Breakdown Voltage and On-resistance Characteristics of the Surface Doped SOI RESURF LDMOSFET
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Kim Hyoung-Woo
(한국전기연구원 전력반도체연구그룹)
Kim Sang-Cheol (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) Bahng Wook (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) Kang In-Ho (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) Kim Kl-Hyun (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) Kim Nam-Kyun (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) |
1 | B. Murari, F. Bertotti, and G. A. Vignola, 'Smart Power ICs', New York, Springs, 1995 |
2 | 박훈수, 이영기, '공정 및 설계 변수가 고전압 LDMOSFET의 전기적 특성에 미치는 영향', 전기전자재료학회논문지, 17권, 9호, p. 911, 2004 |
3 | 강이구, 성만영, '레치업 특성의 개선과 고속스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구종의 새로운 LIGBT', 전기전자재료학회논문지, 13권, 5호, p. 371, 2000 |
4 | Y. Kawaguchi, K. Nakamura, A. Yahata, and A. Nakagawa, 'Predicted Electrical Characteristics of 4500 V Super Multi-resurf MOSFET', Proc. 11th ISPSD, p. 95, 1999 |
5 | H.-W. Kim, Y.-I. Choi, and S.-K. Chung, 'Linearly-graded surface doped SOl LDMOSFET with recessed source', Microelectronic Engineering, Vol, 51-52, p. 547, 2000 DOI ScienceOn |
6 | Silvaco TCAD Manuals, ATLAS, ATHENA, Silvaco International Co. USA |
7 |
V. Parthasarathy, R. Zhu, W. Peterson, M. Zunino, and R. Baird, 'A 33 V, 0.25 |
8 | 문승현, 강이구, 성만영, 김상식, '스마트 파워 IC를 위한 P+ Driver 구조의 횡형 트레치 IGBT', 전기전자재료학회논문지, 14권, 7호, p. 546, 2001 |
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