1 |
K. Takechi, M. Nakata, T. Eguchi, S. Otsuki, H. Yamaguchi, and S. Kaneko, Jpn. J. Appl. Phy. 47, 7122 (2008).
DOI
|
2 |
J. Forster and W. Holber , J. vac. Technol. A 7, 899 (1989).
DOI
|
3 |
S. J. Jeong and S. G. Oh, New Physics (Korea Physical Society) 33, 56 (1993).
|
4 |
A. Schwabedissen, E. C. Benck, and J. R. Roberts, Phys. Rev. E 55, 3450 (1997).
DOI
|
5 |
Y. H. Ham, D. A. Shutov, K. H. Baek, L. M Do, K. Kim, C. W Lee and K. H. Kwon, Thin Solid Films 518, 6378 (2010).
DOI
|
6 |
Y. H. Ham, A. Efremov, S. J. Yun, J. K. Kim, N. K. Min and K. H. Kwon, Thin Solid Films 517, 4242 (2009).
DOI
|
7 |
S. H. Cho, Y. Y. Choi and D. J. Choi, J. Kor. Ceram. Soc. 47, 262 (2010).
DOI
|
8 |
M. J. Kushner, J. Appt. Phys. 74, 6538 (1993).
DOI
|
9 |
E. Meeks, R. S. Larson, P. Ho, C. Apblett, S. M. Han, E. Edelberg and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 544 (1998).
|
10 |
L. Date, K. Radouane, B. Despax, M. Yousfi, H. Caquineau and A. Hennad, J. Phys. D: Appl. Phys. 32, 1478 (1999).
DOI
|
11 |
J. C. Tully, Phys. Rev. B 16, 4324 (1977).
DOI
|
12 |
M. Zaborowski and P. Grabiec, Microelectronic Engineering 85, 1257 (2008).
DOI
|
13 |
K. Radouane , L. Date, M. Yousfi , B. Despax and H. Caquineau, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 1332 (2000).
DOI
|
14 |
A. Lugstein, B. Basner, W. Brezna, M. Weil, S. Golka and E. Bertagnolli, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 242, 93 (2006).
DOI
|
15 |
Y. Mo, Y. Wang and M. Bai, Physica E 41, 146 (2008).
DOI
|
16 |
H. Shirai, Y. Sakuma, K. Yoshino and H. Ueyama, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L782 (2000).
DOI
|
17 |
S. Fu, J. Chen, X. Wu , N. Wang, M. Zhang and S. Hu, Plasma Science & Technology 8, 300 (2006).
DOI
|