Chemical Mechanical Polishing Characteristics of Mixed Abrasive Slurry by Adding of Alumina Abrasive in Diluted Silica Slurry |
서용진
(대불대학교 전기공학과)
박창준 (대불대학교 전기공학과) 최운식 (대불대학교 전기공학과) 김상용 ((주)아남반도체 FAB 사업부) 박진성 (조선대학교 전기공학과) 이우선 (조선대학교 전기공학과) |
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Reduction of micro-defects in the inter-metal dielectric (IMD) chemical mechanical polishing (CMP) for ULSI applications
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Chemical mechanical polishing using mixed abrasive slurry
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DOI ScienceOn |
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A study on the reproducibility of HSS STI-CMP process for ULSI applications
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Optimization of pre-metal dielectric (PMD) materials
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DOI ScienceOn |
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탈 이온수 압력과 정제된 N₂가스가 ILD-CMP 공정에 미치는 영향
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과학기술학회마을 |
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Chemical mechanical polishing of copper and barrier layer by manganese(Ⅳ) oxide slurry
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DOI ScienceOn |
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Chemical mechanical polishing of polyarylether low dielectric constant layers by manganese oxide slurry
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DOI ScienceOn |
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Chemical Mechanical Polishing(CMP) 공정을 이용한 Multilevel Metal 구조의 광역 평탄화에 관한 연구
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과학기술학회마을 |
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Study of micro-defect on oxide CMP in VLSI circuits
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실리카 슬러리의 희석과 연마제의 첨가가 CMP 특성에 미치는 영향
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |