A Study on the Formation of Trench Gate for High Power DMOSFET Applications |
박훈수
(위덕대학교 반도체전자공학부)
구진근 (한국전자통신연구원 다기능소자) 이영기 (위덕대학교 반도체전자공학부) |
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A high-density low on-resistance trench lateral power MOSFET with a trench bottom source contact
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스마트 파워 IC를 위한 P+ driver 구조의 횡형 트렌치 IGBT
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과학기술학회마을 |
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An ultra-low on-resistance power MOSFET fabricated by using a fully self-aligned process
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레치업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT
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과학기술학회마을 |
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A 1 million-cell 2.0 mΩ, 30V Trench FET utilizing 32 Mcell/in2 density with distributed voltage clamping
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25V-13 mΩ-mm2 low on-resistance novel structure trench gate LDMOS
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A new concept for the lateral DMOS transistors for smart power ICs
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고내압 특성을 위한 진성영역과 트렌치 구조를 갖는 베이스 저항 사이리스터
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |