Fabrication of 6H-SiC MOSFET and Digital IC |
김영석
(충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
오충완 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) 최재승 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) 송지헌 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) 이장희 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) 이형규 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) 박근형 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) |
1 |
Monolithic CMOS digital intergrated circuits in 6H-SiC using an implanted p-well process
/
DOI ScienceOn |
2 |
SiC MOSFET의 SPICE 모델링
/
|
3 |
Monolithic NMOS digital intergrated circuits in 6H-SiC
/
DOI ScienceOn |
4 |
SiC MOSFET의 공정기술에 관한 연구
/
|
5 |
/
|
6 |
Design and fabrication of depletion load NMOS intergrated circuits in 6H SiC
/
|
7 |
/
|
8 |
/
|
9 |
P형 6H-SiC에 형성된 오믹 접합에 관한 연구
/
|
10 |
고온 응용을 위한 SiC MOSFET 문턱전압 모델
/
과학기술학회마을 DOI ScienceOn |
11 |
레이저 활성화에 의한 p형 SiC와 비합금 Mo 오믹 접합 특성
/
DOI ScienceOn |
12 |
Digital CMOS IC's in 6H-SiC operation on a 5-V power supply
/
DOI ScienceOn |
13 |
Step-bunching in SiC epitaxy: anisotropy and influence of growth temperature
/
|
14 |
SiC 반도체 공정 및 소자기술 연구 현황
/
과학기술학회마을 |
15 |
/
|
16 |
Dopant activation and surface morphology of ion implanted 4H- and 6H- silicon carbride
/
DOI ScienceOn |
17 |
레이저 어닐링 공정을 도입한 SiC MOSFET 제작과 소자 특성
/
|
18 |
SiC 반도체 기술현황과 전망
/
|
19 |
Development of CMOS technology for smart power applications in silicon carbride
/
|
20 |
Monolithic digital intergrated circuits in 6H-SiC
/
|