Characteristics of 2-Step CMP (Chemical Mechanical Polishing) Process using Reused Slurry by Adding of Silica Abrasives
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서용진
(대불대학교 전기전자공학과)
이경진 (대불대학교 전기전자공학과) 최운식 (대불대학교 전기전자공학과) 김상용 (㈜동부아남반도체 Fab. 사업부) 박진성 (조선대학교 신소재공학과) 이우선 (조선대학교 전기공학과) |
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실리카 슬러리의 희석과 연마제의 첨가가 CMP 특성에 미치는 영향
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |
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반경험적인 실험설계(Design of Experiment) 기법을 이용한 CMP 공정 변수의 최적화
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |
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Slurry engineering for self-stopping, dishing free SiO-CMP
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CMP 공정에 기인하는 소자특성의 열화를 방지하기 위한 PMD 구조에 대한 연구
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과학기술학회마을 |
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A detailed look at oxide CMP pad to pad consistency
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Effect of system facility factors for hot spot reduction of inter-level dielectric (ILD) CMP process
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Physical and chemical characterization of reused oxide chemical mechanical planarization slurry
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재활용 슬러리를 사용한 2단계 CMP 특성
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