1 |
H. Ogihara, C. Randall, and S. Trolier-McKinstry, J. Am. Ceram. Soc., 92, 110 (2009).
DOI
ScienceOn
|
2 |
S. G. Bae, H. G. Shin, E. Y. Son, and I. H. Im, Trans. Electr. Electron. Mater., 14, 78 (2013).
DOI
|
3 |
I. H. Im, S. H. Lee, H. K. Kim, D. H. Lee, S. H. Kim, Y. S. Yun, Y. K. Choi, and S. P. Nam, Journal of Ceramic Processing Research, 15, 26 (2014).
|
4 |
Y. Saito, H. Takao, I. Tani, T. Nonoyama, K. Takatori, T. Homma, T. Nagaya, and M. Nakamura, Nature, 432, 84 (2004).
DOI
ScienceOn
|
5 |
L. E. Cross, Ferroelectrics, 151, 11 (1994).
DOI
|
6 |
G. A. Smolensky and A. I. Agranovskaya, Sov. Phys. Tech. Phys., 3, 1380 (1958).
|
7 |
G. A. Smolensky, J. Phys. Soc. Jpn., 28, 26 (1970).
|
8 |
C. G. F. Stenger and A. J. Burggraaf, Phys. Stat. Sol., 61, 275 (1980).
DOI
ScienceOn
|
9 |
P. M. Vilarinho, L. Zhou, M. Pokle, N. Marques, and J. L. Baptista, J. Am. Ceram. Soc., 83, 1149 (2000).
|
10 |
S. W. Choi, T. R. Shrout, S. I. Jang, and A. S. Shalla, Ferroelectrics, 100, 29 (1989).
DOI
|
11 |
F. Bahri, H. Khemakhem, M. Gargouri, A. Simon, R. Von der Muhll, and J. Ravez, Solid State Sci., 5, 1235 (2003).
DOI
|
12 |
J. Rayez and A. Simon, Solid State Sci., 1, 25 (1999).
DOI
|
13 |
J. Ravez and A. Simon, Mater. Lett., 36, 81 (1998).
DOI
|