1 |
S. Okhonin, M. Nagoga, J. M. Sallese, and P. Fazan, IEEE Electron Devices Lett., 23, 85 (2002).
DOI
|
2 |
M. Bawedin, S. Cristoveanu, and D. Flandre, Solid State Electron, 51, 1252 (2007).
DOI
ScienceOn
|
3 |
M. Bawedin, S. Cristoloveanu, and D. Flandre, IEEE Electron Devices Lett., 29, 795 (2008).
DOI
|
4 |
K. Kim, C. G. Hwang, and J. G. Lee, IEEE Electron Devices Lett., 45, 598 (1998).
DOI
ScienceOn
|
5 |
J. Y. Kim, C. S. Lee, S. E. Kim, I. B. Chung, Y. M. Choi, B. J. Park, J. W. Lee, D. I. Kim, Y. S. Hwang, J. M. Park, D. H. Kim, N. J. Kang, M. H. Cho, M. Y. Jeong, H .J. Kim, J. N. Han, S. Y. Kim, B. Y. Nam, H. S. Park, S. H. Chung, J. H. Lee, J. S. Park, H. S. Kim, Y. J. Park and K. N. Kim, VLSI. Symp. Tech. Dig., 11 (2003).
|
6 |
P. H. Bricout and E. Dubois, IEEE Trans. Elec. Dev., 43, 1251 (1996).
DOI
ScienceOn
|
7 |
S. M. Sze and K. Ng. Kwok, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (John Wiley & Sons, New Jersey 2007) p. 343.
|