Etching Characteristics of Gold Thin Films using Inductively Coupled CF4/CI2/Ar Plasma
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김창일
(중앙대학교 전기전자공학부)
장윤성 (중앙대학교 전지전자공학부) 김동표 (중앙대학교 전지전자공학부) 장의구 (중앙대학교 전지전자공학부) |
1 |
Enhancement of reactivity in Au etching by pulse-time-modulated Cl₂plasma
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DOI |
2 |
Dry etching chracteristics of Pb(Zr,Ti)O₃films in CF₄and Cl₂/CF₄inductively coupled plasmas
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DOI |
3 |
Cl₂/Ar 유도결합 플라즈마에 의한 gold 박막의 식각 특성
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |
4 |
High speed anisotropic reactive ion etching of gold Films
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DOI ScienceOn |
5 |
Etching characteristics of <TEX>$SrBi_{2}Ta_{2}O_{9}$</TEX> thin films in a <TEX>$Cl_{2}/CF{4}/Ar$</TEX> plasma
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과학기술학회마을 |
6 |
OES를 이용한 SBT박막의 식각 특성 연구
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과학기술학회마을 |
7 |
ICP에 의한 BCl₃/Cl₂플라즈마 내에서 Pt 박막의 식각 특성
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과학기술학회마을 |
8 |
유도 결합 플라즈마를 이용한 YMnO₃박막의 건식 식각 특성 연구
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과학기술학회마을 |
9 |
Reactive ion etching of thin gold films
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DOI ScienceOn |
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