1 |
E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, L. Pereira, G. Goncalves, and R. Martins, Phys. Stat. Sol., (RRN), 1, R34 (2007).
|
2 |
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
DOI
ScienceOn
|
3 |
D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (A Wiley-Interscience Publication, 1990) p. 226.
|
4 |
A. Rolland, J. Richard, J. P. Lleider, and D. Mencaraglia, J. Electrochem. Soc., 140, 3679 (1993).
DOI
ScienceOn
|
5 |
T. Y. Ma, J. KIEEME, 25, 304 (2011).
|
6 |
S. Bang, S. Lee, J. Park, S. Park, Y. Ko, C. Choi, H. Chang, H. Park, and H. Jeon, Thin Solid Films, 519, 8109 (2011).
DOI
ScienceOn
|
7 |
C. Lin, K. Chou, F. Chang, and C. Hung, Solid-State Electronics, 64, 10 (2011).
DOI
ScienceOn
|
8 |
K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 300, 1269 (2003).
|
9 |
S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, and S. Miyatake, J. Appl. Phys., 93, 1624 (2003).
DOI
ScienceOn
|
10 |
B. G. Streetman, Solid State Electronic Devices-4th ed. (Prentice-Hall international, Inc., 1995) p. 312.
|
11 |
R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wagner, Appl. Phys. Lett., 82, 733 (2003).
DOI
ScienceOn
|