A Lateral Trench Electrode Power MOSFET with Superior Electrical Characteristics for Smart Power IC Systems |
성만영
(고려대학교 전기공학과)
김대종 (고려대학교 전기공학과) 강이구 (극동대학교 전자공학과) |
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래치 업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT
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A new lateral trench-gate conductivity modulated power transistor
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Simulation of a novel lateral trench electrode IGBT with improved latch-up and forward blocking characteristics
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A novel EST with trench electrode to immunize Snab-back effect and to obtain high blocking voltage
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