1 |
D. H. Cho, S. H. Yang, C. W. Byun, M. K. Ryu, S. H. Ko Park, C. S. Hwang, S. M. Yoon, and H. Y. Chu, IEEE Electron Device Lett., 31, 48 (2009).
|
2 |
K. C. Park and T. Y. Ma, J. KIEEME, 24, 641 (2011).
|
3 |
D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (A Wiley-Interscience publication, 1990) p. 231
|
4 |
D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (A Wiley-Interscience publication, 1990) p. 285.
|
5 |
H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett., 86, 013503 (2005).
DOI
ScienceOn
|
6 |
S. H. Bang, S. J. Lee, J. H. Park, S. Y. Park, Y. B. Ko, C. H. Choi, H. J. Chang, H. H. Park, and H. T. Jeon, Thin Solid Films, 519, 8109 (2011).
DOI
ScienceOn
|
7 |
D. C. Paine, B. Yaglioglu, Z. Beiley, and S. H. Lee, Thin Solid Films, 516, 5894 (2008).
DOI
ScienceOn
|
8 |
Y. J. Cho, J. H. Shin, S. M. Bobade, Y. B. Kim, and D. K. Choi, Thin Solid Films, 517, 4115 (2009).
DOI
ScienceOn
|
9 |
Z. Yuan, X. Zhu, X. Wang, X. Cai, B. Zhang, D. Qiu, and H. Wu, Thin Solis Films, 519, 3254 (2011).
DOI
ScienceOn
|
10 |
A. Dey, D. R. Allee, and L. T. Clark, Solid State Electron, 62, 19 (2011).
DOI
ScienceOn
|
11 |
K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science, 300, 1269 (2003).
DOI
ScienceOn
|
12 |
J. S. Park, K. S. Kim, Y. G. Park, Y. G. Mo, H. D. Kim, and J. K. Jeong, Adv. Mater., 21, 329 (2009).
DOI
ScienceOn
|
13 |
A. Suresh and J. F. Mutha, Appl. Phys. Lett., 92, 033502 (2008).
DOI
ScienceOn
|