1 |
O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Scharff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys., 85, 3222 (1999).
DOI
|
2 |
J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBarr, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett.,. 77, 250 (2000).
DOI
|
3 |
Z. Lin, J. Lee, and W. Lu, Appl. Phys. Lett.,. 84, 1585 (2004).
DOI
|
4 |
C. M. Jeon and J. R. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 4301 (2003).
DOI
|
5 |
H. W. Jang, J. M. Baik, M. K. Lee, H. J. Shin, and J. L. Lee., Electrochem. Solid-State Lett., 151(8), G536 (2004).
|
6 |
J.-S. Jang, T.-Y. Seong, and S.-R. Jeon, Electrochem. Solid-State Lett., 10(4), H120 (2007).
DOI
|
7 |
J.-S. Jang, D. Kim, and T.-Y. Seong, J. Appl. Phys. 99, 073704 (2006).
DOI
|
8 |
E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
DOI
|
9 |
G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
DOI
|
10 |
D. Bruuner, H. Angerer, E. Bustarret, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys, 82, 5090 (1997).
DOI
|
11 |
M. Shur, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 483, 15 (1998).
|
12 |
Z. Lin, W. Lu, J. Lee, D. Liu, J. S. Flynm, and G. R. Brandes, Appl. Phys. Lett., 82, 4364 (2003).
DOI
|
13 |
M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. MsDermott, and J. A. Higgins, IEEE Electron Device Lett. 17, 325 (1996).
DOI
|
14 |
E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000).
DOI
|
15 |
A. J. Sierakowski, W. J. Scharff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys,. 87, 334 (2000).
DOI
|