Y. Wang, J. Zhu, D. Akinwande, N. Alem, J. A. Schuller, R. E. Schaak, M. Terrones, and J. A. Robinson, ACS Nano, 9, 11509 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.5b05556]
DOI
|
5 |
J. H. Ryu, G. W. Baek, S. J. Yu, S. G. Seo, and S. H. Jin, IEEE Electron Device Lett., 38, 67 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2016.2633479]
DOI
|
6 |
S. J. Jeong, S. M. Kim, Y. M. Kang, H. S. Lee, and D. H. Kim, Korean J. Mater. Res., 26, 422 (2016). [DOI : https://doi.org/10.3740/MRSK.2016.26.8.422]
DOI
|
7 |
L. Zhang, C. Liu, A. B. Wong, J. Resasco, and P. Yang, Nano Res., 8, 281 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1007/s12274-014-0673-y]
DOI
|
8 |
H. S. Kim, M. Patel, H. H. Park, A. Ray, C. Jeong, and J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 8662 (2016). [DOI : https://doi.org/10.1021/acsami.5b12732]
DOI
|
9 |
K. M. Kang, J. H. Yun, Y. C. Park, and J. D. Kim, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 27, 276 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2014.27.5.276]
|
10 |
M. D. Kumar, K. K. Kim, and J. D. Kim, Sens. Actuators, A, 223 (2015).
|
11 |
L. Yang, K. Majumdar, H. Liu, H. Wu, M. Hatzistergos, P. Y. Hung, R. Tieckelmann, W. Tsai, C. Hobbs, and P. D. Ye, Nano Lett., 14, 6275 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1021/nl502603d]
DOI
|
12 |
L. Cheng, W. Huang, Q. Gong, C. Liu, Z. Liu, Y. Li, and H. Dai, Angew. Chem., Int. Ed., 53, 7860 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1002/anie.201402315]
DOI
|
13 |
M. Patel, H. S. Kim, and J. D. Kim, Adv. Electron. Mater., 1, 1500232 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.201500232]
DOI
|
14 |
E. L. Warren, S. W. Boettcher, J. R. McKone and N. S. Lewis, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. (California, USA, 2010) p. 77701.
|