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http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2003.16.7.584

Fabrication of 6H-SiC MOSFET and Digital IC 6H-SiC MOSFET과 디지털 IC 제작

김영석 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
오충완 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
최재승 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
송지헌 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
이장희 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
이형규 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
박근형 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)

Publication Information

Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers / v.16, no.7, 2003 , pp. 584-592 More about this Journal

Abstract

6H-SiC MOSFETs and digital ICs have been fabricated and characterized. PMOS devices are fabricated on an n-type epilayer while the NMOS devices are fabricated on implanted p-wells. NMOS and PMOS devices use a thermally grown gate oxide. SiC MOSFETs are fabricated using different impurity activation methods such as high temperature and newly proposed laser annealing methods. Several digital circuits, such as resistive road NMOS inverters, CMOS inverters, resistive road NMOS NANDs and NORs are fabricated and characterized.

Keywords

SiC; MOSFET; Digital circuits; Impurity activation; High temperature annealing; Laser annealing;

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