1 |
J. B. Casady, and R. W. Johnson, Solid-State Electron., 39, 1409 (1996).
DOI
|
2 |
A. Elasser, and P. Chow, Proc. IEEE, 90, 969 (2002).
DOI
ScienceOn
|
3 |
N. Kubo, T. Kawase, S. Asahina, N. Kanayama, H. Tsuda, A. Moritani, and K. Kitahara, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 7654 (2004).
DOI
|
4 |
A. J. Steckl, C. Yuan, and J. P. Li, Appl. Phys. Lette., 63, 3347 (1993).
DOI
|
5 |
M. Zielinski, A. Leycuras, S. Ndiaye, and T. Chassagne, J. Appl. Phys. Lett, 89, 131906 (2006).
DOI
|
6 |
S. Nishino, J. A. Powell, and H. A. Will, Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983).
DOI
|
7 |
A. Severinoa, C. Frewinc, C. Bongiornoa, R. Anzalonea, S. E. Saddow, and F. La Via. Diam. Relat. Mater., 18, 1440 (2009).
DOI
ScienceOn
|
8 |
A. J. Steckl, and J. P. Li, IEEE Trans. Electron Devices., 39, 64 (1992).
DOI
|
9 |
N. Becourt, J. L. Ponthenier, A. M. Papon, and C. Jaussaud, Physica B, 185, 79 (1993).
DOI
|
10 |
Z. D. Sha, X. M. Wu, and L. J. Zhuge, Phys. Lett. A, 346, 186 (2005).
DOI
|
11 |
M. A. Capano, B. C. Kim, A. R. Smith, E. P. Kvam, S. Tsoi, and A. K. Ramdas, J. Appl. Phys., 100, 083514 (2006).
DOI
|
12 |
V. Cimalla, K. V. Karagodina, J. Pezoldt, and G. Eichhorn, Mat. sci. Eng. B, 29, 170 (1995).
DOI
|