BiFeO3-based Lead-free Piezoelectric Ceramics
![]() |
Choi, Jin-Hong
(Department of Semiconductor & Display Engineering, Hoseo University)
Kim, Hyun-Ah (Department of Materials Science & Engineering, Hoseo University) Han, Seung-Ho (Electronic Materials and Device Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Kang, Hyung-Won (Electronic Materials and Device Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Lee, Hyeung-Gyu (Electronic Materials and Device Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Kim, Jeong-Seog (Department of Semiconductor & Display Engineering, Hoseo University) Cheon, Chae-Il (Department of Semiconductor & Display Engineering, Hoseo University) |
1 | Y. Hiruma, R. Aoyagi, H. Nagata and T. Takenaka, Jpn. J. Appl. Phys., 44, 5040 (2005). DOI |
2 | H. Matsuo, Y. Noguchi, M. Miyayama, M. Suzuki, and M. A. Watanabe J. Appl. Phys., 108, 104103 (2010). DOI |
3 | T. Ozaki, Hiroki M., Y. Noguchi, M. Miyayama, and S. Mori, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 09MC05 (2010). DOI |
4 | J. H. Choi, H. A. Kim, S. H. Han, H. W. Kang, H. G. Lee, J. S. Kim, and C. I. Cheon, The 12th Japan-Korea International Seminar on Ceramics (Okayama, Japan, 2011), EC-O-3. |
5 | S. O. Leontsev and R. E. Eitel, J. Mater. Res., 26, 9 (2011). DOI |
6 | Y. Yao, B. Ploss, C. L. Mak, and K. H. Wong, Appl. Phys., A99, 211 (2010). DOI |
7 | M. Kumar, K. L. Yadav, and G. D. Varma, Mater. Lett., 62, 1159 (2008). DOI ScienceOn |
8 | S. H. Han, K. S. Kim, H. G. Kim, H. G. Lee, C. I. Cheon, and J. S. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol., 10, 6650 (2010). DOI |
9 | D. Lebeugle, D. Colson, A. Forget, and M. Viret, Appl. Phys. Lett., 91, 022907 (2007). DOI |
10 | J. B. Neaton, C. Ederer, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, and K. M. Rabe, Phys. Rev., B71, 014113 (2005). |
11 | Y. P. Wang, L. Zhou, M. Zhang, X. Y. Chen, J. M. Liu, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett., 84, 1731 (2004). DOI |
12 | A. K. Pradhan, K. Zhang, D. Hunter, J. B. Dadson, G. B. Loutts, P. Bhattacharya, D. J. Sellmyer, U. N. Roy, Y. Cui, and A. Burger, J. Appl. Phys., 97, 093903 (2005). DOI |
13 | G. L. Yuan, S. W. Or, Y. P. Wang, Z. G. Liu, and J. M. Liu, Solid State Commun.,. 138, 76 (2006). DOI ScienceOn |
14 | G. L. Yuan, Y. Yang, and S. W. Or, Appl. Phys. Lett., 91, 122907 (2007). DOI |
15 | R. Mazumder, D. Chakravarty, D. Bhattacharya, and A. Sen, Mater. Res. Bull., 44, 555 (2009). DOI |
16 | J. C. Chen and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett., 91, 182903 (2007). DOI |
17 | S. Hunpratub, P. Thongbai, T. Yamwong, R. Yimirun, and S. Maensiri, Appl. Phys. Lett., 94, 062904 (2009). DOI |
18 | A. Y. Kim, S. H. Han, H. W. Kang, H. G. Lee, J. S. Kim, and C. I. Cheon, Ceram. Int., 38, S397 (2012). DOI |
19 | W. Luo, D. Wang, F. Wang, T. Liu, J. Cai, L. Zhang and Y. Liu, Appl. Phys. Lett. 94, 202507 (2009). DOI |
20 | S. J. Kim, S. H. Han, H. G. Kim, A. Y. Kim, J. S. Kim, and C. I. Cheon, J. Kor. Phys. Soc., 56, 439 (2010). DOI |
21 | J. S. Kim, C. I. Cheon, C. H. Lee, and P. W. Jang, J. Appl. Phys., 96, 468 (2004). DOI ScienceOn |
22 | J. T. Han, Y. H. Huang, X. J. Wu, C. L. Wu, W. Wei, B. Peng, W. Huang, and J. B. Goodenough, Adv. Mater., 18, 2145 (2006). DOI |
23 | S. H. Han, K. S. Kim, H. G. Kim, H. G. Lee, J. S. Kim, and C. I. Cheon, Ceram. Int., 36, 1365 (2010). DOI |
24 | T. Rojac, M. Kosec, B. Budic, N. Setter, and D. Damjanovic, J. Appl. Phys., 108, 074107 (2010). DOI |
25 | Y. Jun, W. Moon, C. Chang, H. Kim, H. S. Ryu, J. W. Kim, K. H. Kim, and S. Hing, Solid State Commun., 135, 133 (2005). DOI |
26 | M. Kumar, A. Srinivas, and S. V. Suryanarayana, J. Appl. Phys., 87, 855 (2000). DOI ScienceOn |
27 | S. O. Leontsev and R. E. Eitel, J. Am. Ceram. Soc., 92, 2957 (2009). DOI |
28 | Y. J. Lee, J. S. Kim, S. H. Han, H. W. Kang, H. G. Lee, and C. I. Cheon, J. Kor. Phys. Soc., "submitted". |
29 | L. W. Martin, S. P. Crane, Y .H. Chu, M. B. Holcomb, M. Gajek, M. Huijben, C. H. Yang, N. Balke, and R. Ramesh, J. Phys. Condens. Matter., 20, 434220 (2008). DOI |
30 | R. Palai, R. S. Katiyar, H. Schmid, P. Tissot, S. J. Clark, J. Robertson, S. A. T. Redfern, G. Catalan, and J. F. Scott, Phys. Rev., B77, 014110 (2008). DOI |
31 | M. I. Morozov, N. A. Lomanova, and V. V. Gusarov, Russian, Journal of General Chemistry, 73, 1676 (2003). DOI |
32 | A. Y. Kim, Y. J. Lee, J. S. Kim, S. H. Han, H. W. Kang, H. G. Lee, and C. I. Cheon, J. Kor. Phys. Soc., 60, 83 (2012). DOI |
33 | T. Leist, W. Jo, T. Comyn, A. Bell, and J. Roedel, Jpn. J. Appl. Phys., 48, 120205 (2009). DOI |
34 | V. F. Freitasw, I. A. Santos, E. Botero, B. M. Fraygola, D. Garcia, and J. A. Eiras, J. Am. Ceram. Soc., 94, 754 (2011). DOI |
35 | S. Fujino, M. Murakami, V. Anbusathaiah, S. H. Lim, V. Nagarajan, C. J. Fennie, M. Wuttig, L. Salamanca-Riba, and I. Takeuchi, Appl. Phys. Lett., 92, 202904 (2008). DOI |
36 | J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science, 299, 1719 (2003). DOI ScienceOn |
37 | S. T. Zhang, M. H. Lu, D. Wu, Y. F. Chen, and N. B. Ming, Appl. Phys. Lett., 87, 262907 (2005). DOI |
38 | W. Eerenstein, N. D. Mathur, and J. F. Scott, Nature, 442, 7595 (2006). |
39 | G. Catalan and J. F. Scott, Adv. Mater., 21, 2463 (2009). DOI |
40 | T. Choi, S. Lee, Y.J. Choi, V. Kiryukhin, and S. W. Cheong, Science, 324, 63 (2009). DOI ScienceOn |
41 | F. Gao, Y. Yuan, K. F. Wang, X. Y. Chen, F. Chen, J. M. Liu, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett., 89, 102506 (2006). DOI |
42 | T. J. Park, Y. Mao, and S. S. Wong, Chem. Comm., 23, 2708 (2004). |
43 | X. Y. Zhang, C. W. Lai, X. Zhao, D. Y. Wang, and J. Y. Dai, Appl. Phys. Lett., 87, 143102 (2005). DOI ScienceOn |
44 | S. Ghosh, S. Dasgupta, A. Sen, and H. S. Maiti, J. Am. Ceram. Soc., 88, 1349 (2005). DOI |
45 | T. J. Park, G. C. Papaefthymiou, A. J. Viescas, A. R. Moodenbaugh, and S. S. Wong, Nano Lett., 7, 766 (2007). DOI |
![]() |