1 |
I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 36 5393 (1997).
DOI
|
2 |
Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Elect. Dev., 48, 586 (2001).
DOI
|
3 |
Y. Ando, Y. Okamoto, K. Hataya, T. Nakayama, H. Miyamoto, T. Inoue, and M. Kuzuhara, IEDM Tech. Dig., 563 (2003).
|
4 |
K. Joshin, T. Kikkawa, H. Hayashi, T. Maniwa, S. Yokokawa, M. Yokoyama, N. Adachi, and M. Takikawa, IEDM Tech. Dig., 983 (2003).
|
5 |
Y. Ohmaki, M. Tanimoto, S. Akamatsu, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 45, 1168 (2006).
DOI
|
6 |
Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, IEDM Tech. Dig., 907 (2006).
|
7 |
W. Huang, T. Khan, and T. P. Chow, Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 309 (2006).
|
8 |
Y. Niiyama, H. Kambayashi, S. Ootomo, T. Nomura, and S. Yoshida, Solid State Electron., 51, 784 (2007).
DOI
|
9 |
H. Otake, S. Egami, H. Ohta, Y. Nanishi, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys., 46, 599 (2007).
DOI
|