Growth and Properties of Ultra-thin SiO2 Films by Rapid Thermal Dry Oxidation Technique |
정상현
(청주대학교 정보통신공학부)
김광호 (청주대학교 정보통신공학부) 김용성 (청주대학교 정보통신공학부) 이수홍 (세종대학교 전자정보통신공학부) |
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Simulation of the early stages of thin SiO₂ films growth
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Silicon-based light emitting devices integrated into micro electronic circuits
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Reliability of ultrathin silicon dioxide under combined substrate hot-electron and constant voltage stress
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금속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상
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과학기술학회마을 |
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Growth kinetics of thermal SiO₂ thin films
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Third generation photovoltaic s: Ultra-High conversion efficiency at low cost
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게이트 산화막 어닐링을 이용한 서브 마이크론 PMOS 트랜지스터의 NBTI 향상
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |
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Breakdown characteristics of RTO 10 nm SiO₂ films grown at different temperatures
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DOI ScienceOn |
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General relationship for the thermal oxidation of silicon
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DOI |
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Gate Oxide Scaling Limits and Projections
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초박막 산화막 MOS 캐패시터에서 전자파 간섭의 극성 효과
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과학기술학회마을 |
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The Physics and Chemistry of SiO₂ and the Si-SiO₂ Interface
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Effect of post-oxidation annealing of the oxynitride on the C-V and G-V characteristics of Al/thin oxynitride/n-Si tunnel diodes
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DOI ScienceOn |
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