1 |
H. S. Lee, S. W. Lee, M. Y. Kwak, Y. S. Choi, D.
H. Shin, H. C. Park, W. Jung, J. Y. Yi, and H. J.
Park, Kor. Appl. Phys. 11, 504 (1998).
|
2 |
H. J. Jung, D. H. Han, and Y. J. Lee, J. Kor. Inst.
Maritime Inf. Commun. Sci. 10, 1281 (2006).
|
3 |
T. Teraji, S. Hara, H. Okushi, and K. Kajimura,
Appl. Phys. Lett. 71, 689 (1997).
DOI
|
4 |
A. V. Kuchuk, V. P. Kladko, A. Piotrowska, R.
Ratajczak, and R. Jakiela, Mater. Sci. Forum 615-617, 573 (2009).
DOI
|
5 |
P. G. Neudeck and J. Anthony Powell, IEEE Electron.
Device Lett. 15, 63 (1994).
DOI
|
6 |
N. F. Gradner, J. C. kim, J. J. Wierer, Y. C. Shen,
and M. R. krames, Appl. Phys. Lett. 86, 111101
(2005).
DOI
|
7 |
S. M. Bishop, J. S. Park, J. Gu, B. P. Wagner, Z. J.
Reitmeier, D. A. Batchelor, D. N. Zakharov, Z.
Liliental-Weber, and R. F. Davis, J. Cryst. Growth
300, 83 (2007).
DOI
|
8 |
J. N. Su and A. J. Steckl, Inst. Phys Conf. Ser. 142,
697 (1996).
|
9 |
C. K. Kim, S. J. Yang, N. I. Cho, and H. J. Yoo,
Trans. KIEE 53C, 495 (2004).
|
10 |
T. H. Gil and Y. S. Kim, 1999 Fall Conf. KIEE
(KIEE, Seoul, Korea, 1999) p. 938.
|
11 |
T. Nakamura and M. Satoh, Solid-State Electron.
46, 2063 (2002).
DOI
|
12 |
S. C. Kim, J. Kor. Inst. Power Electron. 14, 21
(2009).
|
13 |
J. Crofton, L. Beyer, J. R. Williams, E. D. Luckowski,
S. E. Mohney, and J. M. Delucca, Solid-State Electron.
41, 1725 (1997).
DOI
|