A Study on the Change of Electrical Characteristics in the EST(Emitter Switched Thyristor) with Trench Electrodes |
김대원
(고려대학교 전기공학과)
성만영 (고려대학교 전기공학과) 강이구 (극동대학교 전자공학과) |
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A high performance plasma display driver IC using SOI
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A novel lateral trench electrode IGBT for super electrical characteristics
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Silicon MOS controlled bipolar power switching devices using trench technology
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The future of power semi conductor device technology
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The insulated gate transistor : A new three-terminal MOS-cintrolled bipolar power devices
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Design aspects of MOS controlled thyristor elements
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Simulation o a novel lateral trench electrode IGBT with improved latch-up and forward blocking characteristics
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과학기술학회마을 |
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세그먼트 p-베이스를 이용한 수평형 이중 채녈 EST
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과학기술학회마을 |
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Characteristics of the emitter switched thyristor
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DOI ScienceOn |
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A novel EST with trench electrode to immunize snab-back effect and to obtain high blocking voltage
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과학기술학회마을 |
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래치 업 특성의 개선과 고속스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT
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