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송영주, 현영철, 김상훈, 이영식, 이내응, 강진영, 조경익, 심규환, '저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작', 16권, 9호, p.765, 2003
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2 |
A. Portavoce, P. Gas, I. Berbezier, A. Ronda, J. S. Christensen, and B. Svensson, 'Lattice Diffusion and Surface Segregation of B During Growth of SiGe Heterostructures by Molecular Beam Epitaxy', J. Appl. Phys., Vol. 96, No. 6, p. 3158, 2004
DOI
ScienceOn
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3 |
국가기술지도위원회, NTRM, 2002
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4 |
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Y. J. Song, K. H. Shim, J. Y. Kang, and K. I. Cho, 'DC and RF Characteristics of SiGe pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise', ETRI Journal, Vol. 25, No. 3, p. 203, 2003
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ScienceOn
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K. H. Shim, Y. J. Song, and J. Y. Kang, 'High Performance SiGe pHMOS using Reduced Pressure CVD', Solid-state Technology, p. 51, 2004
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7 |
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DOI
ScienceOn
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S. L. Wu, P. W. Chen, S. J. Chang, S. Koh, and Y. Shiraki, 'Influence of Delta-doping Position on the Characteristics of SiGe-Si DCFETs', IEEE Electron Device Lett., Vol. 25, No.7, p. 477, 2004.
DOI
ScienceOn
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